Дырки и эффект Холла

Тип носителей фототока. Пусть у вас имеется кристаллическая пластинка, о которой известно, что она обладает фотопроводимостью, связанной с носителями тока только одного типа — либо электронами, либо дырками, но неизвестно, какими именно. Опишите эксперимент, который надо поставить, чтобы определить тип носителей, не основанный на использовании эффекта Холла. (Целесообразно пользоваться светом с такой длиной волны, чтобы уже на небольшом расстоянии от поверхности кристалла имело место сильное поглощение.) [c.658]

Поэтому коэффициент Холла в сильных полях должен иметь положительный знак, а найденная по нему эффективная плотность носителей должна быть равна 1/з ее значения в модели свободных электронов. Именно это и наблюдается в действительности (см. фиг. 1.4). При рассмотрении эффекта Холла в сильных полях удобнее считать, что в алюминии на атом приходится по одной дырке, а не по три электрона. (Такой результат получается, если учесть, что во второй зоне на атом приходится немного более чем по одной дырке, а в третьей — малая доля электрона.) [c.302]

Органические полупроводники охватывают широкий круг химических соединений, в которых проводимость осуществляется электронами или дырками, а не ионами. Все они отличаются пренебройимо малой ионной проводимостью. Удельная проводимость этих соединений составляет 10 -7- 10 IjoM - M, т. е, находится по преимуществу в интервале значений проводимости полупроводников проводимость сростом температуры увеличивается. У некоторых веществ проявляются эффект Холла (полифталоцианин меди) и фотоэффект, т. е. явления, присущие полупроводнику. [c.206]

Эффект Эттингсгаузена сопутствует эффекту Холла и состоит в том, что при пропускании тока через проводник, помещенный в поперечное магнитное поле (рис. 9.7), в направлении, перпендикулярном магнитному полю и току, возникает градиент температуры. Наибольшую величину этот эффект имеет в собственных полупроводниках. Как было показано в предыдущем параграфе, в таких полупроводниках электроны и дырки отклоняются магнитным полем в одну и ту же сторону (к грани С на рис. 9.7). Вследствие этого на одной грани образца концентрация электронов и дырок оказывается выше равновесной и там рекомбинация превалирует над тепловой генерацией носителей, а на другой грани (на грани D рис. 9,7), наоборот, концентрация носителей заряда ниже равновесной и там тепловая генерация преобладает над рекомбинацией. Вследствие этого тепло расходуется на генерацию электронно-дырочных пар в одной части образца и выделяется в результате их рекомбинации в другой части этого образца и в нем возникает разность температур Ti — (рис. 9.7). [c.270]

Для электрич. свойств О. в, с. в нормальном состоянии типичен линейный рост сопротивления с изменением темп-ры. Ква-аидвумерная слоистая структура О. в. с. проявляется в сильной анизотропии ферми-поверх-ности, электрических и сверхпроводящих свойств. Измерение ковф. Холла и Зеебека указывает, что носителями заряда в большинстве О. в. с. являются дырки (см. Зеебека эффект. Холла эффект], хотя имеются соединения и с электронным типом проводимости (наир., т . Се СиО , Г, - 24К). [c.403]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...