Переходная спектроскопия глубоких

Исследования, проведенные методом переходной спектроскопии глубоких уровней, проведенные на структурах с различной степенью нарушений, вызванных протонной бомбардировкой, показали, что ловушка с энергией активации 0,89 эВ связана с нарушениями, вызванными протонами она не наблюдается в приборах, не подвергнутых бомбардировке. Соответствующие исследования показали, что она находится на границе нарушенной и ненарушенной областей в слое A/-AbGai jeAs и очень напоминает так называемую ловушку ЕЗ, возникающую в результате нарушений, создаваемых в GaAs облучением электронами с энергией 1 МэВ [73]. В недавних исследованиях Лэнга и др. [74] высказывалось предположение, что она создана вакансией Ga. В данном исследовании, по-видимому, показано, что при работе лазера дефекты ЕЗ перемещаются из области, подвергнутой бомбардировке, где их концентрация высока, в ненарушенные области волновода. Однако, вследствие того что в исследованных лазерах с активной областью р-типа можно было [c.350]

Парциальное давление компонентов газовой фазы при ХОГФ 171, 1-72 Оа—Аз 157 РЬ—Те 125 Переходная спектроскопия глубоких уровней (ПСГУ) исследования деградировавших лазеров 349—351 описание метода 338 отжиг радиационных дефектов 340 Планарный полосковый лазер 242 зависимость /пор от ширины полоски. 256 [c.360]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...