Масс-спектроскопия вторичных

K- I j, где С — относительная концентрация атомов -го сорта в мишени) P+=A +/S — коэффициент ионизации (табл. 25.30—25.32). Вторичная ионная эмиссия широко используется в масс-спектроскопии вторичных ионов для анализа состава приповерхностных слоев твердых тел [34], [c.590]

Широкое развитие получили методы изучения диффузионных процессов, основанные на использовании радиоактивных изотопов. Им присуща высокая чувствительность, универсальность и сравнительная простота. В настоящее время наиболее перспективным методом измерения диффузионных профилей является масс-спектроскопия вторичных ионов [c.297]

И.-н. D. В сочетании с анализом частиц по массе используется для исследования состава и структуры поверхности твёрдого тела и распределения элементов по глубине (вторично-ионная масс-спектроскопия). [c.201]

Масс-спектрометрия вторичных ионов служит мощным методом определения химического состава поверхностных слоев твердого тела. Ее преимуществами перед Оже-спектроскопией является высокая абсолютная чувствительность по многим элементам, хорошая элементная избирательность и высокое разрешение по массам. Этот метод можно использовать для анализа объемного материала и исследования профиля поверхности, для определения остаточных газов в ростовой камере, анализа состава материалов источников и для изучения десорбционных явлений на поверхности эпитаксиального слоя. [c.360]

Мартенситные превращения 56 Масс-спектроскопия вторичных ионов 151, 154, 155 Маттиссена правило 295 Маятниковые копры [c.349]

Макроанализ 1 7, 8, 17 Макронапряжения 1 264 Макрошлифы, полирование 1 100 Масс-спектроскопия вторичных ионов (МСВИ) 2 117, 123, 124, 125 [c.457]

МСВИ - масс-спектроскопия вторичных ионов [c.5]

В методе масс-спектроскопии вторичных ионов МСВИ) для анализа поверхности самого кристалла она бомбардируется ионами Аг" , Ог , N2 или С5+ с энергией порядка нескольких кэВ. Эти первичные ионы проникают на несколько атомных слоев вглубь твердого тела, испытывая соударения с его атомами и атомами примесей. Часть возбужденных атомов и ионов покидает поверхность и детектируется масс-спектрометром. Выход вторичных ионов зависит как от природы и энергии возбуждающего пучка, так и от состава поверхности. Глубина выхода вторичных ионов колеблется обычно от 0,3 до 2 [c.147]

В нек-рых случаях, напр, для усиления слабых ионных токов в масс-спектроскопии или для усиления слабых электронных токов в суперортиконах, применяют электронные умножители (ионные умножители), представляющие собой динодпую систему Ф. у. В случае ионных умножителей иреобразование ионов в электроны происходит на первом динодо за счет вторичной ионно-электронной эмиссии. [c.361]

Для исследования особенностей роста в технологии МЛЭ используют соответствующие методы анализа. К этим методам относятся дифракция быстрых электронов, Оже-электронная спектроскопия (AES), масс-спектрометрия вторичных ионов (SIMS) и другие современные методы исследования. В настоящее время большинство исследовательских [c.359]

Распределение хлора в окислах, выращенных в хлорсодержащих смесях, оказывает сильное влияние на физические свойства системы Si - Si02. Внедрение атомов хлора в слой Si02 исследовалось самыми различными аналитическими методами, такими, как обратное ядерное рассеяние ионов Не" [3.16, 3.17], вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС) [3.18 -3.20], Оже-спектроскопия [3.14, 3.21], рентгеновская флюоресценция [3.17, 3.22,3.23], электронный микроанализ [3.17] и обратное резерфордов-ское рассеяние а-частиц [3.24, 3.25]. На всех экспериментальных профилях распределения хлора в окисле, полученных различными методами, видно, что основная часть хлора скапливается вблизи границы раздела. Это иллюстрируется рис. 3.4, где показаны профили хлора в окислах, выращенных в 5 %-й среде H I/O2 при температурах 900, 1000 и 1100° С. Времена окисления выбирались таким образом, чтобы толщина слоя окисла всегда приблизительно равнялась 0,1 мкм. Из рис. 3.4 видно, что проникновение хлора в кремний не наблюдается, хотя следует иметь в виду, что разрешение по глубине в измерениях имело неопределенность порядка 5 нм. [c.83]

В обсуждение включено детальное сравнение четырех методик, имеющих наибольшее значение для проблем контроля полупроводников. Это электронная Оже-спектроскопия (ЭОС), обратное резерфордовское рассеяние (ОРР), вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС) и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС). [c.183]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...