Аддитивное окрашивание кристалло

В щелочных галогенидах избыток металла можно ввести путем, аддитивного окрашивания или электролиза. При аддитивном окрашивании кристалл нагревают в парах металла. Электролитическое окрашивание производят за счет ионов, движущихся в поле - 100 В/см при температуре примерно несколько сот градусов Цельсия. В этом случае анионы галогена, нейтрализуясь на положительном электроде, удаляются в виде газа. [c.19]

Аддитивное окрашивание кристаллов 19 [c.361]

Центры окраски в ионных кристаллах. Центры окраски можно создать в бесцветных кристаллах щелочных галогенидов, это сопровождается изменением цвета. Аддитивное окрашивание происходит при отжиге кристаллов в парах соответствующего щелочного металла при температурах, близких к точке плавления. При этом в кристалл проникают электроны. Компенсация избытка отрицательных зарядов происходит благодаря выделению анионов из решетки путем диффузии вакансий. Одним из вариантов аддитивного окрашивания ЯЕ ляется электролитическое окрашивание. Оно состоит в электролизе кристалла при температуре на несколько сот градусов ниже точки плавления. Введение электронов связано с выделением атомов щелочного металла. [c.210]

Новые полосы обнаруживаются при определенных условиях опыта как в фотохимически окрашенных, так и в кристаллах, окрашенных аддитивно в парах щелочных металлов. Следовательно, а-и р-полосы не могут быть приписаны V-центрам, которые не возникают в результате аддитивного окрашивания кристалла. [c.39]

Микроскопическая картина, наблюдаемая в кристаллах рубина в темном поле, весьма похожа на ту, которая получается при фотохимическом выделении коллоидных частиц серебра вдоль дислокационных линий в кристаллах галоидно-серебряных солей [100, 101], при аддитивном окрашивании кристаллов хлористого натрия коллоидными частицами металлического натрия [103] и при выделении примесей a lj и Ba lj в кристаллах Na l [104]. Сходство этих картин привело к предположению, что при термообработке на неоднородностях кристаллов рубина могут выпадать частицы хрома. [c.178]

Механизм образования У-центров при аддитивном окрашивании щелочно-галоидных кристаллов в парах галоида предложен Л. М. Шамовским [84]. [c.33]

Так, в спектре поглощения фосфора КС1—Ag возникают под действием рентгеновых лучей две группы полос (рис. 65 и 66), несомненно обусловленных активатором, так как в чистых кристаллах КС1 они совершенно отсутствуют. Первая группа состоит из трех максимумов 222, 235 и 260 т л, причем в отличие от других полос они возникают только под действием жесткого излучения и не образуются, например, при аддитивном окрашивании фосфора. Это обстоятельство, а также сопоставление спектров поглощения ионов серебра в газообразном и гидратированном состояниях со спектрами щелочно-галоидных фосфоров с серебром до и после их рентгенизации (табл. 22) позволяет заключить, что упомянутая группа полос обусловлена поглощением ионов серебра, уровни которых испытали некоторое смещение в результате облучения фосфора рентгеновыми лучами. Подобное смещение может [c.166]

Процессы аддитивного окрашивания, неустойчивость F-центров, как и зависимость их концентрации от концентрации активатора, Шамовский и Родионова объясняют при помощи зонной схемы гетерогенной системы КС1—Ag l (рис 68), согласно которой нижняя граница зоны проводимости для Ag l расположена ниже локальных уровней F-центров. Поэтому последние при миграции в кристалле отдают свои электроны более глубоким уровням локализации на пленке. При малой концентрации активатора пленка не может обслуживать весь кристалл. Она получается с разрывами и малой густотой сетки. В этом случае наряду с захватом части электронов пленкой в кристалле образуются также /"-центры. С увеличением концентрации активатора межкристаллические пленки становятся более сплошными, вследствие чего устойчивость F-центров падает и их концентрация уменьшается. [c.172]

Наконец, как утверждают Этцель и Шульман, Л -полоса не образуется при аддитивном способе окрашивания кристалла. [c.174]

