Термометрия шероховатых кристаллов

Термометрия шероховатых кристаллов [c.116]

Метод термометрии по коэффициенту отражения от полированной поверхности может применяться для случаев, когда изменение R обусловлено только изменением температуры, а характер взаимодействия света с поверхностью качественно не меняется. Если R изменяется во времени по причинам, не связанным с температурой (например, из-за развития шероховатости или образования пленки на поверхности), точность определения температуры падает и метод становится ненадежным, так как в течение эксперимента меняются не только параметры модели, описывающей взаимодействие света с поверхностью, но и сама модель. Например, при плазменном распылении монокристалла кремния уменьшение температуры, измеряемой по отражению лазерного пучка (Л = 633 нм) [4.17] может быть фиктивным если при ионной бомбардировке развивается шероховатость поверхности и уменьшается коэффициент отражения света, это уменьшение можно ошибочно принять за понижение температуры кристалла. [c.101]

Для термометрии кристаллов с низким коэффициентом зеркального отражения [Я 0,01) от шероховатой поверхности на длине волны [c.152]

При бесконтактных измерениях температуры поверхности необходимыми условиями являются а) наличие радиационного теплового потока от объекта к датчику, б) изолированность датчика от любых других воздействий, искажаюш,их результат измерения. Препятствиями для проведения радиационной термометрии часто являются интенсивное фоновое излучение (например, излучение плазмы или нагретых элементов установки), прозрачность исследуемого объекта в регистрируемой области спектра (например, тонкого полупроводникового кристалла с достаточно широкой запреш,енной зоной — кремния, ар-сенида галлия — в ближнем и среднем ИК диапазоне), шероховатость поверхности, наличие на ней просветляюш,их пленок, высокая отра-жаюш ая способность поверхности [1.23, 1.24]. Для слаболегированных полупроводниковых кристаллов при не слишком высоких температурах обычно не выполняется основная предпосылка модели серого тела (независимость коэффициента излучения от длины волны). На рис. 1.1 [c.12]

Разновидностью метода термометрии по сдвигу края поглощения является измерение температуры с помощью спектроскопии диффузного отражения (diffusive refle tan e spe tros opy), разработанной в последнее десятилетие применительно к термометрии кристаллов с шероховатой поверхностью [5.13-5.15]. На лицевую (полированную) поверхность пластинки падает пучок света от источника, либо имеющего сплошной спектр, либо перестраиваемого по длине волны. Вторая (тыльная) поверхность является шероховатой и рассеивает свет. Шероховатость не создают специально для регистрации рассеянного света и измерения температуры, она присутствует на нерабочей поверхности практически всех полупроводниковых кристаллов. Регистрируют спектр незеркально отраженного света для того пучка, который прошел сквозь пластину, отразился от шероховатой поверхности и еще раз прошел сквозь пластину (пучок, зеркально отраженный от передней поверхности, не регистрируется оптической схемой). Схема эксперимента приведена на рис. 5.8. [c.116]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...