Проводимость собственная, дырочная, электронная примесная

Проводимость собственная, дырочная, электронная, примесная 213 Программа 155, 167, 171 Программирование 143 [c.449]

Атомы — акцепторы легко присоединяют к себе добавочный электрон. Если эти электроны поступают из валентной зоны, то в ней образуются дырки, обусловливающие примесную дырочную проводимость. И в том, и в другом случае примесная проводимость, как правило, во много раз превосходит собственную проводимость. За дальнейшими подробностями относительно свойств полупроводников с примесями мы отсылаем читателя к специальной литературе [12, 14]. [c.287]

В кристаллах с ковалентной связью проводимость электрического тока может осуществляться как путем перемещения электронов (электронная, или п-проводимость), так и путем перемещения дырок (дырочная, или р-проводимость). Вследствие большой подвижности электронов в идеальных кристаллах химически чистого полупроводника электронная проводимость превалирует. В реальных кристаллах химически чистых германия и кремния может превалировать дырочная проводимость из-за неизбежных дефектов в упаковке атомов (дислокации вакансии границы зерен, блоков и т.д.). Проводимость в химически чистом полупроводнике называется собственной проводимостью. Однако получить химически чистые элементы весьма сложно. Вследствие этого полупроводники всегда содержат примеси, которые изменяют характер и значение проводимости. Электрическая проводимость, обусловленная присутствием примесей в полупроводнике, называется примесной. [c.587]

Полупроводники. Собственная и примесная электропроводность. Электронная и дырочная проводимость. [c.319]

При комнатной температуре в полупроводниках имеет место преимущественно примесная проводимость (электронная или дырочная). С повышением температуры общая проводимость полупроводников возрастает. В области высоких температур преобладает собственная проводимость, при которой имеют место оба типа проводимостей электронная и дырочная. Типичная кривая, показывающая зависимость проводимости полупроводников от температуры, приведена на рис. 74. С понижением температуры у полупроводниковых материалов сопротивление увеличивается. [c.261]

При комнатной температуре в полупроводниках наблюдается преимущественно примесная проводимость (электронная или дырочная). С повышением температуры общая проводимость полупроводников возрастает. В области высоких температур преобладает собственная проводимость, при которой может быть и электронная и дырочная проводимость. [c.308]

В полупроводниках носителями заряда, обусловливающими электрическую проводимость, являются дырки-проводимости и электроны. Полу проводник, не содержащий примесей влияющих на его электропровод1 ость называется собсгвенным полупроводии ком. Электропроводимость собствен-ио полупроводника в равновесном состоянии обусловлена как дырками проводимости, так и электронами проводимости, причем их концентрации равны. Полупроводник, электропроводность которого определяется примесями, называется примесным полупроводником. Полупроводник, электрическая проводимость которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости, будет дырочным нолу проводником. У электронного полупроводника проводимость обусловлена в основном электронами прО водимостн. [c.568]

Акцепторные уровни расположены выше потолка валентной зоны, и при наличии энергии активации АЕд электроны л-гз валентной зоны могут переходить на указанные уровни, -оставляя в зоне незанятые энергетические уровни — дырки. Этот переход сопровождается превращением акцепторов в отрицательно заряженные ионы, которые также не участвуют н электропроводности. Такой полупроводник называют примесным полупроводником р-типа (для него характерна дырочная проводимость). Таким образом, в противоположйость собственной проводимости примесная проводимость осуществляется носителями заряда только одного знака — электронами, которые поставляются донорами в свободную зону, нли дырками путем захвата электронов из валентной зоны акцепторами. [c.92]

В наст оящее время промышленные методы очистки позволяют получать монокристаллы германия с удельным электрическим сопротивлением, близким к собственному, а монокристаллы кремния — с удельным электрическим сопротивлением, равным 3000— 5000 Ом См. Высокоомный кремний, как правило, имеет дырочный тип проводимости из-за неконтролируемого содержания в нем бора. В электронной технике обычно используются примесные полупроводники, удельное электрическое сопротивление которых лежит в широких пределах (0,1—10 ОмХ Хсм). [c.401]

Для кремния донорными примесями обычно служат элементы V группы периодической системы — фосфор (Р) или сурьма (Sb). Атом донорной примеси образует ковалентную связь с четырьмя соседними атомами кремния посредством четырех валентных электронов пятый л<е валентный электрон становится свободным носителем заряда. Количество свободных электронов оказывается равным сумме атомов донорной примеси и собственных электронов. Так как электропроводность в рассмотренном случае будет в основном определяться электронами, то их называют основными носителями заряда в противовес дыркам, называемым в этом случае неосновными носителями. Такой примесный кремний называют электронным или кремнием /г-типа (от латинского negative — отрицательный) говорят также, что такой кремний обладает электронным видом электропроводности. Акцепторными примесями обычно служат элементы III группы периодической системы — алюминий (А1), бор (В), галий (Ga). Атому акцепторной примеси для образования ковалентной связи с четырьмя соседними атомами кремния в дополнение к трем валентным электронам необходим четвертый. Этот электрон отбирается у одного из соседних атомов — возникает ион кремния, т. е. образуется дырка. В этом случае дырки как примесные , так и собственные называют основными носителями, а электроны — неосновными. Такой примесный кремний называют дырочным или /7-типа (от латинского positive—положительный) говорят также, что такой кремний обладает дырочной проводимостью. [c.46]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...