Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Потенциал отсечки

Построчное сканирование 318 Потенциал отсечки 27 Потенциометр графический 229 Предсказанные пробные точки 326 Предсказанный пробный интервал  [c.567]

В отличие от стационарных сооружений на судах находят наиболее широкое применение защитные установки с регулированием потенциала вместо управляемых вручную, поскольку требуемый защитный ток колеблется в зависимости от окружающей среды и рабочего состояния судна. Более подробные данные о преобразователях систем катодной защиты имеются в разделе 9. Защитные установки для судов должны быть особо прочными и стойкими против воздействия вибраций. Регулирование осуществляется при помощи магнитных усилителей, установочных трансформаторов с серводвигателем или по методу отсечки фазы с применением тиристоров. В отличие от защитных установок для трубопроводов защитные установки для судов могут иметь очень большую постоянную времени регулирования, поскольку требуемый защитный ток изменяется очень медленно. Защитные установки имеют в своем составе также приборы для измерения тока и потенциала на отдельных анодах с наложением тока и измерительные электроды. На крупных защитных установках ван нейшие параметры, кроме того, записываются.  [c.364]


Система отсечки электрических ячеек работает от заданного в узловой точке потенциала (задана температура, при которой происходит унос материала) или от  [c.391]

Распределение потенциала в электронных пушках со сферическим или точечным катодами исследовалось в литературе [273, 274] и на основе этого можно было бы установить условия эмиссии и отсечки. Однако из-за непропорциональности размеров, включенных в рассмотрение, размеры сетки, используемой в области катода, должны отличаться от их размеров в других областях. Это весьма усложняет процесс итераций, так как в этих условиях трудно обеспечить непрерывность. Остроумный подход к этой проблеме предложен в [275] и состоит в том, чтобы добавить тонкую заряженную проволоку, точечный заряд и заряженный цилиндр к системе, взвешенной таким образом, чтобы удовлетворялись граничные условия.  [c.470]

При вращении ротора импульсного датчика / в его обмотке возникает синусоидальное напряжение, которое подается на вход транзисторного коммутатора и через диод УД4, резистор Я4 — на базу транзистора УТЗ. При достижении максимального потенциала положительной полуволны датчика /, а следовательно, и базы транзистора УТЗ транзистор УТЗ открывается. Ток, протекающий по цепи диод ОД 14 — резистор Я6 — коллекторный эмиттерный переход транзистора У7 5, снижает ток базы транзистора УТ9 практически до нуля, и он запирается, переходя в режим отсечки, что автоматически приводит к запиранию транзисторов УТ2 и УТЗ и переходу их в режиме отсечки. Ток /1 в первичной обмотке W катушки зажигания резко уменьшается и во вторичной обмотке W2 создается высокое напряжение, распределяемое по свечам 6 зажигания ротором распределителя 7.  [c.132]

Миироканальные ПВМС имеют широкие функциональные возможности, Что обусловлено рассмотренными физическими процессами. Учитывая линейный характер электрооптического эффекта и возможность создания управляемого положительного и отрицательного потенциала на пластине кристалла, в этом приборе легко реализуется сложение и вычитание изображений (ср. с титусом , 2.1), инвертирование контраста, отсечка (путем компенсации зарядов) подпорогового уровня. Кр оме того, в ПВМС можно выполнять логические операции И, ИЛИ, НЕ и др.  [c.200]

Ситуация может быть кардинально улучшена, если поместить вблизи катода еще одну диафрагму (электрод Венельта) и подать на нее незначительное отрицательное напряжение Ус по отношению к катоду (рис. 125). Этот контрольный электрод служит двум целям. Во-первых, он изменяет распределение поля таким образом, что создается фокусирующее поле вблизи поверхности катода, где электроны движутся относительно медленно, следовательно, это фокусирующее влияние будет сильнее, чем дефокусирующее от отверстия анода. В результате будет формироваться сходящийся пучок. Во-вторых, меняя напряжение Ус, можно контролировать ток пучка. В самом деле, электроны, покидающие поверхность катода, имеют максвелловское распределение скоростей. В соответствии с уравнением (5.326) наиболее вероятная энергия электронов пропорциональна температуре катода, и при Г=2000 К она приблизительно равна 0,2 эВ. Тогда, если Ус таково (напряжение отсечки), что вблизи оптической оси потенциал на эквипотенциальных поверхностях меньше —0,2 В, доля электронов, проникающих туда, будет очень мала, и ток пучка практически будет нулевым. Если теперь слегка повысить потенциал на контрольном электроде, то все больше электронов будет проходить через область его влияния, и ток пучка резко возрастет вместе с радиальным расширением той части поверхности катода, на которой электроны могут его покинуть.  [c.467]


Во время эксплуатации электрооборудования необходимо следить за сохранением величины запирающего потенциала узла токовой отсечки ДIУэart Для этого плечи узла должны быть равными независимо от направления вращения элекгродвигателей.  [c.213]

