Биполярное множество

Биполярным множеством (йр) подпространства называется множество [c.134]

Напомним, что всякий самосопряженный оператор Л, действующий на Ж, можно однозначно представить в виде разности Л + — Л двух положительных операторов. Ясно, что множество 93р совпадает с множеством всех элементов Л е 51, для которых ЦЛ+1К1. Биполярное множество множества 93 имеет вид [c.136]

Проектирование топологии — процесс преобразования электрической или логической схемы в описание послойной реализации схемных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов) и связей между ними в многослойной интегральной структуре. Известен типовой технологический процесс и заданы конструкторско-технологические ограничения. Технологических процессов изготовления БИС существует множество, по типам используемых транзисторов выделяют технологические процессы для структур металл— диэлектрик — полупроводник (МДП) и биполярных. При производстве БИС на МДП-транзисторах необходимы по крайней [c.153]

Биполярная теорема утверждает, что Rp является слабой -замкнутой выпуклой оболочкой множества , 0 , т. е. ( р) = " со Я 0 . Это обстоятельство мы используем ниже при доказательстве теоремы 6. [c.134]

В то же время в силу биполярной теоремы (93р) — слабо -замкнутая выпуклая оболочка множества 93, 0 . Следовательно, единичный шар в 51 . совпадает с со 9 , 0 . Наконец, напомним, что состояния — это именно те элементы из 51+, норма которых равна 1. Следовательно, элементу мы [c.136]

Бесконечный оператор проектирования 173 Бесчастичное состояние 319 Бикоммутант представления 83 Биполярная теорема 134 Биполярное множество 134 БКШ, модель 43 Бозе-газ 122 [c.415]

И. с. интегрирует в одном кристалле не только множество идентичных приборов, но и приборы, действие к-рых основано на разл. принципах. Налр., И. с. для цифровой обработки данных могут содержать нолевые и биполярные транзисторы, И. с.. для управления различными объектами или анализа сигналов могут объединить электронные, оптоэлектронные, электромеханические, магнитные и др. микроприборы. [c.154]

В программе FIELDAY, основанной на использовании метода конечных элементов, реализуются двух- и трехмерные модели процессов переноса заряда в полупроводнике. В моделях может быть учтен широкий спектр физических эффектов, существенных для биполярных и полевых транзисторов. С помощью метода конечных элементов непрерывное описание процесса переноса заряда в полупроводниковом приборе преобразуется в численную модель на дискретном множестве точек. Для линеаризации дифференциальных уравнений используется два типа алгоритмов так называемые алгоритмы одновременного и последовательного решения уравнений. Результирующие матричные уравнения решаются прямыми методами. Наличие препроцессоров и постпроцессоров позволяет пользователям легко генерировать новые модели и исследовать результаты. Гибкость и точность программы FIliLDAY демонстрируется на характерных примерах. Обсуждаются возможности дальнейшего усовершенствования программы. [c.458]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...