Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Фактор анизотропии микронапряжений

ФАКТОР АНИЗОТРОПИИ МИКРОНАПРЯЖЕНИЙ  [c.733]

Наряду с измерением упругих напряжений (напряжений первого рода, ориентированных микронапряжений) изменение периода кристаллической решетки позволяет оценить ряд других факторов, характеризующих состояние металлов и сплавов под влиянием разных воздействий. Так, измерение периода решетки вещества при разных температурах позволяет установить относительный температурный коэффициент расширения и при этом выявить его анизотропию, что не обеспечивает дилатометрический метод. Измеряя с большой точностью период кристаллической решетки при постоянной температуре, можно определить концентрацию растворенного элемента в твердом растворе, структурный тип образовавшегося раствора, а при распаде пересыщенного твердого раствора — установить закономерности кинетики процесса распада, обусловливающие в свою очередь свойства сплава. По периоду решетки металла, закаленного от высоких температур, можно оценить концентрацию вакансий при температуре нагрева под закалку.  [c.75]


Определенное влияние на ярко выраженную анизотропию изменения СТт и /п.т при старении может оказывать эффект Баушингера, а также различные системы остаточных микронапряжений. Однако исследования показывают, что не эти факторы определяют рост От и 1п.т, а по-прежнему сегрегация примесных атомов на дислокациях [103]. Для роста 0т и /п.т при деформации в одном направлении требуется меньшая сегрегация вследствие дополнительной блокировки дислокаций в приграничных зонах и у других стопоров, благодаря взаимодействию дислокаций. При деформации в различных направлениях обратные напряжения , действующие на дислокационный источник, могут, напротив, облегчить раскрепление дислокаций и уменьшить напряжение работы дислокационных источников. При получении неоднородной системы остаточных напряжений распределение дислокационных источников по напряжению старта будет приближаться к показанному на рис. 20, б распределению, что приведет к маскировке площадки текучести. Для ком-пенсации этого эффекта необходима более сильная блокировка дислокаций примесными атомами, что требует более продолжительного старения или повышенной концентрации -fN.  [c.65]


Смотреть страницы где упоминается термин Фактор анизотропии микронапряжений : [c.205]   
Смотреть главы в:

Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов  -> Фактор анизотропии микронапряжений



ПОИСК



Анизотропия

Микронапряжения

Фактор анизотропии



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте