Электропроводность удельна примесная

В случае примесных полупроводников п- и р-типа выражение для удельной электропроводности обычно записывают в такой форме [c.128]

Зависимость удельной проводимости твердого диэлектрика с ионной электропроводностью от температуры такая же, как и для жидкого диэлектрика. Потому (5.7) справедлива и для твердых диэлектриков. Если в твердом диэлектрике наблюдается примесная и собственная ионная электропроводность, то зависимость проводимости от температуры выражается формулой [c.143]

Физические свойства германия приведены в табл. 8-3. Удельная проводимость германия с различной концентрацией мышьяка зависит от температуры. Из рис. 8-17 видны области температур, в которых проявляются собственная и примесная составляющие электропроводности германия. Кроме того, видно, что при большом содержании примесей (кривая 6) имеем вырожденный полупроводник. [c.254]

Электропроводность тела кристаллов карбида кремния при нормальных температурах — примесная и колеблется в широких пределах. Светлые его кристаллы при комнатной температуре могут иметь удельную электропроводность от 10 до 3,4 ом -см , а темные—от 0,62 до 1,8 [c.294]

Типичная кривая зависимости удельной проводимости от температуры приведена на рис. 8-4, а. Эту кривую удобно строить в полулогарифмическом масштабе, откладывая по оси ординат 1п7, а по оси абсцисс 1/Т . Отрезки прямых в области низких температур характеризуют примесную электропроводность при различной концентрации носителей, затем имеется переходный участок (примесные уровни истощились ) и дальше, в области высоких температур, проявляется собственная электропроводность полупроводника. На основании этого рисунка для линейных участков может быть написано уравнение [c.332]

В органических диэлектриках, в частности в широко распространенных синтетических, закономерности электропроводности определяются примесями. В последнее время были опубликованы работы, показавшие, что при получении полимеризационных смол из очень чистых полуфабрикатов по технологическим процессам, исключающим попадание загрязнений а конечный продукт, можно добиться устранения примесной электропроводности. Остаточной электропроводности таких материалов, в частности полистирола и полихлорвинила, соответствуют новые закономерности удельное объемное сопротивление оказалось независящим от температуры до следующих ее значений у полистирола 130° С, у полихлорвинила 70° С. [c.66]

Карбид кремния, легированный фосфором, сурьмой или висмутом, имеет темно-зеленую окраску и обладает электропроводностью п-типа легированный кальцием, алюминием или бором, имеет темно-фиолетовую окраску и обладает электропроводностью р-типа. Основные характеристики карбида кремния плотность 3,2 г/см температура плавления 2600°С р = 10 -ь 10 Ом-см е = 6,5 ч-Ч- 7,5. Удельное сопротивление карбида кремния в сильной степени зависит от его состава. Как и кристаллический селен, карбид кремния является примесным полупроводником, но при температуре 1400°С и выше у него появляется собственная электропроводность. [c.98]

Рис. 7.23. Зависимость удельной электропроводности невырожденного примесного полупроводника от температуры ( Vdi

Жидкости легко загрязняются и трудно очищаются. Поэтому на практике применяют технически чистые жидкие диэлектрики, содержащие примеси как попадающие извне, так и образующиеся в результате процесса старения. Такие материалы характеризуются ионной и молионной электропроводностью. Ионная обусловлена диссоциацией молекул самой жидкости (собственная электропроводность) и примесей (примесная электропроводность). Для неполярных жидкостей характерна примесная электропроводность. Полярные же отличаются повышенной удельной проводимостью из-за наличия обоих видов ионной электропроводности, причем возрастание 8г приводит к росту проводимости, так что сильно полярные жидкости с г, более 20 (вода, спирты, кетоны [c.548]

Температурная аасисимость удельной проводимости полупроводника есть результат изменения концентрации и подвижности носителей заряда (рис. 8-6). В области низких температур полупроводник характеризуется примесной электропроводностью, а в области высоких температур — собственной электропроводностью. В области примесной электропроводности приведены три кривые для различных значений концентрации примесей, вплоть до вырождения полупроводника, когда зависимость его удельной проводимости в некотором интервале температур стано-аится подобной зависимости удельной проводимости металлов. [c.243]

Электропроводность твердых кристаллических тел изменяется при деформации вследствие увеличения или уменьшения (растяжение, сжатие) межатомных расстояний, приводящих к изменению концентрации и подвижности носителей. Концентрация носителей заряда может стать меньше или больше вследствие изменения ширины зиергетических зон кристалла и смещения примесных уровней, что в свою очередь изменяет энергию активации носителей и изменяет их эффективные массы, входящие в выражения концентрации Г10сителеи заряда. Подвижность носителей заряда меняется из-за уменьшения (увеличения) амплитуды колебания атомов при их сближении (удалении). Для металлов основным является изменение подвижности, а для полупроводников изменение концентрации носителей заряда, определяемое энергией активации. Ширина запрещенной зоны может как увеличиваться, так и уменьшаться при сближении атомов, и у разных полупроводников одна и та же деформация может вызывать как увеличение, так и уменьшение удельной проводимости. [c.244]

Влияние температуры на удельную электропроводность InAs с различным содержанием электронов примесных атомов изучали в работах [29, 54, [c.370]

Рис. 240. Изменение с температурой удельной электропроводности соединения 1пАз с содержанием электронов примесных атомов 10 (кривая У), 3-10 смг в исходном состоянии (кривая 3) и после определения теплопроводности (кривая 2).

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...