При нормальной работе схеьш , когда ток нагрузки не превышает поминальной величины, транзистор Т4 за-крыт, так как потенциал базы, равный разности падений напряжений па резисторах Я и Я8, будет положительным. При ЭТОМ тиристор Д1 закрыт и реле Я1 находится в обесточенном состоянии. При увеличении тока нагрузки стабилизатора выше номинального возрастет падение напряжения на резисторе что приведет к изменению потенциала базы транзистора Т4, и он откроется. При этом откроется тиристор Д/, реле Р1 сработает и своими нормально открытыми контактами соединит базу транзистора Т2 схемы составного транзистора с положительной шннон стабилизатора. Регулирующий элемент закроется. Выходное напряжение скачкообразно уменьшится. Уровень срабатывания схемы защиты регулируется переменным резистором Я8. Так как создать режим отсечки, соединяя базу с эмиттером, невозможно, то на нагрузке напряжение ие уменьшится до нуля, а будет составлять величину порядка 1 В  [c.73]

Для полного закрытия регулирующего транзистора иа сердечнике дросселя размещают дополинтельиую обмотку 3—4, напряжение которой через ограничительный резистор Н2 н цнод Д/ прикладывается к переходу эммттер-база транзистора Т2. Полярность приложенного напряжения выбирается так, что в закрытом состоянии к базе регулирующего транзистора подводится положительный потенциал Режим отсечки ул>чшает фронт импульса при закрытии регулирующего транзистора, уменьшает мощность потерь и повышает КПД стабилизатора.  [c.116]

Помимо калиброванного аттенюатора, импульсные дефектоскопы имеют другие регуляторы чувствительности. К ним относят регуляторы амплитуды зондирующего импульса, ВРЧ и отсечки, а также некалиброванный регулятор чувствительности усилителя. Регулятор отсечки изменяет потенциал порогового уровня отпирания детектора. Благодаря этому отсекаются все импульсы, амплитуда которых меньше выбранного значения. Применение отсечки искажает реальное соотношение амплитуд проде-тектированных сигналов и сужает динамический диапазон усилителя прибора. В связи с этим разработана система так называемой компенсированной отсечки, которая обеспечивает восстановление амплитуды отсеченного сигнала до первоначального значения. Очевидно, что подобная схема позволяет оценить амплитуды отраженных сигналов по экрану электронно-лучевого индикатора даже при включении отсечки.  [c.43]

Выходное сопротивление в пентодном режиме очень велико это свидетельствует о том, что оба транзистора ведут себя как ддинноканальные. Причиной этого является сильное легирование канала. Длинноканальное поведение сказывается также и в распределении потенциала на рис. 15.42 для обоих транзисторов в подпороговом режиме (i/зJ4 =0,5 В, = 5 В). Поверхностный потенциал вдоль канала постоянен вплоть до области отсечки канала. Это типично подпороговый режим для ддинноканальных приборов. Область отсечки канала расширяется относительно стока, причем это расширение больше сказывается на глубине, чем у поверхности, поскольку уровень легирования уменьшается с удалением от поверхности. В р-МОП-  [c.442]

Схема состоит из микрофонного устройства, снабженного диодным детектором. Лампа работает в статическом режиме, как усилитель Постоянного тока. В процессе затухания звуковой энергии в помещении положительный потенциал на сетке лампы падает до нуля соответственно падает и ток в анодной цепи этой лампы для каждой лампы анодный ток разветвляется между прибором и сопротивлением данной лампы Ra. Такой же процесс будет иметь место в другой лампе под действием электрического разряда конденсатора С через сопротивление / , включенное на сетку этой лампы. При полном тождестве двух процессов и при равенстве начальных амплитуд на сопротивлениях и спадание анодных токов двух ламп будет происходить вполне тождественно. Так как лампы включены пушпулыю и токи двух ламп идут через гальванометр навстречу друг другу, то стрелка последнего будет оставаться на нуле, ели процессы под .браны и одинаковы. Для подбора начальных амплитуд служат потенциол1етры и /7д. Ключ п действует таким образом, что одновременно при включении заряжается конденсатор от батареи и начинает звучать громкоговоритель (акустически заряжается помещение). Вырубая ключ п, делаем отсечку звука и разряжаем конденсатор С. По тому, как ведет себя стрелка гальванометра после отсечки звука, можно судить о правильности (экспоненциальности) или неравномерности процесса затухания в помещении. Если процесс неровен, стрелка даст односторонние или даже разносторонние выбросы. Шкала гальванометра должна быть двусторонней с нулем посредине.  [c.193]



Смотреть страницы где упоминается термин Потенциал отсечки : [c.336]    [c.226]    [c.27]    [c.272]    [c.72]    [c.101]    [c.410]    [c.381]   
Основы интерактивной машинной графики (1976) -- [ c.27 ]



ПОИСК





© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте