Термометрия истоки

Вводная глава книги содержит краткое обсуждение понятия температура , обзор истории термометрии и вскрывает важное различие между первичной и вторичной термометриями. В гл. 2 рассматриваются истоки известных международных соглашений о термометрии, обсуждаются развитие и современное состояние Международной практической температурной шкалы. В гл. 3 рассмотрены главные методы измерения термодинамических температур, к которым относится газовая термометрия, акустическая термометрия и шумовая термометрия. В гл. 4 описаны реперные точки температуры, тройные точки и точки кипения газов, точки затвердевания и сверхпроводящие точки металлов. Здесь же рассмотрены требования к однородности температуры при сравнении термометров. Три последующие главы посвящены основным методам практической термометрии, термометрам сопротивления, термопарам и термометрии по излучению. Во всех главах, в том числе и во вводной, даны не только физические основы методов высшей точности, применяемых в эталонных лабораториях, но и их подробное описание. Приведены также примеры измерений температуры в промышленных условиях. Книга завершается краткой главой о ртутной термометрии. Каждая глава дополнена обширной библиографией. [c.9]

Теперь можно проследить за развитием международных соглашений по термометрии от их истоков. Термометрия с самого начала была включена в сферу деятельности МБМВ, однако в основном в связи с необходимостью измерять температуру и тепловое расширение новых метровых линеек из сплава платины с иридием. Было решено, что к каждому национальному прототипу метра должны прилагаться два ртутных термометра, градуированных в МБМВ. С этой целью по заказу МБМВ парижским мастером Тоннело была изготовлена серия термометров. Для обеспечения высокой стабильности термометры были выполнены из тугоплавкого стекла. Постоянство этих термометров превзошло ожидания и оказалось, что с их помощью можно измерять температуру с воспроизводимостью в несколько тысячных градуса. Были изготовлены термометры трех типов. Термометр типа а имел шкалу от 0 до 100 °С с делениями через 0,1 °С, нанесенными через 5 мм. Термометр типа б имел шкалу до 50 °С, затем следовало расширение капилляра, после чего шкала с делениями через 7 мм возобновлялась на интервале от 95 до 100 °С. Термометр типа в имел шкалу с делениями через 8 мм до 39 °С, после чего следовало расширение, затем короткий участок шкалы вблизи 66 °С, вновь расширение и, наконец, участок шкалы от 97 ДО-100 °С. Создание таких термометров и необходимость их [c.38]

Газовую термометрию Шаппюи можно считать истоком современной термометрии. Работа выполнялась в специально построенной лаборатории с превосходной термостабилизацией помещения, хотя в ней и отсутствовало многое из того, что сегодня считалось бы необходимым. Основная задача Шаппюи состояла в градуировке лучших ртутно-стеклянных термометров по абсолютной (т. е. термодинамической) температуре. Первая часть работы состояла в детальном изучении газового термометра постоянного объема, заполнявшегося водородом, азотом и углекислым газом в качестве рабочего тела. Результатом были отсчеты показаний набора ртутно-стеклянных термометров Тоннело, четыре из которых были типа а и четыре усовершенствованного типа б со шкалой, расширенной до —39 °С. На рис. 2.1 представлены результаты Шаппюи для трех газов, полученные в период 1885—1887 гг. [15]. Сочетание превосходной воспроизводимости термометров Тоннело и чрезвычайной тщательности работы с газовым термометром позволило получить погрешность менее одной сотой градуса почти во всем интервале — действительно выдающееся достижение. [c.39]

При использовании объектива (ЮОх) проведено изучение локальной температуры в действующем полупроводниковом приборе (МОП-структуре) [7.10]. При КР-термометрии на длинах волн 514 и 457,9 нм достигнуто субмикронное пространственное разрешение. Методом КР проведено также измерение температуры полупроводникового (InGaAsP) лазера во время его работы и действующего полевого транзистора при расстоянии между стоком и истоком 5 мкм (транзистор изготовлен из полупроводниковых твердых растворов А3В5 на подложке GaAs) [7.16]. Температура лазера, излучающего на длине волны 1,48 нм, увеличивается пропорционально току накачки, и при токе 400 мА и излучаемой мощности 140 мВт температура излучающей области выше температуры окружающей среды на 35 °С. При работе полевого транзистора (ток 40 мА) наибольшее увеличение температуры, измеренной с пространственным разрешением 0,4 мкм, происходит вблизи стока [Ав 60-Ь80 °С), тогда как вблизи истока нагрев меньше [Ав 35-Ь45 °С). Погрешность термометрии оценивается авторами величиной 5 °С. Температуру активного слоя в светоизлучающем диоде на основе Si измерили по сдвигу частоты поперечного оптического фонона [7.17]. Показано, что при плотности тока накачки 200 А/см температура достигает 350 °С. [c.186]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...