Магнитное звено сжатия

В настоящее время для накачки АЭ в ЛПМ применяются более эффективные источники питания — тиратронные с емкостным удвоением напряжения и магнитными звеньями сжатия и ламповые на базе ГМИ-29А, позволяющие за счет уменьшения в 2-4 раза длительности импульсов тока (до 50-120 не) увеличить мощность излучения в два раза [26]. Но при этом рабочая температура разрядного канала повышается примерно на 100°С (от 1550 до 1650°С). Поэтому тренировка АЭ ЛПМ стала производиться с эффективными источниками питания и температура разрядного канала в процессе тренировки доводится до 1700° С. [c.57]

При применении схемы трансформаторного увеличения напряжения с коэффициентом трансформации 2,5 и с двумя магнитными звеньями сжатия при давлении неона 250 мм рт. ст. в АЭ ГЛ-201 и ЧПИ 8 кГц была получена мощность излучения 30 Вт. При этом амплитуда напряжения на АЭ составляла 30 кВ, длительность фронта импульсов тока — 50 НС при общей длительности 130 НС, амплитуда тока — 460 А и скорость нарастания тока — 9 А/нс (рис. 3.7). [c.84]

Испытания реального образца излучателя с внутренним диаметром трубы 180 мм и диаметром АЭ 134 мм подтвердили выводы о высокой электрической прочности такой конструкции. На рис. 7.7 представлены зависимости пикового напряжения на электродах АЭ излучателя от потребляемой мощности от выпрямителя источника питания при различных значениях ЧПИ в момент включения высокого напряжения и в установившемся тепловом режиме. Модулятор накачки источника питания использовался с повышающим автотрансформатором с коэффициентом трансформации 1 2 и магнитным звеном сжатия импульсов [c.186]

Примечание. Максимальное значение средней мощности излучения ствует АЭ с просветленными окнами (коэффициент пропускания т Модулятор выполнен по схеме емкостного удвоения напряжения с магнитным звеном сжатия. [c.204]

Назначением магнитных звеньев сжатия (ключей) является также разделение во времени процессов разрядки конденсатора С, частичной обратной перезарядки этого же конденсатора через тиратрон, когда последний еще остается в проводящем состоянии, и процесса разрядки конденсаторов С и Сг, которые после разрядки конденсатора С через тиратрон оказываются включенными последовательно и согласованно с АЭ. [c.270]

Магнитное звено сжатия 74-79, 90, [c.306]

Более того, в нашем примере все рабочие органы приводились в движение одним и тем же входным звеном. Можно, однако, для этой же цели использовать отдельные пневматические или гидравлические устройства, управление которыми сводится к управлению током жидкости или сжатого воздуха. Возможно также каждый рабочий орган приводить в движение своим электродвигателем, пуск и остановка которого осуществляются переключателем или специальным электронным аппаратом. При таком устройстве автомата носителем памяти может быть магнитная лента или перфорированная карточка. При этом очень облегчается переналадка автомата, однако он по-прежнему будет работать по жесткой программе. [c.79]

Рис. 3.2. Принципиальные электрические схемы исполнения высоковольтного модулятора наносекундных импульсов накачки а — прямая схема с тира-тронным коммутатором б — схема трансформаторного удвоения напряжения с звеном магнитного сжатия в и г — схемы емкостного удвоения напряжения с одним звеном (в) и с двумя звеньями (г) магнитного сжатия д — прямая

Эффективность старых и новых моделей АЭ серии Кристалл оценивалась по значениям средней мощности излучения, мощности, потребляемой от выпрямителя источника питания, и по практическому КПД в оптимальных режимах. Модуляторы источника питания были выполнены по схеме емкостного удвоения напряжения со звеном магнитного сжатия импульсов тока (табл. 8.4). Из табл. 8.4 следует, что при одинаковых значениях мощности излучения потребляемая мощность у новых моделей АЭ Кристалл (ГЛ-205 А, Б и В) примерно в 1,2 раза меньше, а практический КПД больше, чем [c.213]

