ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Бинарные соединения из "Лазеры на гетероструктурах " Элементарная ячейка ОаАз, кристаллизующегося в структуре цинковой обманки. Показан период решетки а. Шесть граней к/ба —шесть эквивалентных плоскостей 100). [c.12] ЭТО одна ИЗ четырех плоскостей ПО , которые являются в соединениях А В плоскостями естественного скола. Треугольный разрез, сделанный через атомы As элементарной ячейки, представляет одну из восьми плоскостей 111 кристалла. Совокупность эквивалентных плоскостей 100 и 111 может быть проведена и через атомы Ga, если использовать эквивалентную элементарную ячейку, в которой по углам куба расположены атомы Ga. Для обозначения ориентации часто используются направления в кристалле. Для кристаллов типа цинковой обманки кристаллографические направления перпендикулярны кристаллографическим плоскостям и в общем случае пишутся в угловых скобках У Так, на рис. 5.2.1 стрелка указы вает Определенное направление [ПО], а общее обозначение всей совокупности этих направлений — И0 . [c.13] Данное в табл. 5.2.2 значение включает в себя энергию связи экситона, равную 0,010 эВ. [c.14] В литературе имеются многочисленные данные по свойствам бинарных соединений А В . Полезное обобщение этих данных, даяо Нойбергером [11]. В табл. 5.2.3 приведены только свойства, используемые при рассмотрении лазеров на гетероструктурах. [c.15] Вернуться к основной статье