Радиус электрона боровски классический

Классический радиус электрона Боровский радиус Постоянная Ридберга [c.170]

Ясно, что среднее значение части с нулевым шпуром ( 1.38а), взятое по-различным вращательным состояниям Л), равно нулю. В жидкости молекула очень быстро переходит из одного состояния X) в другое,, так что наблюдается только среднее по состояниям, поэтому 2 не дает вклада в химический сдвиг, и изменение зеемановской энергии ядра будет равно 0 111. Но. В противоположность этому, в опытах с молекулярными пучками, где число столкновений незначительно, и молекулы нахо-дятся во вполне определенных вращательных состояниях [ Л), наблюдается влияние анизотропной части 2 . Постоянная а а всегда положительна и уменьшает внешнее поле Но на величину а Но, поэтому ее называют постоянной экранирования. Грубую оценку порядка величины Оа можно сделать, если учесть, что е тс = Т о/ (137) — классический радиус электрона, где а — радиус первой боровской орбиты водородного атома. Учитывая, что (О 1/г 0) имеет порядок 1/ао, найдем для Оа значения, лежащие между 10" и 10 . [c.172]

Классический радиус электрона, его комптоиовская длина волны и радиус первой боровской орбиты выражаются равенствами [c.59]

Чнсло Авогадро Атомная единица массы Масса покоя электрона Масса покоя протона Отношение массы протона к массе электрона Постоянная тонюй структуры Классический радиус электрона Комитоновская длина волны электрона Боровский радиус Магнетон Бора Постоянная Ридберга [c.766]

Начнем с характерных длин. Две такие длины — классический радиус электрона и его комптонову длину волны — мы уже ввели. Найдем теперь радиус первой разрешенной в модели Бора орбиты, соответствующей числу п= 1. Обращаясь опять к выписанным в 1.2.4 формулам кеплеровой задачи, найдем, что этот радиус — его принято называть просто боровским радиусом и обозначать ав — равен [c.324]

При повышении концентрации примесных атомов электрон, локализованный вблизи одного из атомов примеси, начнет испытывать воздействие и со стороны других примесных атомов. В результате его энергетический уровень, оставаясь дискретным, несколько сдвйнется по энергии. Величина этого сдвига зависит от расположения других примесных атомов относительно центра локализации она тем больше, чем больше атомов примеси отстоит от центра на расстояние, не превышающее примерно Го (го — так называемый радиус экранирования, в случае слабо легированных полупроводников го>ав, где ав — радиус боровской орбиты в ир исталле см. гл. II, 8). Но распределение примеси в решетке никогда не бывает строго упорядоченным. Всегда имеют место локальные флюктуации концентрации. Поэтому и сдвиг энергии примесного уровня относительно дна свободной зоны Ес оказывается случайным и различным в разных точках образца. Это приводит к тому, что в запрещенной зоне вместо одного дискретного уровня появляется некоторый их набор. Такое явление называется классическим уширением уровней (см. рис. 44, б Ес—АЕ — энергия бывшего уровня примеси). Изложенная ситуация отв1бчает промежуточно легированному полупроводнику. [c.120]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...