Важным этапом развития лазерной техники стали экспериментальные исследования высоковольтных модуляторов накачки с разным исполнением электрической схемы и их оптимизация. Схема с емкостным удвоением напряжения и звеньями магнитного сжатия импульсов тока [c.280]

Схема в на рис. 3.2 с емкостным удвоением напряжения практически не имеет принципиальных ограничений по коммутируемой мощности, что важно для накачки АЭ с большой потребляемой мощностью. Для этого необходимо, во-первых, увеличить длительность импульсов анодного тока тиратрона в два раза и более (до 300-400 не) и во столько же раз — его амплитуду, что приводит к снижению стартовых потерь до минимума (за счет увеличения индуктивности L), и, во-вторых, увеличить число магнитных звеньев сжатия для последующего уменьшения длительности импульсов тока до минимального значения [216, 217]. На рис. 3.2, г представлена схема с двумя звеньями магнитного сжатия. Самый мощный отечественный тиратрон ТГИ1-2500/50 в данной схеме позволяет коммутировать средние мощности до 8-10 кВт. В такой схеме тиратроны работают в облегченном режиме (в режиме минимальных потерь) и срок их службы составляет 1500-2000 ч. [c.78]

Группой специалистов ЗАО Материалы микроэлектроники создан двухканальный транзисторный источник питания для ЛПМ Ку-лон-15 на основе двух АЭ Кулон LT-lO u [218], работающих по схеме ЗГ - УМ. В каждом канале с двумя импульсными трансформаторами и тремя магнитными звеньями сжатия формируются импульсы напряжения с амплитудой 17 кВ и импульсы тока с амплитудой 250 А и длительностью около 100 не при ЧПИ 12-16 кГц. Мощность каждого канала 2,5 кВт. В работе [215] сообщается о создании импульсного источника питания на транзисторных ключах с коммутируемой мощностью до 25 кВт для накачки 280-ваттного гибридного лазера на парах меди ( u-Ne-HBr). [c.79]

На рис. 3.8 представлены зависимости суммарной средней мощности излучения (/), мощности излучения на зеленой (2) и желтой (< ) линиях и температуры разрядного канала (4) АЭ ГЛ-201 со свободным расположением меди в канале от давления неона. Модулятор источника питания был выполнен по схеме емкостного удвоения напряжения с магнитным звеном сжатия импульсов тока (см. рис. 3.2, е). Емкость рабочего конденсатора составляла С нак/4 = 750 пФ, обострительного — Соб — 220 пФ, количество ферритовых колец марки М1000НМ с размерами К 20 X 12x6 мм — 150, ЧПИ — 10,2 кГц, потребляемая мощность от выпрямителя источника питания — 3,0 кВт. [c.84]

Результаты исследований со схемой емкостного удвоения напряжения и магнитным звеном сжатия импульсов тока. Емкость накопительного конденсатора С нак при зарядке составляет (1000 + + 1000) пФ, при разряде — (1000/2) пФ, емкость обострительного — (7об = 160 пФ. При использовании данной схемы исполнения высоковольтного модулятора накачки (см.рис.3.2, б) происходит удвоение напряжения и двукратное сжатие импульсов тока разряда. [c.90]

Разогрев и возбуждение АЭ, как и в предыдущем случае (п. 5.1), обеспечивал двухканальный синхронизированный импульсный источник питания, содержащий два высоковольтных выпрямителя 3 и два модулятора накачки 4 на базе водоохлаждаемых водородных тиратронов ТГИ1-2000/35. Модулятор ЗГ был выполнен по прямой схеме, УМ — по схеме трансформаторного удвоения напряжения с магнитным звеном сжатия импульсов. Запуск модуляторов осуществлялся от общего генератора задающих импульсов 5, снабженного регулируемой линией задержки 6, которая позволяла сдвигать по времени относительно друг друга импульсы ЗГ и УМ в пределах 50 не. ЧПИ составляла 8 кГц. Исследования были проведены в установившемся оптимальном температурном режиме АЭ, который для ЗГ обеспечивался при мощности питания от выпрямителя 2,5 кВт и напряжении на аноде тиратрона 17 кВ, для УМ — соответственно при 3,5 кВт и 21 кВ. [c.140]

