ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Изменение электросопротивления р непосредственно в процессе сжатия Ge через мягкие изолирующие прокладки обнаруживает некоторые особенности в области тех же напряжений ( 2 кгс/мм ), при которых возникают нелинейные участки на диаграммах сжатия (рис. 106, кривая 2). Так, рост электросопротивления, обусловленный тензорезистивным эффектом [571], почти полностью подавляется в области этих же напряжений (т.е. в области площадки АВ) некоторым донорным эффектом, природа которого более подробно будет рассмотрена ниже. Для измерения Ар/рц “ применялись специальные удлиненные образцы размером 4x5x30 мм, для которых обеспечивалось соотношение //5 — 14, с тем чтобы устранить влияние торцовых эффектов. При этом сравнение кривых а-е и а—(Др/р) на рис. 106 показывает, что микротекучесть проявляется при а — 2 кгс/мм . [Выходные данные]