Источники излучения инжекционный

Рис. 10,19. Источники излучения а — электролюминесцентный конденсатор б — инжекционный светодиод

Рис. 10.23. Малогабаритные источники излучения а — электролюминесцентный конденсатор б — инжекционные световоды на р—л-переходах

Наилучшим образом этим условиям соответствуют полупроводниковые источники излучения — светоизлучающие диоды (СИД) и инжекционные лазеры (ИЛ). Они и представляют собой основной вид излучателей в волоконно-оптической связи. [c.107]

Одним из результатов рекомбинации может явиться рождение фотона вследствие инжекционной люминесценции. Рассмотрим этот процесс более тщательно, чтобы понять принцип действия источников оптического излучения. [c.203]

В пределах одной или двух инжекционных длин с любой стороны обедненного слоя происходит рекомбинация носителей и рекомбинационное излучение генерируется в этой области. В полупроводниковых источниках света обычно применяют асимметричное легирование, чтобы обеспечить превышение генерации с одной стороны перехода. Обычно материал п-типа легируется значительно сильнее, чем материал р-типа, т. е. формируется л -р-переход. Значение по может составлять 10 м , тогда как пл 10 м . Тогда ток положительного смещения проходит через переход в основном за счет электронов, инжектированных в слабо легированную область р-типа, где и происходит генерация рекомбинационного излучения. В этом случае можно определить эффективность инжекции как отношение электрон- [c.206]

Когерентными источниками излучения в О. служат гл. обр. инжекционные лазеры. Применяются гетероструктуры, из к-рых также наиб, распространёнными являются системы AlGaAs, Вследствие лазерного эффекта ширина линии АХ 0,1 нм, расходимость луча не более 30 , кпд до 50%. Длина волны меняется в зависимости от состава твёрдого раствора активной области. Наиб, освоен (на 1990) диапазон длин волн от [c.462]

Наряду с инжекционными лазерами в иите1ральном исиолиенни существуют источники излучения и усилители света с пря мой пучковой накачкой (рис. 19.17, б). В этом случае энергия основным носителям заряда гообтп.ается либо путем фотовозбуждения световыми квантами большей частоты по сравнению с генерируемым излучением, либо путем неупругих соударений с электронами, обладающими кинетической энергией, большей, чем ширина запрещенной зоны полупроводника. [c.310]

Электролюминесценция может быть получена и от так называемого инжекционного диода здесь излучение обз словлено интенсивной рекомбинацией, в результате инжекции в полупроводник через р-я-пере-ход неосновных носителей тока. Для таких диодов применяют монокристаллы — соединения А" — В — 1пР, InAs, GaP, GaAs и их твердые растворы соединения А — В — ZnS, ZnSe, а также карбид кремния (табл. 14.5). Для активирования применяют медь, сернистый кадмий и др. Инжекционные диоды как источники света имеют малую инерционность, время затухания может составлять 10 сек. -Недостатком является невысокий квантовый выход. [c.205]

Наконец, фосфид галлия имеет большие перспективы применения в квантовой электронике в связи с развитием инжекционных источников когерентного излучения. Особый интерес представляют тройные системы a(AsxPi-x). По сообщению ряда зарубежных фирм [6], стимулированное излучение нар — п переходе арсенид-фосфид галлия может иметь любую длину волны от 6200 до 8400 А в зависимости от состава, с к.п.д. близким к 100% при низких и при комнатной температурах. [c.51]

Оптический источник для оптоволоконной системы связи должен иметь высокую энергетическую яркость в узкой полосе частот в диапазоне длин волн 0,8. .. 1,7 мк.м, выходное излучение должно легко модулироваться, площадь излучающей поверхности не должна быть больше сердцевины волокна, угловое распределение излучения должно быть по возможности, согласовано с волокном. Обычно от опгических источников добиваются максимальной мощности излучения и светового потока Важными параметрами являются коэффициент полезного действия, стоимость и надежность прибора и стабильность выходной мощности (медленный дрейф и высокочастотные флуктуации). Полупроводниковые источники, излучающие свет из р-л-перехода в процессе инжекционной люминесценции, удовлетворяют этим требованиям лучше, чем какие-либо другие. [c.190]

Хотя коэффициент связи можно увеличить при использовании диффузного источника меньшего размера и линзового согласующего устройства, полная передаваемая мощность не может быть увеличена до тех пор, пока нет возможности поднять плотность тока инжекции. Если то же самое значение полного тока (/ =. /Лист) остается неизменным, в случае источника меньших размеров может быть реализован выигрыш в (Лвол/ ист) раз. Однако если остается неизменной плотность тока /, то преимущества получить не удается. Поэтому приходится при разработке источника малой площади и высокой яркости придавать особое значение диодам с торцевым излучением и инжекционным лазерам, которые рассматриваются в гл. 9...И и обеспечивают высокую направленность излучения. [c.231]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...