Закон Мотта

Прыжковая проводимость за счет носителей, туннелирующих между локализованными состояниями вблизи уровня Ферми — рис.2.17. При низких температурах прыжковая проводимость описывается законом Мотта [c.75]

Хауффе [46] внес ряд поправок в допущения, принятые Моттом. Учет этих поправок привел, с одной стороны, к подтверждению общего вида уравнения (8), а с другой стороны, к выводу новых законов роста тонких оксидных слоев. [c.43]

Механизм окисления по логарифмическому закону пока еще не нашел полного объяснения. Применимость теории Мотта для объяснения окисления титана по этому закону ставится под сомнение, так как эта теория применима в случае образования [c.45]

Общий вид зависимости проводимости в координатах In а от с учетом всех перечисленных механизмов переноса представлен на рис. 11.8. Область 1 соответствует переносу по нелокализо-ванным состояниям, 2 — по состояниям в хвостах зон, 3 п 3 — по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. При этом на участке 3 выполняется закон Мотта. Если плотность состояний, связанных с дефектами, велика, то следует ожидать, что не будет такого интервала температур, где процесс 2 был бы доминирующим. В этом случае участок 3 сразу переходит в участок 1. [c.362]

Рисунок 46 дает пример закона Мотта Г (3.23). Он относится к проводимости в аморфных слоях Ое. Из графиков Т и Г иожно ясно видеть активированную проводпиость распространенных состояний при высокой температуре и соответствепно закон для перескоков в локализованных состояниях около Ег при низких температурах. [c.152]

По-видимому, законом роста тонких оксидных слоев, которому следуют почти все металлы, является логарифмический — уравнение типа (6). Во всяком случае, большинство экспериментальных результатов, полученных на начальных стадиях окисления в области умеренных температур, и кинетика формирования оксидных слоев при низких температурах говорят в пользу этого предположения (модели Эванса, Мотта, Хауффе, Улига, Кофстада) [45, с. 57]. [c.43]

В 1938 г. Герни и Мотт, основываясь на работах советских и иностранных ученых, предложили общую (не детализированную) теорию скрытого фотографического изображения. Согласно этой теории, его образование проходит две стадии — электронную и ионную. Фотоэлектрон мигрирует по уровням проводимости кристалла до закрепления на каком-либо центре захвата. Далее, этот электрон нейтрализуется междуузельным ионом серебра, и процесс повторяется до образования частицы серебра — центра скрытого или видимого изображения. Эта основная схема позволила объяснить ряд фотографических явлений влияние низких температур на светочувствительность, сенсибилизацию, эффект Гершеля, отклонение от закона взаимозаместимости, процесс проявления и др. [c.3]

Карбера и Мотт показали, что кинетика окисления, протекающая по параболическому закону, отличается тем, что образующиеся на металлах окислы растворяют преимущественно либо металл, либо кислород. Поэтому на границах раздела металл—окисел, окисел—воздух создается градиент концентрации, что вызывает диф- [c.28]

Согласно теории Мотта и Кабреры, скорость переноса электронов через окисный слой путем туннельного эффекта велика по сравнению со скоростью переноса ионов. Слой окисла при этом с двух сторон ограничен поверхностными зарядами (отрицательным на границе металл-газ и положительным на границе металл окисел), между которыми образуется однородное электрическое поле. Контролирующей стадией суммарного процесса окисления по Мотту и Кабреру является перенос ионов металла под влиянием электрического поля при высоком градиенте потенциала. Эта теория позволяет получить обратный логарифмически закон роста пленки [c.35]

Теория Вагнера не дает объяснения тому, что при более низких температурах, а также на начальных стадиях высокотемпературного процесса окисления металлов параболический закон не соблюдается. Обычно на начальных стадиях процесса окисление протекает с большей скоростью, чем это следует из параболического закона. В условиях же пониженных температур образуются пленки предельной толщины. Теория Мотта и Кабрера [5, 6], предложенная для объяснения механизма роста тонких пленок, во многих случаях не согласуется с эксперимен- [c.19]

Вне зависимости от того, происходит ли рост пленки путем передвижения металла наружу или кислорода внутрь, если направляющая сила остается постоянной, следует ожидать параболический рост. Например, если допустить для простоты, что на пленку действует постоянная электродвижущая сила, то движение ионов будет по закону Ома пропорционально Му. Так как скорость роста определяется скоростью притока ионов (катионов наружу или анионов внутрь), то, следовательно, dyldt,= kly получаем уравнение параболы. Такой же вывод получается, если перенос совершается путем диффузии, вследствие градиента концентрации. Однако надо добавить, что такое рассмотрение является до некоторой степени сверхупрощен-ным. Более полную обработку с ссылкой на статьи Вагнера и Мотта можно найти в главе XX. [c.39]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...