Кристаллы габитус

Модификация Система кристаллов Габитус Ng Нр 2У Оптический знак Плотность, г/см Температура превращения, °с [c.13]

Соединение Система кристаллов Габитус Спайность Плотность, г/см= Ng Мр 2У Опти- че- ский знак Оптическая ориентировка [c.28]

Соединение Система кристаллов Габитус Спайность [c.33]

Соединение Система кристаллов Габитус N0 лгр 2У" Опти- че- ский знак Оптическая ориентировка [c.57]

Соединение Система кристаллов Габитус Спайность N 7 2У Оптическая ориентировка [c.101]

Соединение Система кристаллов Габитус Спайность N0 Np Оптический знак 2У" Оптическая ориентировка [c.139]

Соединение Система кристаллов Габитус Спайность Н jP с в и ь Ol 2 а г > С<1 а 1 о ё [c.141]

Соединение Система кристаллов Габитус Спай- НОСТЬ Плотность, г/см Ng Np 2V° Оптиче- ский знак Оптическая ориенти- ровка [c.170]

Соединение Система с кристаллов Габитус Спайность Ng Nv Примечание [c.173]

Соединение Система кристаллов Габитус Спай- ность Плот- ность, г/см Ng Np [c.175]

Соединение Система кристаллов Габитус Спайность Ng Np Примечание [c.220]

Соединение Система кристаллов Габитус Ng Nm Np [c.18]

Соединение Система кристаллов Габитус Ng Np 2V Плот- ность, г/см [c.26]

Соединение Система кристаллов Габитус Спайность N8 Мр Оптиче- ский знак Температура, °С [c.76]

Если рассчитать деформацию формы для каждого из 12 типов соответствия решеток при DO ЪR превращении с помощью описанной ранее феноменологической теории, то можно получить два решения для р 1, определяющих индексы плоскости габитуса. Это значит, что в решетке исходной фазы образуются кристаллы мартенсита 24-х вариантов. [c.29]

Как уже описано, образование одного кристалла мартенсита с характеристической плоскостью габитуса сопровождается постоянной деформацией формы. Следовательно, работа внешних сил, если мартенситное превращение происходит под действием этих сил, равна [c.43]

Развивались также представления о существовании двух типов мартенсита в сплавах на железной основе, которые различаются индексами плоскостей, ограничивающих мартенситную пластину (т. е. имеются кристаллы с различными плоскостями габитуса 225 а и 259 а), и соответственно скоростью образования мартенситного кристалла. [c.263]

Формы роста кристаллов (габитус) определяются анизотропией скорости К. и условиями тепло- и массопере-иоса. Кристаллы с шероховатыми поверхностями имеют обычно округлую форму. Атомно-гладкие поверхности проявляются в виде граней. Стационарная форма кристаллич. многогранника такова, что расстояние от центра до каждой грани пропорционально её скорости роста. В результате кристалл оказывается образованным гранями с мин. скоростями роста (грани с большими скоростями постепенно уменьшаются и исчезают). Они параллельны плоскостям с наиб, плотной упаковкой и наиб, сильными связями в атолнюй структуре кристалла. Поэтому кристаллы с цепочечной и слоистой структурой имеют игольчатую или таблитчатую форму. Анизотропия скоростей роста и, следовательно, форма роста кристалла в разл. фазах зависят от состава, У, А Г и сильно меняются под действием поверхностно-активных примесей. [c.500]

Соединение Система кристалла Габитус Спай- ность Л о JVrn Np Кристаллическая структура [c.244]

Соединение Система кристалла Габитус Снай- ность Ng Nm Np Кристаллическая структура [c.339]

Кристаллы мартенсита имеют определенную плоскость габитуса. Плоскостью габитуса называют поверхность раздела между исходной и мартенситной фазами, т.е. плоскость сдвига при превращении (рис. 1.1,э). Эту плоскость обычно определяют индексами кристаллогрефиче-ских плоскостей исходной фазы, но часто ее описывают как плоскость с иррациональными индексами. [c.10]

