Точечные дефекты дивакансии

Первые три стадии возврата, несомненно, связаны с движением и уменьшением концентрации точечных дефектов. Но более точно и однозначно связать каждую стадию с точечными дефектами определенного типа (вакансии, межузельные атомы, дивакансии, комплексы [c.302]

Для многих металлов (железа, никеля, меди, серебра, золота, магния и титана), подвергнутых деформации при низких температурах, наблюдался ряд пиков внутреннего трения релаксационного типа, исчезающих при отжиге при комнатной температуре., Исчезновение двух основных пиков происходило в несколько стадий, которые количественно коррелируют со стадиями возврата электросопротивления. Это привело к выводу о том, что затухание, вероятно, обусловлено движением в поле напряжений двойных вакансий и других сложных образований из точечных дефектов. Энергия активации, характеризующая смещение частоты одного из пиков в меди при изменении температуры, приблизительно равна 8-10 2° дж ( 0,5 эв), что согласуется с энергией активации диффузии дивакансий. [c.69]

Энергия активации процесса отжига, наблюдающаяся на стадии Р-1, будет зависеть от двух важных факторов концентрации точечных дефектов (вакансий, дивакансий и т. д,) и плотности центров конденсации. Рассмотрим качественно три случая. [c.152]

Важным является вопрос о возможности существования кратных точечных дефектов (комплексов), например дивакансий, три-вакансик, тетравакансий и т. д. Простой анализ показывает, что малые скопления дефектов могут быть устойчивее одиночных. Так, если один атом переносится из узла на поверхность, то энергия образования такого дефекта (приходящаяся на атом) может быть получена умножением энергии одной связи со на половину разности числа связей в начальном и конечном состояниях. Так, в ГЦК металле атом, находящийся внутри кристалла, имеет 12 соседей (связей), а на поверхности — в среднем 6. Тогда для энергии образования, приходящейся на одну вакансию, можно получить [c.232]

Локальные давления в кристаллической решетке возникают также в окрестности точечных дефектов — вакансий и примесных атомов. Связанная с вакансиями избыточная энергия решетки не превосходит 1 эВ на одну вакансию, т. е. почти на порядок меньше, чем для единичной Дислокации. Хотя суммарная энергия кристалла, связанная с вакансиями, может достигать существенной величины, эффект их влияния на растворение ничтожно мал. Действительно, подстановка этого значения энергии моновакансии в уравнения, аналогичные (111), дает совершенно ничтожную величину эффекта, а образование дивакансий, тривакан-сий и т. д. ничего не меняет, поскольку в отличие от плоских скоплений дислокаций энергия каждой кооперированной вакансии меньше, чем изолированной. Во всяком случае эффект не может превосходить величины, соответствующей равномерно распределенным в объеме дислокациям. [c.114]

Типы и концентрация устойчивых Р. д. определяются как условиями облучения, так и свойствами самих твёрдых тел. При этом для лёгких частиц и фотонов не слишком высоких анергий наиб, характерно образование устойчивых точечных дефектов (изолиров. вакансии или междоузельные атомы, дивакансии, комплексы компонентов пары Френкеля с примесными атомами и т. п.). При облучении нейтронами устойчивый кластер представляет собой дпваканспонное ядро, окружённое примесно-дефектными комплексами. При ионной бомбардировке плотность точечных дефектов в кластере больше, чем при нейтронной, и она тем выше, чем больше масса иона. При этом важную роль в формировании устойчивых кластеров играет процесс пространственного разделения вакансий п междоузельных атомов, предшествующий стадии квазихим. реакций. В силу этого устойчивые кластеры, возникающие при ионной бомбардировке, имеют более сложную структуру II состоят из вакансионных комплексов с разл. числом вакансий, примесно-дефектных комплексов, а также атомов внедрённой примеси. При облучении кристаллов тяжёлыми ионами устойчивые кластеры представляют собой локальные аморфные области. [c.204]

ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ (нульмерные дефекты) — нарушения идеальной кристаллич. решётки, ограниченные одним или неск. узлами. Т.д. являются вакансии, дивакан-сии, межузельные атомы, а также комплексы примесных атомов с вакансиями, дивакансиями и межузельными атомами. Т.д. могут быть собственными и примеспыми. Упругое поле, созданное Т.д., может быть значительным в пределах области, охватывающей несколько постоянных решётки а, а кулоновское—несколько десятков постоянных а. [c.150]

Перечисление примесных дефектов в полупроводниках не будет полным, если не упомянуть о возможности комплексообразования. В разделе, посвященном собственным точечным дефектам, уже упоминалось о простых комплексах (это дефекты Френкеля, дивакансии и т.д.). Подобные комплексы могут образовываться и примесными атомами. Так, в GaAs и GaSb, легированных литием (см. выще), образуются комплексы вакансий с междоузельными атомами лития [Ы+У г], ведущие себя в процессах рассеяния носителей заряда иначе, чем дефекты Li+ и При значительных концентрациях Li в GaAs возникают комплексы типа [Li LIq ], которые ведут себя как однократно заряженные акцепторы. При сильном легировании арсенида галлия Se или Те могут образовываться комплексы или преципитаты, которые влияют на квантовый выход излучения и характер люминесценции. На электрические свойства кремния значительное влияние оказывает комплексообразование между междоузельным примесным кислородом и атомами основного вещества (см. выще). Образование комплексов из простых доноров, приводящих к появлению глубоких уровней в запрещенной зоне, проявляется в появлении сильных избыточных токов в туннельных диодах из Ge при их легировании фосфором или сурьмой. [c.137]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...