Планарный полосковый лазер

Планарные полосковые лазеры [c.242]

Как упоминалось в 6 этой главы, в планарных полосковых лазерах, выращенных на подложке с каналом (рис. 7.6.3, в), изломы также отсутствуют [114]. [c.295]

Рис. 7.11.10. Спектральная зависимость мощности шумов (ширина полосы 30 кГц) планарного полоскового лазера [195]. /пор = 132 мА и /// ор = 1,14.

Рис. 7.11.11. Относительная мощность шумов на частоте 10 МГц в полосе 30 кГц в зависимости от тока через планарный полосковый лазер [195]. Светлые кружки — мощность в одной моде, черные кружки — полная мощность. /пор — 132 мА.

Рис. 7.7.4. Зависимость /пор от 5 для планарных полосковых ДГС-лазеров при комнатной температуре. Экспериментальные данные взяты из работы [103]. Сплошная линия построена в соответствии с выражением (7.7.15) и доказывает, что изменение /пор с 5 в основном определяется боковой диффузией носителей.

Рис. 7.11.2. Модовая структура вдоль плоскости р —п-перехода в зависимости от ширины полоски 5 в планарном полосковом ДГС-лазере [103]. а — картины ближнего поля б — картины дальнего поля.

Ито и др. [195] исследовали флуктуации интенсивности в каждой Продольной моде планарного полоскового ДГС-лазера с шириной полоски 15 мкм. Частотный спектр флуктуаций выходной мощности измерялся в диапазоне от I МГц до 1,8 ГГц. [c.298]

Енезу и др. [112] проводили диффузию Zn до активной области или до слоя yV Al Gai As. В такой структуре, показанной на рис. 7.6.3, б, они наблюдали улучшение линейности ватт-амперных характеристик и устойчивую генерацию в одной поперечной моде. Нелинейности или изломы ватт-амперных характеристик, часто наблюдаемые в полосковых лазерах, обсуждаются в И настоящей главы. Структура, схожая с планарным полосковым лазером, описывалась в работе Такусагавы и др. [113]. [c.242]

При увеличении ширины полоски свыше 12 мкм в направлении вдоль плоскости р —п-перехода наблюдается появление мод высокого порядка. Используя планарные полосковые лазеры, Ёнезу и др. 103] продемонстрировали, как изменяется порядок моды с увеличением ширины полоски. На рис. 7.11.2 показаны полученные ими картины дальнего и ближнего поля. Как показано на рис. 7.11.2, для случая S = 20 и 30 мкм порядок моды. увеличивается с увеличением тока. Эти моды характерны для эрмито-гауссовского распределения, представленного выраже-, нием (7.10.12). Нужно отметить, что регулярная модоваяструк- тура вдоль плоскости р — п-перехода встречается не всегда. Если ширина полоски превышает 10—12 мкм, очень часто на- [c.289]

Уменьшая ширину полоски до 8 мкм, Диксон и др. [176] получили в полосковых ДГС-лазерах с протонной бомбардировкой линейные и симметричные ватт-амперные характеристики до уровней выходной мощности меньше 3 мВт. Уменьшение ширины полоски до 8 мкм не всегда приводит к устранению изломов, однако в этом случае изломы появляются при более высоких уровнях излучаемой мощности [176]. Изломы были также устранены в планарных полосковых лазерах при диффузии Хп сквозь активную область. Структура такого типа показана на рис. 7.6.3, в [112]. Ширина полоски составляла 15 мкм. При им-лульсной накачке изломы не наблюдались вплоть до токов, при которых мощность, излучаемая с одного зеркала, оставляла 30 мВт.-В этом случае система мод вдоль плоскости р — /г-перехода отличается от эрмито-гауссовских мод, возникающих при волноводном эффекте, связанном с усилением. По-видимому, здесь волноводный эффект определяется скачком действитель-ной-части аоказатела преломлений величиной около 0,1% [112]. [c.294]

Парциальное давление компонентов газовой фазы при ХОГФ 171, 1-72 Оа—Аз 157 РЬ—Те 125 Переходная спектроскопия глубоких уровней (ПСГУ) исследования деградировавших лазеров 349—351 описание метода 338 отжиг радиационных дефектов 340 Планарный полосковый лазер 242 зависимость /пор от ширины полоски. 256 [c.360]

Аики и др. [114, П4а] нашли, что в планарных полосковых структурах, выращенных на подложке с каналами, также отсутствуют изломы на ватт-амперных характеристиках. Такой лазер показан на рис. 7.6.3, в. Рабочие характеристики этой структуры обладают целым рядом преимуществ. Так, например, в ней наблюдается генерация в единственной продольной моде и отсутствие релаксационных колебаний [114а]. Гетероэпитаксиальные слои для этого прибора выращены на подложке GaAs -типа, в которой вытравлены каналы глубиной 1 мкм и шириной от [c.242]

На рис. 7.7.4 показана зависимость пороговой плотности тока ширины полоски для планарных полосковых ДГС-лазеров на aAs —ALGai As [103]. Так как в этой структуре ограничение Для тока создается в верхнем п-слое, растекание тока происхо ИТ только в Р-области. Для лазеров, использованных в работе 103], рз =i 0,2 Ом-см, а 3 = 2 мкм, что дает р =10з Ом, от- [c.255]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...