Рис. 1.13 иллюстрирует деформацию формы при образовании монодомена мартенсита в монокристалле исходной фазы. Эта деформация формы, сопровождающая мартенситное превращение, выражается и в изменении формы исходной фазы. Хотя рассматривается монокристалл исходной фазы и исключается превращение с одной поверхностью раздела [8] (например, при охлаждении с одного торца образца), можно отметить, что в различных областях образца имеются эквивалентные кристаллографические условия. При превращении может образоваться большое число кристаллов мартенсита с различными индексами габитус-ных плоскостей (такие кристаллы называют кристаллографическими вариантами). Поэтому в действительности изменения формы исходной фазы, подобного показанному на рис. 1.13, не происходит. В том случае, если исходные образцы находятся в поликристаллическом состоянии и если даже в каждом кристаллите образуется монодомен мартенсита, то из-за эффекта стеснения со стороны окружающих зерен не происходит изменения формы исходной фазы, подобного показанному на рис. 1.13. Естественно, и в поликристаллическом образце исходной фазы кристаллы мартенсита с различными кристаллографическими ориентировками образуются в различных местах в пределах одного кристаллита. Ниже рассмотрены способы образования разных вариантов кристаллов мартенсита и описано изменение формы исходной фазы, происходящее при образовании указанных кристаллов. [c.27]

Если охладить монокристаллические образць , находящиеся в состоянии исходной фазы, ниже М , то, как уже описано, образуются кристаллы мартенсита разных вариантов, имеющие 24 кристаллографически эквивалентные плоскости габитуса. Эти варианты называют кристаллографическими разновидностями с характеристической плоскостью габитуса. [c.33]

Мартенситное превращение с инвариантной решеткой в сплавах с /3-фазой, как указано, связано с дефектами упаковки или двойниковыми дефектами. В первом случае разновидности кристаллов мартенсита с характеристической плоскостью габитуса образуют монодоменные области мартенсита, решетка которого связана с решеткой исходной фазы ориентационным соотношением. Во втором случае каждый кристалл мартенсита с характеристической плоскостью габитуса состоит из двух мартенситных доменов с взаимно двойниковым соотношением ориентировок. Каждый домен имеет кристаллографически эквивалентное ориентационное соотношение решетки с решеткой исходной фазы. [c.33]

Как описано ранее, под действием напряжений, приложенных к образцу, состоящему из кристаллов мартенсита 24 вариантов ориентировок с характеристической плоскостью габитуса, происходит поглощение одних двойниковых доменов другими, т.е. развивается деформация двойникованием. Образец деформируется до тех пор, пока не возникает двойниковый монодомен, соответствующий наибольшей степени деформации. Если в процессе деформирования приостановить нагружение, то, естественно, образец оказывается состоящим из большого числа двойниковых доменов. Если нагреть такой образец выше А , то в соответствии с ориентационным соотношением решеток каждого из таких двойниковых доменов и исходной фазы возникает исходная фаза с точно такой ориентировкой, какая была до деформации. В результате этого форма образца полностью восстанавливается до той, которая была перед деформацией. [c.36]

Следует указать, что существует определенная неясность относительно двойниковых дефактов, которые можно видеть на рис. 1.34, в, л,/и. Как указано ранее, двойниковые дефекты в кристаллах мартенсита появляются неизбежно, если плоскость габитуса является инвариантной плоскостью. Однако деформация решетки при превращении в этом случае является сдвиговой деформацией в общей базисной плоскости кристаллов до и после превращения. Поэтому если плоскость габитуса [c.55]

В зависимости от ориентации продольной оси роста и габитуса боковых граней усы сапфира имеют несколько морфологических форм роста. На рис. 158 дана общая схема огранения небазисных призматических кристаллов а) и базисных пластинок (б). Особенности роста этих кристаллов таковы, что боковые грани сиг усов сапфира отличаются высокой степенью совершенства (при увеличении в 1000 раз) (рис. 159, а и б), тогда как на широких гранях базисных пластинок наблюдаются ступени и пирамиды роста (рис. 159,в и г), которые являются сильными концентраторами напряжений. Если построить масштабную кривую прочности для усов сапфира без учета кристаллографической ориентации и состояния их поверхности, то для этой кривой будут характерны большой коэффициент вариации и сильная зависимость от размера. Но если учесть ориентацию и отделить усы с хорошей поверхностью, то разброс частных значений прочности уменьшается и масштабная - зависимость проявляется слабо (рис. 160). Масштабная зависимость отсутствует совсем для усов с плохой поверхностью, а прочность [c.357]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...