Последний факт может показаться наиболее убедительным подтверждением гипотезы о дырочной природе Л -центров, так как при аддитивном окрашивании фосфора положительных дырок, естественно, не образуется. Но, как известно и в чистых аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах М-центры, являющиеся аналогами Л -центров, также не появляются либо образуются в незначительных концентрациях [57, 59, 60]. Кроме того, из приведенных в статье Этцеля и Шульмана кривых поглощения аддитивно окрашенных КС1 — Ag вовсе не следует, что Л -центры совсем не образуются при этом способе окрашивания. Дело в том, что А-полоса является в аддитивно окрашенных фосфорах КС1—Ag весьма интенсивной и в ее максимуме коэффициент поглощения достигает значения порядка 70 см . Интенсивность же Л -полосы относительно мала, но это различие чисто количественное. Кривые рис. 6, полученные Этцелем и Шульманом для аддитивно окрашенных фосфоров, мало отличаются от кривых рис. 7 той же работы, полученных на фосфорах, которые были окрашены рентгеновыми лучами. [c.174]

Иного мнения относительно природы К-полосы в фосфорах КС1—Ag придерживается Н. Г. Политов [293], полагающий, что она обусловлена частицами щелочного металла, образующимися вдоль дислокационных линий в процессе аддитивного окрашивания фосфора, и подобна аналогичной полосе, наблюдающейся в спектре чистого кристалла хлористого калия. [c.176]

Изменения, возникающие при этом в основных активаторных полосах поглощения, не были изучены. Между тем их изучение чрезвычайно важно для выяснения биографии новых центров, вш-никающих при аддитивном окрашивании и под действием рентгеновых лучей. При аддитивном окрашивании электролитическим способом не всегда удается получить атомарное распределение серебра в чистом виде. Например, в кристаллах Na l и NaBr даже [c.207]

Аналогичные явления наблюдаются в щелочно-галоидных фосфорах, активированных никелем. В частности, если выращенные из расплава щелочно-галоидные кристаллы с никелем, в которых, как известно, никакого свечения не обнаруживается, подвергнуть аддитивной окраске, то появляется характерная для атомарных центров оранжево-красная флуоресценция [282]. Таким образом, и в этих фосфорах атомарные центры одинаково возникают как при аддитивном окрашивании, так и под действием рентгеновых лучей вследствие захвата ионами активирующей примеси добавоч- wx электронов. [c.208]

Приведенные в предыдущей главе данные об изменениях, возникающих в спектрах поглощения и люминесценции при фотохимическом и аддитивном окрашивании щелочно-галоидных фосфоров, убедительно показывают, что введенная в кристалл активирующая примесь помимо ее основной функции в создании центров свечения проявляется также в роли электронных центров захвата. Дополнительные сведения об этой второй не менее существенной роли активирующей примеси могут быть получены путем изучения термического высвечивания и спектрального распределения стимулирующего действия света на свечение кристал-лофосфора. Подобные измерения, проводившиеся автором и рядом других исследователей, позволяют выяснить роль тепловых микродефектов в образовании центров захвата, а также их взаимодействие с введенной в кристалл активирующей примесью. [c.209]

Действительно, Л. М. Шамовский и Ю. Н. Жванко [334] показали, что при аддитивном окрашивании фосфора KI—Т1 в парах иода, т. е. при образовании в кристалле V-центров аддитивным способом, активаторная полоса остается неизменной по интенсивности, форме и положению в спектре. [c.241]

Таким образом, под действием ультрафиолетового излучения образуются атомы металла. Кристаллы бромистого калия окрашиваются в синий, хлористого калия — в фиолетовый, хлористого натрия — в желто-коричневый цвет. Такое окрашивание фотохимическим путем называют субтрактивным. Вывод о том, что окрашивание кристаллов под действием излучения происходит в результате образования атомов металла, подтверждается аналогичным явлением, которое можно наблюдать при осаждении на кристалл галогеношелочной соли паров металла (аддитивное окрашивание). [c.72]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...