Основные характеристики светодиодов

ПРИЛОЖЕНИЕ 18 Основные характеристики светодиодов [c.235]

Таблица 9.1. Основные характеристики светодиодов, конструкция которых показана на рис. 9.17

Прямая модуляция является простейшим видом модуляции и часто может быть весьма эффективной. Основная трудность при ее реализации связана с необходимостью обеспечения весьма высокой степени линейности модуляционной характеристики при использовании в качестве источников излучения лазеров и светодиодов. Второй способ модуляции свободен от этого недостатка и позволяет использовать эти источники излучения без специальных мер линеаризации их модуляционных характеристик. Он применяется, например, в кабельном телевидении, где весьма существенно обеспечить малый уровень нелинейных и перекрестных искажений. При этом возможно использование стандарта частотной модуляции, который обычно применяется в электрических кабельных системах телевидения. Подробнее этот вопрос будет рассмотрен в гл. 17. И, наконец, третий, цифровой способ модуляции господствует в волоконно-оптических линиях связи, используемых в обычной телефонной сети, главным образом, на участках с высокой информационной пропускной способностью, а также во всех линиях передачи данных. [c.347]

Возможность работы прибора с такой высокой чувствительностью в широком диапазоне концентраций предъявляет жесткие требования к выбору методики измерений и построению оптико-электронной схемы прибора. Для обеспечения высококачественного анализа содержания природного газа в атмосфере необходимо провести учет основных помех, сопутствующих процессу измерений поглощения излучения парами воды, флуктуации интенсивности излучения светодиода, зависимости параметров излучателя и приемника от температуры и нелинейности свето-сигнальной характеристики приемника. [c.178]

Основные технические характеристики приборов с индикацией результатов измерений на стрелочный индикатор (I) и на. светодиод (II) приведены ниже [c.49]

НОЙ гетероструктуры InGaAsP/InP с различным составом активного слоя, что позволит перекрыть диапазон 1,05. ..1.,6 мкм. Источники излучения, типа схематически показанного на рис. 9.17, о, имеют спектральные характеристики, приведенные на рис. 8.5. Поскольку подложка из InP прозрачна для излучения светодиода, имеется возможность изготовить методом травления монолитную микролинзу. При этом диаметр контакта составляет 40 мкм, а толщина активного слоя 1,5 мкм. Основные характеристики при токе смещения 100 мА (80 А/мм ) представлены в табл. 9.1. Выходная мощность на длине волны 1,5 мкм нелинейно зависит от тока, как это заметно на рис. 9.17, б. Причины этого могут быть следующие рекомбинационный безызлучательный процесс (см. рис. 8.1) инверсия населенностей (см. 10.1) утечка тока через потенциальный барьер аномальные тепловые эффекты. Проблемы такого типа будут разрешаться по мере совершенствования технологии изготовления приборов, работающих на длинных волнах. Это относится и к наблюдаемой температурной зависимости выходной мощности при постоянном токе питания. Она аппроксимируется соотношением вида [c.259]

Описаны природа и закономерности образования дефектов в эпитаксиальных слоях полупроводников. Обобщены и проанализированы данные о влиянии структурных несовершенств (различие периодов решетки, наличие градиента состава и наследование дефектов из подложки и др.) на морфологические особенности композиций на основе многокомпонентных твердых растворов соединений Рассмотрены. основные механизмы и источники образования дислокаций при эпитаксии. Впервые рассмотрены вопросы стехиометрии при жидко- и газофазной эпитаксии. Особое внимание уделено влиянию электрически активных дефектов на характеристики ин-жекционных лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов. [c.54]

Основной недостаток узла состоит в изменении яркости свечения светодиодов в за виси 10сти от уровня входного сигнала Это следствие особенности переключательной характеристики инверторов [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...