Бурштейна-Мосса сдвиг

Аррениуса закон 17, 84 Биения 62, 133, 156 Брюстера угол 44, 74, 99 Бурштейна—Мосса сдвиг 125 Видность полос интерференции 28 Волокно оптическое 9, 70, 103, 110, 127, 180, 188, 206 Время жизни 192 [c.221]

БУРШТЕЙНА — МОССА ЭФФЕКТ — сдвиг края области собств. поглощения полупроводника в сторону высоких частот при увеличении концентрации электронов проводимости и заполнении ими зоны проводимости (вырождение). Так, в кристалле hiSb с собств. проводимостью край поглощения соответствует (при Т= =300 К) длине ВО.ЛНЫ 1=7,2 мкм после легирования oбpaчr a донорами до концентрации. 5-10 см- [c.233]

Энциклопедия по машиностроению XXL