Усилитель мощности на полевых

Таким образом, в двухтактных усилителях мощности на мощных полевых транзисторах большая часть гармонических искажений второго и последующих четных порядков может быть устранена с помощью тщательного балансирования и для данного низкого уровня искажений требуется меньшая отрицательная обратная связь, чем при использовании биполярных транзисторов. Другими словами, собственные искажения у усилителя мощности на полевых транзисторах без обратной связи ниже, чем у усилителя на биполярных транзисторах при прочих одинаковых условиях. Меньшая отрицательная обратная связь приводит к улучшению стабильности в расширенной полосе частот, что, в свою очередь, вызывает улучшение переходной характеристики и уменьшение переходных интермодуляционных искажений. [c.148]

КОНСТРУКЦИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ [c.148]

Рис. 4.23. Гармонические искажения относительно выходной мощности в лабораторном образце усилителя мощности на полевых транзисторах

Рис. 4.25. Гармонические искажения лабораторного образца усилителя мощности на полевых транзисторах

Рис. 4.24. Полоса мощности лабораторного образца усилителя на полевых

Продажа усилителей мощности на полевых транзисторах фирмы Ямаха , так же как и усилителей других изготовителей (в том числе фирм ЛУС, Пайонир , Тосиба ), будет означать появление аппаратуры третьего поколения — от триодов через тетроды к биполярным и полевым транзисторам, которые напоминают триодные лампы, но имеют большие мощность, эффективность и не требуют выходного трансформатора. [c.151]

Усилитель мощности на полевых транзисторах фирмы Ямаха 148— 151 [c.384]

Чувствительность Р. у., особенно в СВЧ-диапазояе, решающим образом зависит от коэф. шума и усиления по мощности первых каскадов УТ. На рис. 3 приведены обобщённые шумовые характеристики МШУ и диодных смесителей. Наименьшим уровнем шумов обладают охлаждаемые квантовые парамагн. усилители, однако вследствие высокой сложности и стоимости, плохих массогабаритных показателей их использование ограничено практически радиоастрономическими Р. у. Весьма низким уровнем шумов обладают также охлаждаемые параметрич. усилители и усилители на полевых транзисторах с барьером Шоттки (УПТШ), причём массогабаритные показатели допускают их применение даже в бортовых Р. у. Оба типа устройств применяются препы. в наземных Р. у. систем космич. связи, причём вследствие большей простоты и технологичности полевых транзисторов они постепенно вытесняют пара мет- [c.233]

На слух динамические искажения прояв ляются в виде потери высших частот, в не-естественном оттенке звучания, так называемом транзисторном звуке Степень динамических искажений оценивается по скорости нарастания выходного напряжения усилителя мощности Чтобы уменьшить динамические искажения в высококачественных усилителях, глубину ООС ограничивают в пределах 20 30 дБ В качестве оконечных применяют мощные высокочастотные биполярные или полевые транзисторы которые позволяют расширить диапазон усиливаемых частот и тем самым повысить быстродействие усилителя Меры, принимаемые для снижения динамических искажений, приводят к возрастанию нелинейных искажений Ус ловия поддержания динамических и нелинейных искажений на низком уровне явля ются противоречивыми [c.92]

Лабораторный образец усилителя мощности с использованием двух мощных полевых транзисторов и предоконечных каскадов на полевых транзисторах разработан фирмой Ямаха . Схема довольно обычная, имеются двухкаскадное дифференциальное усиление, симметричное питание от истокового повторителя с непосредственной связью и непосредственная связь с громкоговорителями. Смещение предоконечного каскада и мощных полевых транзисторов создается специальными схемами компенсации (на которые заявлен патент), что обеспечивает хорошую стабильность постоянного тока без регулировки источника питания. Допускается предварительная регулировка для компенсации различий между характеристиками полевых транзисторов. Но чтобы сохранить имеющуюся переходную характеристику без ухудшения из-за воздействия схемы вольтодобавки (цепей положительной обратной связи по сигналу) и электролитических конденсаторов, стараются по мере возможности обойтись без применения этих элемен- [c.148]

Полевые транзисторы позволяют получить более высокую стабильность, д ак как потребляют значительно. меньшую мощность иа входе при включении с общим истоком. На рис. 1.28 показана схема автогенератора на полевом транзисторе, аналогичная. схеме на рис. 1.27, а. Диод КД5.14А, включенный между затвором и корпусом, служит для приближения формы генерируемого напряжения к синусоидальной. Без этого диода положительная полуволна тока стока обостряется , так как крутизна транзистора растет при повышении напряжения на затворе. В истоковую цепь включен резистор, ВЧ напряжение с которого подается на резистивный усилитель на транзисторе УТ1 и затем на эмиттерный повторитель на транзисторе ]/Т2. [c.41]

В схемах УРЧ можно применять полевые транзисторы с двумя затворами (например,, КП350). В этом случае напряжение регулировки усиления (1 У) подается на второй затвор. В УРЧ современных приемников все чаще применяют иизкошумящие усилительные элементы с линейными характеристиками при больших уровнях входных сигналов, например, биполярные и полевые транзисторы средней и большой мощности-с граничными частотами, равными сотням мегагерц, что обеспечивает равномерность усиления и стабильность усилителя во всем коротковолновом диапазоне. Более того, для удлинения линейной части характеристик часто применяют двухтактные схемы УРЧ подобно тому, как это делают иа низких частотах. [c.77]

Мощные полевые транзисторы (КП901, КП904, КП907) можно с успехом применять в линейных усилителях. Кроме высокой линейности они имеют большой коэф(1)ициент усиления по мощности, высокое входное сопротивление, лучшую температурную стабильность, стойки к перенапряжениям в выходной и особенно входной цепях. В то же время мощные полевые транзисторы имеют низкий КПД (40—50 %) и меньшую единичную мощность, чем биполярные Разработаны полевые транзисторы, имеющие мощность 50 Вт на частоте 100 МГц. [c.138]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...