Источники излучения примесные

С открытием лазеров как источников коротких импульсов излучения в оптическом диапазоне электромагнитных волн появилась возможность наблюдения фотонного эха [67], являющегося оптическим аналогом спинового эха, а также свободного распада электронной поляризации [68] и других эффектов [69-71], обусловленных сложением фаз, т. е. когерентностью атомного ансамбля. Как мы увидим ниже, эволюция во времени недиагональных элементов матрицы плотности примесного центра определяет свободное затухание поляризации, различные типы фотонного эха и некоторые другие нелинейные явления. Эти эффекты получили название переходных. Их можно наблюдать лишь после возбуждения образца достаточно короткими световыми импульсами. Среди переходных эффектов наибольший интерес в настоящее время вызывает фотонное эхо, превратившееся в главный инструмент для исследования фазовой и энергетической релаксации электронных состояний примесных центров в твердых растворах. Достижениям теории в области описания фотонного эха и посвящена в основном данная глава. [c.195]

Полупроводниковые лазеры используют в качестве активных элементов неорганические вещества (кристаллы), обладающие свойствами полупроводников. В отличие от лазеров на примесных кристаллах генерация излучения в полупроводниках происходит не на переходах между уровнями примесных ионов, а на переходах между зоной проводимости и валентной зоной или между зонами и уровними, образуемыми примесями в запрещенной зоне, самого полупроводника. Таким образом, активным веществом является сама кристаллическая матрица, а примеси служат источником зарядов (электронов и дырок), рекомбинация которых приводит к возникновению фотонов. [c.755]

Основной проблемой кремниевой оптоэлектроники является проблема создания эффективного источника излучения, роль которого выполняет светодиод или лазер. Кремний является непрямозонным полупроводником, и эффективность межзонной излучательной рекомбинации в нем очень низка. Определенным выходом из этого положения является легирование кремния эрбием, примесью, которая формирует в кристаллической решетке эффективные центры излучательной рекомбинации с участием 4f электронов примесного атома. В процессе такой рекомбинации генерируется излучение с длиной волны 1,54 мкм, для которого сам кремний практически прозрачен и которое также соответствует окну максимальной прозрачности оптических волноводов из кварцевого стекла. К сожалению, растворимость Ег в Si составляет всего см (при 1300 °С). Этого явно недостаточно для получения интенсивного излучения. Для увеличения содержания Ег в кристаллической решетке используют неравновесные методы получения сильнолегированных кремниевых слоев — ионную имплантацию, молекулярно-лучевую эпитаксию, ионно-лучевое напыление и др. Увеличению содержания Ег в слое способствует и дополнительное его легирование кислородом или фтором, с которыми эрбий образует достаточно стабильные комплексы. На сегод- [c.96]

Итак, мы рассмотрели наиболее общие причины шумов параметрических преобраао.штелей ИК-излучения. В некоторых конкретных схемах возможны и другие источники шумов, например нелинейное рассеяние накачки на дополнительных примесных уровнях [224] или оптических дефектах в кристалле [236]. [c.131]

Рубиновый лазер. Тот же кристалл рубина, который был использован в мазере СВЧ диапазона, оказался также первым кристаллом, на котором был сделан лазер ), ио при этом использовались другие энергетические уровни иоиа Сг +. На рис. 18.15 показана структура энергетических уровней примесных ионов Сг +, используемая для работы лазера. Примерно иа высоте 15 000 см от основного уровня находятся два уровня, обозначенные и отделенные друг от друга интервалом 29 см Над этими уровнями лежат две широкие полосы энергий 1 и Поскольку эти полосы достаточно широки, онн могут быть эффективно заселены за счет оптического поглощения излучения от источников света с широким спектром частот (рис. 18.16). К таким источникам света относится, например, ксеноновая лампа-вспышка. [c.644]

Еще в 1967—1968 гг. раздавались голоса, что генерация на красителях представляет собой интересное физическое явление, но ввиду малой интенсивности она вряд ли будет использована в качестве источника когерентного излучения для решения прикладных задач. К счастью, эти опасения не оправдались энергия генерации за 1 импульс достигла в ряде экспериментов внушительного значения 400 Дж, пиковая мощность в импульсе — порядка гигаватт. Сейчас уже предложены и успешно работают десятки конструкций различного назначения лазеры пи-К0-, нано-, микро- и миллисекундной длительности, непрерывные лазеры, лазеры со стабилизированной частотой излучения или частотой, управляемой по заданному закону, лазеры с одиночными и часто повторяющимися импульсами. Генерация света сложными органическими соединениями была обнаружена сначала в жидких растворах, затем ее получили в твердых растворах и примесных молекулярных кристаллах. Недавно Н. А, Борисевич и В. А. Толкачев осуществили условия, позволяющие наблюдать генерацию излучения парами сложных молекул. [c.37]

ПЛАЗМЕННЫЙ ФОКУС, нестационарный сгусток плотной, высокотемпературной дейтериевой плазмы, служащий локализованным источником нейтронов и жёстких излучений. П. ф. образуется в области кумуляции токовой оболочки на оси газоразрядной камеры в случае т. н. нецилиндрич. сжатия 2-пинча. При пинч-эффекте создание, нагрев и термоизоляция плазменного столба происходят за счёт текущего через плазму тока и его собств. магн. поля. Попытки поднять нейтронную эмиссию г-пинча путём увеличения мощности установок оказались неудачными попадающие в плазму со стенок камеры примесные атомы увеличивали потери на излучение, возникающие пристеночные пробои шунтировали ток через плазменный столб, а развивающиеся неустойчивости, в частности перетяжки (неодновременное сжатие пинча по высоте), разрушали плазменный шнур как целое. [c.542]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...