Особенности дифракции в дальней зоне

На простом примере отверстия в плоском экране и нормального падения плоской или сферической волны демонстрируются методы высокочастотной теории дифракции, изложенные выше. В поле выделяются зоны с различным характером дифракции. Есть зоны, где поле лучевое, например, в той части освещенного через отверстие пространства, в которой выполняется условие применимости геометрической оптики. Другими свойствами обладают поля в полутеневых зонах между освещенной областью и глубокой тенью, а также промежуточная область между освещенной лучевой зоной и дальним полем. В этих частях пространства отличительной особенностью поля является наличие заметных градиентов по мере распространения они сглаживаются. Наконец, есть область, где поле представляет собой в некотором масштабе фурье-сопряженную от исходного поля. К таким полям относится поле в фокальной плоскости сходящейся волны, а также в дальней зоне (при падении почти пло- [c.247]

Особенности дифракции в дальней зоне [c.136]

Свойство ортогональности мод свободного пространства дает возможность использовать для расчета поля дифракции иной подход, осповаппый па разложении поля пучка, претерпевающего дифракцию, по модам свободного пространства. Оно во многих случаях оказывается более простым и позволяет на основе одного алгоритма рассчитывать поля в ближней и дальней зонах дифракции. Этот метод особенно эффективен в случае слабого дифрагирования лазерных пучков. Плавный профиль изменения амплитуды лазерного пучка в плоскости апертурного разложения позволяет исключить в разложении моды со слишком высокими индексами, что сокращает время расчета и повышает его точность. [c.65]

Метод выделения /ам из общей кривой интенсивности путем проведения плавной кривой позволяет заключить, что чаще всего эта величина, а значит и Рам, завышается, и, следовательно, процент кристаллической составляющей Ркр занижается [17]. Действительно, в плавную кривую /ам легко вобрать слабые, сливающиеся между собой и с фоном, рефлексы кристаллической фазы, особенно при больших углах рассеяния. Ввиду близости характера упаковки молекул в кристаллической и аморфной фазе наиболее сильные рефлексы первой обычно располагаются, как мы уже упоминали, там же, где и диффузные ореолы второй. Поэтому трудно отделить широкую подошву кристаллических линий от ореола, и часть этой подошвы может также быть отнесена к /ам. Далее, несовершенства кристаллической фазы и особенно искажения первого рода в ней — типа застывшего теплового движения, а также истинное тепловое движение дают фон (1 — который также нельзя отделить от рассеяния аморфной фазой. Нужно еще учесть фон, даваемый одномерной дифракцией, учесть, наконец, что переходные зоны между кристаллической и аморфной фазой, обладающие паракристаллическим строением, дают очень широкие дальние рефлексы, которые также невозможно выделить из /ам- Таким образом, мы видим, что выделение /кр только в виде резких пиков недостаточно, часть рассеяния кристаллической фазой приходится и на плавный фон, который обычно ассоциируют только с рассеянием аморфной фазой. Таким образом, определение Ркр но интенсивности резких пиков дает, вообще говоря, лишь нижний предел этой величины, а Рам но плавному фону — завышенную величину. Можно думать, что это завышение составляет не менее десяти процентов. [c.344]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...