Неупругое и потенциальное рассеяние

Взаимодействие быстрых нейтронов с ядром не ограничивается процессом неупругого рассеяния. Волновая природа частиц позволяет предполагать также существование упругого потенциального рассеяния, которое должно носить дифракционный характер. Возможность такого явления связана с тем, что при I = I ядро можно рассматривать как черный шарик, на котором нейтронная волна длиной должна претерпевать дифракционное рассеяние. [c.349]

Сечения процессов, не приводящих к изменению структуры ядра, объединяют в сечение рассеяния. Оно включает в себя сечения потенциального рассеяния, резонансного рассеяния и неупругого рассеяния. [c.233]

Неупругое рассеяние Потенциальное рассеяние [c.234]

НЕУПРУГОЕ И ПОТЕНЦИАЛЬНОЕ РАССЕЯНИЕ [c.237]

Мерой взаимодействия нейтронов с ядрами является микроскопическое сечение о. В зависимости от вида взаимодействия вводятся сечения деления Оу радиационного захвата а , неупругого рассеяния потенциального рассеяния <3 , резонансного рассеяния Эти сечения называются парциальными. Сечения процессов, не приводящих к изменению структуры ядра, объединяют в сечение рассеяния а . Оно включает в себя сечения потенциального рассеяния,резонансного рассеяния и не- [c.257]

В области энергии Е Е быстрый рост нейтронной ширины, отвечающей неупругому рассеянию, приводит к падению сечения упругого резонансного рассеяния. Что касается потенциального рассеяния, то оно постепенно, с ростом энергии, переходит в рассмотренное ранее диффракционное рассеяние ( 20) (с ростом энергии нейтрона постепенно включаются более высокие значения орбитального момента нейтрона I вплоть до значения — /%)- [c.264]

Мерой взаимодействия с ядрами является микроскопическое сечение а. В зависимости от вида взаимодействия вводятся сечения деления а/, радиационного захвата Ос, неупругого рассеяния atn, потенциального рассеяния Стр, резонансного рассеяния Сг. Эти сечения называются парциальными. Сечения де.пе-ния и радиацнонного захвата объединяют в сечение поглощения Оа. [c.234]

Введение. Из материала, приведенного выше, в разделе 9.3, следует, что при ионизации атомов и атомарных ионов в туннельном случае, когда параметр адиабатичпости 7 < 1, электроны образуются как непосредственно в результате туннелирования через квазистационарный потенциальный барьер (так называемые туннельные электроны), так и в результате неупругого рассеяния туннельных электронов на атомном остове (ионе) (так называемые вторичные электроны). В этом разделе основное внимание будет уделено туннельным электронам, так как их энергетические и угловые распределения характеризуют собственно процесс туннельной ионизации атомов и атомарных ионов. Вопрос о распределениях вторичных электронов будет лишь кратко упомянут в конце данного раздела ввиду его важной роли для ряда приложений. [c.243]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...