Модулятор выполнен по схеме емкостного удвоения напряжения с магнитным звеном сжатия. Модулятор выполнен по прямой схеме при Снак = 1500 пФ. [c.203]

Основные параметры АЭ, приведенные в табл. 8.1 и 8.2, получены и оптимизированы при использовании модулятора, выполненного по схеме емкостного удвоения напряжения с магнитным звеном сжатия. Емкость накопительного конденсатора составляла (1000 + + 1000) пФ, обострительного — 160 пФ, звено сжатия включало 150 ферритовых колец марки М1000НМ с размерами 20x16x6 мм. АЭ Кристалл , объем активной среды которых на 1-2 порядка больше, чем у АЭ Кулон , при использовании схемы удвоения напряжения имеют почти в два раза большую мощность излучения, чем в случае прямой схемы. [c.206]

На рис. 8.15 представлены зависимости средней мощности излучения, температуры разрядного канала, практического КПД и КПД АЭ для АЭ Кристалл LT-4Au (ГЛ-205Г). Использовалась электрическая схема модулятора с емкостным удвоением напряжения и магнитным звеном сжатия. ЧПИ составляла 16 кГц, давление неона в АЭ — 250 мм рт. ст. Максимальная мощность излучения (6-6,5 Вт) достигалась при температурах стенки разрядного канала 1750-1800 °С. Использовался плоско-сферический резонатор с радиусом кривизны глухого зеркала 3,5 м. При этом практический КПД составлял 0,15%, а КПД АЭ - 0,3%. [c.223]

В работах [124, 129-132, 154] схема с трансформаторным удвоением напряжения и звеном магнитного сжатия использовалась для повышения эффективности возбуждения АЭ Кристалл типа ГЛ-201 и ГЛ-201 Д. В работе [154] импульсный автотрансформатор выполнен на трех ферритовых кольцах марки 200НН с размерами К 180х 110x20 мм. Между кольцами с помощью картонных прокладок [c.76]

Рис. 3.12. Зависимости потерь мощности в тиратроне с тирактором (/, 2), в звене магнитного сжатия (5) и АЭ ГЛ-201 4, 5) от мощности, потребляемой от выпрямителя, с прямой схемой исполнения модулятора накачки (/, 4) и со схемой емкостного удвоения напряжения (2, 3, 5)

Технологический процесс тренировки базового АЭ ГЛ-201 проводится в два этапа откачка с прогревом в печи с азотом до 450 °С ( 35 ч) и тренировка разрядом с прокачкой чистого неона (99,94%) при размещении АЭ в коаксиальном тепловом (алюминиевом) экране ( 30 ч). Экран служит и в качестве обратного токопровода. Из-за отсутствия длинномерного поста откачки для тренировки АЭ ГЛ-201Д использовался только второй этап. Импульсный модулятор накачки источника питания (ЧПИ 10 кГц) для тренировочного стенда выполнен по схеме емкостного удвоения напряжения с звеном магнитного сжатия импульсов тока (см. рис. 3.2, е), что позволяет установить такой температурный режим тренировки АЭ, который соответствует эффективной его эксплуатации при повышенных рабочих температурах разрядного канала (1600-1650°С). [c.94]

При проведении экспериментальных исследований накачка АЭ осуществлялась от импульсного высоковольтного источника питания. Принципиальные электрические схемы модуляторов накачки этого источника питания показаны на рис. 3.2, а-е прямая схема исполнения модулятора (а) и схемы трансформаторного (б) и емкостного (е) удвоения напряжения со звеном магнитного сжатия импульсов тока. В схемах бив съем мощности излучения с АЭ увеличивается примерно в два раза. Но схема в более предпочтительна, так как она проще в конструктивном исполнении и в этом случае потребляется меньшая мощность (10% мощности теряется в трансформаторе). В этих трех схемах в качестве коммутатора использовался водородный тиратрон ТГИ1-2000/35, накопительный конденсатор имел емкость Снак = - 2200 пФ. [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...