Стекла оксидные халькогенидные

Пленки большинства халькогенидных стеклообразных полупроводников имеют хорошую адгезию к оксидному стеклу и слюде. [c.139]

В качестве конденсаторных диэлектриков перспективны также такие материалы, как халькогенидные и оксидные стекла, фтористый кальций и фтористый церий. [c.162]

Из перечисленных материалов оксидные и халькогенидные стекла, окись кремния, фтористые кальций и церий осаждаются испарением из тигля. [c.162]

Электропроводящее стекло (полупроводниковое)—стекло, обладающее свойствами полупроводников благодаря включению в состав элементов или окислов, придающих стеклу электропроводность. Различают халькогенидные стекла, в состав которых входят в различных сочетаниях сплавы сульфидов, селснпдов и теллуридов, а также мыгпьяка, висмута и другие элементы, и оксидные ванадиевые стекла на основе окислов ванадия и фосфора с добавками других окислов. Они находят широкое ирименение в качестве термисторов, светофильтров и фотосопротивлений. [c.407]

Если с теоретической точки зрения проще вс го такие стеклообразные объекты, как полупроводящие халькогенидные стекла, то практически наибольший интерес представляют оксидные стекла и особенно силикаты благодаря их стабильности, прозрачности и пластичности. Ползучесть — это явление, которое но ит совершенно общий характер, и ее можно наблюдать макроскопически в, оконных стеклах, сохранявшихся в течение сотен лет. Мне кажется, что иол , зучесть можно было бы объяснить деформацией и дадсляцией доменов. [c.177]

Способность кристаллизоваться у халькогенидных стекол значительно выше, чем у оксидных, однако она меняется в зависимости от их состава. Наименее склонны к кристаллизации АззЗз и АэзЗвз- По своим электрическим свойствам халькогенидные стекла относятся к типичным электронным полупроводникам с дырочным механизмом проводимости. Их электропроводность в зависимости от состава может меняться в широких пределах — от 10 до 10 ом слГ . [c.207]

Большую роль в технике играют и аморфные полупроводники, как простые, так и сложные. Это прежде всего аморфный кремний, а также халькогенидные и оксидные стекла различного состава. Преимущества аморфных полупроводников основаны в первую очередь на отсутствии дефектов кристаллического строения и невоз-мйжности их влияния на электрофизические свойства. [c.647]

Способ гоинить отличается высокой технологи(ческой гибкостью и мобильностью, в частности, он применим для формирования жилы (при необходимости и/или оптической оболочки) с заданной обобщенной степенью когерентности микроструктуры ВС, в том числе как из элементарных одноатомных стекол, так и из сложных композиций смешанных стекол, т. е. из всех типов современных неорганических стекол элементарных одноатомных оксидных галогенид-ных халькогенидных и смешанных [5, с. 40 58]. В общем случае, чем меньше разнородных химических элементов используется для формирования ВС, например его жилы, тем с более высокой степенью возможна глубокая очистка исходной шихты [12, 36]. Возможность формирования ВС с жилой из элементарного одноатомного стекла — еще одно достоинство способа гоинити [83]. [c.78]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...