Оболочки сферические — Напряжения и их концентрация около отверстия

Ван Фо Фы Г- А. Распределение напряжений около отверстий в трех-слойных сферических оболочках.— В кн. Концентрация напряжении. Киев Наук, думка, 1971, вып. 3. [c.132]

Гузь А. H., Исследование напряженного состояния сферических оболочек в случае многосвязных областей. Труды симпозиума по концентрации напряжений около отверстий, Киев, 1965, Наукова думка , вып. 1, 111 — 119. [c.546]

Тонкие оболочки двоякой кривизны. Сферическое изображение — окрестность некоторой точки на сфере. Сведения об образе такой оболочки приведены выше [см. (3.28) ]. В табл. 3.3 даны результаты определения мембранного коэффициента концентрации напряжений в оболочке двоякой кривизны, находящейся под нормальным давлением, около кругового и эллиптического отверстий. [c.38]

Формула (IX. 132) при р = Рз = 1 и р = О, рг — 1 (или Pi = 1, Р2 = 0) согласуется с известными решениями задачи о концентрации напряжений около кругового отверстия в сферической [44, 186] и цилиндрической [43, 114, 186] оболочках. [c.302]

В работе А. И. Лурье [5,73] известная задача Кирша для пластины получила обобщение на случай упругой круговой цилиндрической оболочки с малым круговым отверстием, В последующий период интерес к проблеме распределения напряжений у отверстий на поверхности оболочки возрос и к настоящему времени мы имеем несколько сложившихся направлений, развивающих указанную проблему в различных аспектах. В ряде работ были рассмотрены разнообразные задачи о концентрации напряжений около малого отверстия на цилиндрической, а также сферической упругих поверхностях. За последние несколько лет центр тяжести исследований переместился в сторону немалых отверстий появились работы, в которых разыскиваются напряжения в области, прилегающей к немалому отверстию на поверхности оболочки. Исследования этого круга задач у нас в стране ведутся в основном украинской школой механиков по следующим направлениям [c.306]

Л. Б. Именитов [5.61—5.64] определяет концентрацию напряжений около произвольно расположенного кругового отверстия в сферической оболочке с заделанным краем. Напряженное состояние в оболочке расчленяется на безмоментное, чисто моментное и состояние типа простого краевого эффекта. Определяется безмоментное состояние в оболочке. [c.333]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...