Криотрон

Криотрон. — переключающий криогенный прибор, основанный на использовании эффекта влияния магнитного поля на состояние сверхпроводимости проводника используется в логических и запоминающих устройствах [9]. [c.145]

Криотрон 145 Кристадин 146 Критерий Эйлера 80 Кулачок — Порядок построения профиля 58 [c.756]

Быстродействие криотронного переключателя определяется его постоянной времени т = LIR, где L — индуктивность управляющего элемента , R — сопротивление управляемого элемента, когда он находится в нормальном состоянии, у проволочных криотронов т я 10 3—10- с. Для уменьшения т необходимо предельно увеличивать R и уменьшать L. Это достигается в пленочных криотронах, состоящих из двух скрещенных пленок, нанесенных на подложку и разделенных тонким слоем диэлектрика (рис. 7,19,6). Управляемая пленка 1 изготовляется обычно из олова = 3,7 К) управляющая 2 — из свинца Т" = 7,2 К). Изменением тока через управ ляющую пленку можно управляемую пленку переводить из сверхпроводящего состояния в нормальное и обратно, т. е. выключать и включать цепь. Делая управляемую пленку тонкой (ж 10- м), можно достичь значительного-повышения ее сопротивления в нормальном состоянии.Индуктивность управляющей пленки значительно ниже индуктивности обмотки проволочного криотрона. Дальнейшего уменьшения L достигают нанесением на подложку (перед изготовлением пленок) сверхпроводящего экрана (тонкого слоя свинца), предотвращающего распространение магнитного поля управляющей пленки за пределы управляемой пленки и тем самым уменьшающего эффективную индуктивность управляющей пленки. Таким способом удается снизить т до- [c.206]

Криогенные схемы создаются на тонкопленочных криотронах. Криотрон — быстродействующий маломощный пороговый элемент, в котором при некоторых критических [c.353]

Криотронные устройства помещаются в среду (например, жидкий гелий), имеющую температуру ниже критической. [c.353]

Задача 5-35. Что представляет собой криотрон [c.359]

Рис. 5-4-9. Принцип действия криотрона. Ток в сердечнике С управляется током, протекающим в обмотке А.

Ниобий и сплавы ниобия с танталом широко применяют для изготовления радиотехнической, радиолокационной и рентгеновской аппаратуры, а также электролитических выпрямителей переменного тока, искровых предохранителей, криотронов. Ниобий применяют в качестве газопоглотителя в электронных лампах. [c.403]

Не останавливаясь на таких, пока экзотических, элементах памяти, как, например, криотронные схемы (т. е. схемы, использующие сверхпроводимость), надо упомянуть многочисленные и интересные разработки, связанные с сегнетоэлектриками и накоплением зарядов в диэлектрических пленках. Сегнетоэлектрики — изоляционные материалы, в которых под действием электрического поля происходит поляризация в кристаллических решетках. При этом изменяется геометрическая форма кристалла. И наоборот, изменения формы кристалла под действием механических сил приводят к появлению электродвижущих сил на плоских поверхностях этого кристалла. [c.157]

Сильный диамагнетизм сверхпроводников позволяет удерживать груз в пространстве при помощи магнитного поля. Сверхпроводники могут быть применены для подшипников, работающих без трения, в конструкциях с вращающимися частями. Большое применение находят сверхпроводники в переключающих устройствах (криотронах) или в качестве элемента памяти счетно-решающего устройства, поскольку сопротивление сверхпроводящей проволоки, являющейся сердечником проволочной катушки, можно иаменить на огромную величину путем наложения слабого внешнего поля. [c.73]

Криотронные переключатели н запоминающие элементы. В этих уст-f/ойстиах используются эффекты наведения в замкнутом сверхпроводящем контуре незатухающего тока и разрушения сверхпроводящего состояния магнитным полем. На рис. 7.19, а показана принципиальная схема простейшего криотронного переключателя. Он состоит из управляемого (вентильного) провода I, изготовляемого обычно из тантала, имеющего = 4,4 К, и управляющей обмотки 2 из ниобия (Г"р = 9, К) или свинца (7 "р = 7,2 К). [c.206]

Новые возможности для создания быстродействующих элементов ЭВМ открывают эффекты Джозефсона. Как отмечалось в предыдущем параграфе, если ток, проходящий через переход Джозефсона не превышает величины /о, вся система является сверхпроводящей и обладает нулевым сопротивлением. При превышении тока 1а или при действии на переход хотя бы слабого магнитного поля на переходе возникает разность потенциалов, что означает появление у перехода определенного сопротивления. На этом принципе могут быть построены туннельные джозефсоновские криотроны. Так как переход от нулевого сопротивления к конечному не связан с разрушением сверхпроводящего состояния материалов, то скорость переключения туннельных криотронов оказывается значительно более высокой, чем у обычных сверхпроводящих криотронов. В настоящее время построены туннельные криотроны с временами переключения яг 10- с и рассеиваемой мощностью, не превышающей 10- Вт. [c.207]

На основе криотронов могут быть изготовлены усилители и модуляторы. На низких частотах с помощью таких усилителей мйжно регистрировать сигналы < 10-11 в при постоянной времени 1 с и входном сопротивлении- [c.208]

Весьма малое, но все же конечное значение р гиперпроводников ограничивает допустимую плотность тока в них, хотя эта плотность может быть все же намного выше, чем в обычных металлических проводниках при нормальной или повышенной температуре. Гиперпровод-ники, у которых при изменении температуры в широком диапазоне р меняется плавно, без скачков, не могут использоваться в устройствах, действие которых основано на триггерном эффекте возникновения и разрушения сверхпроводимости (например, в криотронах). Однако применение гиперпроводников в электрических машинах, [c.36]

Паиболее часто применяются М. с. па ферромагиит ных сердечниках, прессованных пз форритоп с прямоугольной петлей гистерезиса (см. Магнитные зату AiUHaioiuue устройства, рис. 5, (i). Возможна реализация, М. с. на сегнетоэлектриках, криотронах и т. п, элементах. [c.161]

Способность замкнутых сверхпроводящих контуров удерживать незатухающий ток, а также возможность разрушения сверхпроводимости полем применяются для создания сверхпроводящих элементов памяти для компьютеров—криотронов. Некоторые из этих конструкций используют джозефсоновские элементы. При этом существенны два обстоятельства миниатюризация и быстродействие. Для миниатюризации применяются напыленные сверхпроводящие пленки. Наименьшая площадь контакта, полученная таким способом, составляет 10 см (торцевой контакт, см. рис. 22.18 а). Что касается быстродействия, то переключение туннельного контакта с джозефсоновского режима / одночастичный режим / > / , V > 2А/е осуществляется за время, меньшее 10 с. [c.483]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...