Движение электрона в кристалле при наличии магнитного поля

ДВИЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНА В КРИСТАЛЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ [c.161]

Сопротивление кристалла при наличии внешнего однородного постоянного магнитного поля называется магнитосопротивлением. При исследовании магнитосопротивления можно выделить два э екта а) непрерывное изменение сопротивления при изменении магнитного поля б) осциллирующее изменение сопротивления. Первый эффект может быть объяснен на квазиклассическом языке как следствие спирального движения электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях. Для объяснения второго эффекта надо привлекать представления о квантовании движения. [c.192]

Движение, обусловленное силой Лоренца, время от времени прерывается столкновениями. Среднее время между столкновениями т определяется наличием химических и физических неоднородностей кристалла, взаимодействием (зависящим от температуры) с фононами и остаточным взаимодействием между квазичастицами — электронами, неучтенным в среднем поле кристалла. В малых и средних магнитных полях время между столкновениями т (время релаксации или время свободного пробега) значительно меньше периода обращения электрона по замкнутым орбитам, т. е. [c.193]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...