Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

И н конгруэнтно плавящиеся соединения

Соединение Hf o конгруэнтно плавится при 1640 °С. Область гомогенности ее невелика.  [c.33]

Диаграмма состояния системы в интервале концентраций 30-100 % (ат.) Те построена в работе [2] и приведена на рис. 509. При исследовании использовали методы термического, ренгенофазового и микроструктурного анализов, измерения микротвердости, плотности, электропроводности, термо-э.д.с. Сплавы получали плавлением компонентов в откаченных кварцевых ампулах с выдержкой при 350 °С в течение 250 ч. Установлено образование трех соединений RejTe и двух соединений переменного состава а и р с областями гомогенности 43-47 и 66,6-72 % (ат.) Те соответственно. Сплав с 66,6 % (ат.) Те соответствует соединению ReTej. Соединения аир конгруэнтно плавятся при 900 и 970 С соответственно.  [c.132]


Небольшие расхождения имеются относительно следующих элементов диаграммы состояния (рис. 24) эвтектика, богатая А1, содержит 2% (ат.) Ри и плавится при 635 С [5] 1,66% (ат.) [13% (по массе)] Ри и 642° С [7], 640° С [8] соединение РиА14 образуется по перитектической реакции при 925° С [7] соединение РиА1з образуется по перитектической реакции при 1270° С [5] температура конгруэнтного плавления соединения РиА14 равна 1480° С [5] е-твердый раствор на основе Ри образуется по перитектической реакции при температурах 805° С [5], 720° С [6] б-твердый раствор на основе Ри образуется по перитектоидной реакции при 785 С [5], 670 С [6].  [c.73]

Данные работ [6 и 1] противоречат друг другу в отношении способа образования 2гКеа согласно [1]. происходит перитектическая реакция при 2450° С. а по [6]. это соединение конгруэнтно плавится при 2750° С и перитектическая реакция не идет. Положения границ областей существования 2г5Кег4 и 2гКеа точно не установлены, но. судя по изменениям периодов решеток, области гомогенности существуют [1, 2].  [c.373]

Рис. 4.12. Диаграмма состояния системы с одним конгруэнтно плавя-гцимся соединением. Рис. 4.12. <a href="/info/166501">Диаграмма состояния системы</a> с одним конгруэнтно плавя-гцимся соединением.
Установлено, что фаза на основе соединения TiPdg, кристаллизующаяся в гексагональной структуре типа TiNig, плавится конгруэнтно при 1530° С, области гомогенности не имеет. Перитектическая реакция между расплавом и фазой TiPdg протекает при температуре 1480° С. Максимальная растворимость титана в палладии составляет около 22 ат.% и практически не изменяется с температурой.  [c.185]

В работе [4] установлено существование восьми соединений, причем только два из них отличаются по типу образования и составу от полученных в работах [1—3]. Так, два соединения С0РГ3 и С017РГ2 плавятся конгруэнтно при 580 и -1354 С соответственно. Ос ьные шесть соединений образуются по перитектическим реак-  [c.63]

В системе образуются четыре соединения. Два соединения 02S и 0S 2 плавятся конгруэнтно при температурах 1520 и 840 °С соответственно. Область гомогенности соединения 02S расположена от 31 до 36 % (ат.) S и практически не зависит от температуры.  [c.78]

Диаграмма состояния Сг—Hf приведена на рис. 61 по данным работы [1], в которой проведен полный обзор этой системы. Ликвидус и солидус системы построены в основном по данным работ [2—4]. В системе обнаружена одна промежуточная фаза rjHf, которая плавится конгруэнтно при температуре, находящейся в пределах 1813—1873 °С по данным работ [2—6]. На рис. 61 значение температуры образования соединения rjHf принято согласно работе [I].  [c.126]


Диаграмма состояния r—Nb (рис. 71) построена в работе [1] на основании анализа исследований, проведенных в работах [2—5J. Ликвидус построен преимущественно по данным работы [3]. В системе образуются одна промежуточная фаза f2Nb и твердые растворы (Сг) и (Nb). Соединение r2Nb плавится конгруэнтно и имеет широкую область гомогенности -30—39 % (ат.) Nb. Температура плавления r2Nb, по различным данным, составляет 1683 10 [8], 1713  [c.144]

Соединение fjTa плавится конгруэнтно, имеет две модификации высокотемпературную (ВТ) и низкотемпературную (НТ), которая образуется по перитектоидной реакции. Температура плавления соединения Сг2Та (ВТ), по данным различных исследований, приве дена ниже  [c.184]

Взаимодействие s с О происходит на воздухе при комнатной мпературс с выделением значительного количества теплоты. Изуче- е этого процесса методами термического и рентгеновского анализов использованием тщательно очищенного s и спектрально чистого позволило построить диаграмму состояния s—O, приведенную на 1 . 118 Э]. В системе установлено четыре соединения s O, s O, S7O2, s O. Соединение s O плавится конгруэнтно при 3 °С и )разует эвтектики с ( s) при температуре —2 С и содержании  [c.219]

Система u—Er характеризуется наличием пяти соединений. Соединения Си Ег, u2Er и uEr плавятся конгруэнтно при температурах 1010, 935 и 1055 С соответственно, а соединения Си Ег и образуются по перитектическим реакциям при температурах 1005 и 940 °С,  [c.237]

Диаграмма состояния Си—О приведена на рис. 152 по обобщенным данным работы [ 1 ], в которой использованы экспериментальные результаты работ [2—5]. На рис. 152 указаны также изобары, соответствующие давлению От в 10, 10" и 10 Па. В системе существуют три фазы (Си), ujO и СиО, что подтверждается данными по измерению магнитной восприимчивости и рентгеновским анализом f41, при этом соединения U2O и СиО не имеют областей гомогенности. Соединение ujO плавится конгруэнтно при температуре 1225 5 °С [2—5] или 1229 °С [1]. Согласно работе [2] соединение СиО плавится инконгруэнтно при температуре 1122 <5 °С, когда давление О составляет 0,1 МПа. В работе [1] указывается, что соединение СиО плавится конгруэнтно при температуре 1230 С при давлении О2, равном 2,45 МПа. В системе имеется область несмешиваемости. Критическая точка монотектического купола соответствует темпера-гуре 1345 °С и содержанию 21,5 % (ат.) О.  [c.285]


Смотреть страницы где упоминается термин И н конгруэнтно плавящиеся соединения : [c.309]    [c.25]    [c.235]    [c.385]    [c.551]    [c.623]    [c.70]    [c.197]    [c.198]    [c.263]    [c.556]    [c.40]    [c.54]    [c.68]    [c.75]    [c.93]    [c.98]    [c.107]    [c.154]    [c.174]    [c.179]    [c.204]    [c.211]    [c.220]    [c.221]    [c.224]    [c.226]    [c.229]    [c.231]    [c.235]    [c.235]    [c.247]    [c.248]    [c.254]    [c.266]    [c.270]    [c.280]   
Основы материаловедения и технологии полупроводников (2002) -- [ c.160 ]



ПОИСК



О плавающие



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте