Тиристоры силовые, технические

Тиристоры силовые, технические данные 42—44 Ток [c.283]

Регулирование преобразователей на кремниевых вентилях осуществляется с помощью систем управления, которые могут быть ручными и автоматическими. В общем случае система управления вырабатывает, распределяет, сдвигает во времени или меняет частоту последовательностей импульсов отпирания тиристоров силовых устройств. Средства построения систем управления в значительной степени определяют эффективность преобразователей на кремниевых вентилях. Особенно это стало заметно в последнее время, когда наметился разрыв между возможностями силовых схем и систем управления. Дальнейшее развитие преобразователей невозможно без качественного повышения технического уровня систем управления. [c.22]

Дополнительные технические данные устойчивость к помехам 50-100 Гц уровень радиопомех - Евростандарт уровень шума - отсутствует класс силовых тиристоров - 12 защита от несанкционированного доступа время необслуживаемой работы - 1 год удобство и простота обслуживания система подогрева. [c.154]

Основные параметры и характеристики вентилей регламентируются государственными стандартами и в особых случаях техническими условиями заводов-изготовителей стандарт по диодам — ГОСТ 10662-69. Вентили силовые полупроводниковые кремниевые неуправляемые стандарт по тиристорам — ГОСТ 14069-68. Вентили силовые полупроводниковые кремниевые управляемые — тиристоры. [c.48]

В крановых электроприводах все более широкое применение получают устройства с использованием полупроводниковых элементов. С помощью таких устройств представляется возможным создать принципиально новые системы электроприводов, отличающиеся более высокими качественными показателями, чем электроприводы, выполненные на основе релейно-контакторной аппаратуры. В настоящее время для крановых приводов отечественной промышленностью налажено серийное производство полупроводниковых преобразователей постоянного тока, преобразователей частоты и полупроводниковых регул.чторов напряжения переменного тока. Силовая часть этих преобразователей и регуляторов выполнена на основе применения полупроводниковых диодов и тиристоров. Принципы построения и основные технические данные указанных видов устройств рассмотрены в последующих параграфах данного раздела. [c.94]

Предприняты многочисленные попытки обойти эти затруднения за счет компромисса между принципиально достижимыми показателями и простотой технической реализации идеи заряда постоянным током. К такого рода решениям относятся фазовое управление с регулируемым углом отсечки, следящие системы с отрицательной последовательной обратной связью, ступенча-тое регулирование выходного напряжения первичного генератора переменного тока и т.п. Схемы такого типа требуют либо мощных силовых электронных элементов, либо силовых ключевых элементов типа тиристоров, симисторов или одновременно и тех и других. В результате этого резко усложняются управ-. ляющие и следящие системы, возникает необходимость в высококвалифицированном обслуживании и неизбежное снижение надежности функционирования накопителя в целом по сравнению со схемами, использующими чисто пассивные элементы. [c.16]

Наличие фильтрокомпенсирующих устройств почти в 2 раза увеличивает габариты преобразователя и его вес имеющиеся технические решения на базе широтно-импульсного управления блоками силовых тиристоров позволяют исключить ФКУ или уменьшить его габариты, но при этом усложняется система охлаждения тиристоров и увеличиваются размеры шкафов преобразователя. [c.49]

В перспективе не исключена возможность создания силовых твердых схем, подобных применяющимся в радиоэлектронике, но на существующем уровне техники на этом пути возникают больщие технические трудности. Однако использование достижений интегральной электроники непосредственно в рассматриваемых ТВС возможно. В настоящее время уже созданы системы управления тиристорами в виде единой интегральной схемы [Л. 61], которые можно поместить внутрь монолитной ТВС вместо комплекта дискретных компонентов системы управления это обеспечивает повыщенную надежность при меньшей стоимости ТВС. [c.151]

Силовые Полушро Водникоьые прибары кремниевые вентили, тиристоры, стабилитроны — имеют весьма малый объем рабочего элемента, большие тепловые нагрузки при интенсивном отводе тепла.. Параметры полупроводниковых приборов зависят от тока, напряжения, температуры и скорости их изменения во времени. Поэтому средние номинальные данные полупроводниковых приборов, приводимые в их паспортах и предусмотренные существующим стандартом, включают 1 себя определенный коэффициент запаса по току и напряжению, с тем чтобы возможные в эксплуатации отклонения от номинального режима не приводили к выходу вентиля из строя. Система номинальных параметров имеет то преимущество, что потребитель всегда имеет возможность сравнительно просто проверить соответствие вентиля требованиям технических условий и, не производя сложных расчетов, устанавливать вентили в преобразовательные и другие схемы. Но так как коэффициенты запаса устанавливаются заводом-изготовителем и пе учитывают всего разнообразия условий эксплуатации, то система номинальных параметров может привести к тому, что в одних установках вентили будут недостаточно использованы, в других будут постоянно подвергаться опасности выхода нз строя при аварийных процессах. [c.198]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...