Излучение от тонкого заряженного

Тонкие пластинки пироэлектриков служат весьма чувствительными приемниками регистрации инфракрасного излучения. Для удобства усиления сигнала и избежания утечки заряда перед регистрирующим кристаллом обычно ставится прерыватель, моделирующий поток излучения на кристалл. [c.109]

Известно, что если зарядить электроскоп (рис. 4-211), то тонкие металлические листочки его, подвешенные к изолированному электроду, оттолкнуться друг от друга. Они будут медленно сближаться по мере потери полученного заряда. Чем лучше изолирован центральный электрод, тем дольше будет удерживаться заряд на листочках. Если электроскоп облучать ионизирующим излучением, то воздух в [c.322]

Излучение от тонкого заряженного слоя. Предположим, что в плоскости ху (г=0) находится очень тонкий слой положительных зарядов с однородной плотностью 0. Все заряды колеблются вдоль направления оси а- с одинаковой амплитудой и частотой. [c.346]

Мезонные теории ядерных сил строятся по аналогии с квантовой электродинамикой. Как известно, в квантовой электродинамике электромагнитное ноле рассматривается совместно со связанными с ним частицами-фотонами. Оно как бы состоит из фотонов, которые являются его квантами. Энергия поля равна сумме энергий квантов. Фотоны возникают (исчезают) при испускании (поглощении) электромагнитного излучения (например, света). Источником фотонов является электрический заряд. Взаимодействие двух зарядов сводится к испусканию фотона одним зарядом и поглощению его другим. При такой постановке вопроса возможно рассмотрение новых явлений, относящихся к классу взаимодействий излучающих систем с собственным нолем излучения. Этим путем удается, например, объяснить аномальный магнитный момент электрона и мюона (см. 101 104, п. 5), лэмбовский сдвиг уровней в тонкой структуре атома водорода и ряд других тонких эффектов. [c.7]

Ксерорадиография, или сухая рентгенография основана на использовании специальных металлических пластинок, покрытых слоем фотопроводника, поверхности которого сообщен электростатический заряд. Под воздействием рентгеновского излучения этот заряд значительно уменьшается, причем тем значительнее, чем больше интенсивность излучения. Рентгеновские лучи различной интенсивности, выходящие из просвечиваемой детали, таким образом, формируют скрытое изображение на фотопроводящем слое. Это изображение за несколько секунд проявляется при посыпании пластинки тонким порошком, прилипающим к поверхности экспонированной пластинки в количестве, зависящем от напряженности поля в каждой точке этой поверхности. [c.340]

СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ (батарея солнечных элементов) — устройство, непосредственно преобразующее энергию солнечного излучения в электрическую. Действие солнечного элемента (СЭ) основано на использовании явления внутр. фотоэффекта. Наиб, применение получили конструкции СЭ с р—п-переходами и гетеропереходами, представляющие собой плоскую (базовую) полупроводниковую пластину с тонким фронтальным слоем полупроводника, имеющего тип проводимости, противоположный типу проводимости базовой области. При облучении в полупроводнике генерируются дополнит. носители заряда, к-рые перемещаются под действием электрич. поля р — н-перехода и создают на внеш. выводах фотоэдс. [c.579]

Исследуемое излучение падает под углом 45° на поверхность катода из золота, потенциал которого относительно заземленной камеры — 15 кв. Фотоэлектроны, покидающие катод, ускоряются при движении в направлении к сцинтиллятору, толщина которого несколько миллиметров. Излучаемый сцинтиллятором свет проходит через окно фотоумножителя и регистрируется обычным образам. На сцинтиллятор со стороны катода наносится тонкая алюминиевая пленка, которая поглощает рассеянный видимый свет и одновременно служит проводником для утечки зарядов. Потери энергии электронов при прохожденин через пленку невелики. С помощью этих детекторов можно ре- [c.201]

Электрорадиографический метод основан на нейтрализации зарядов, находящихся на поверхности полупроводника, зарядами обратного знака, образующимися в воздухе под действием гамма-излучения. Для этой цели используют тонкий слой высокоомного полупроводника, например аморфного селена, нанесенного на металлическую пластинку. Предварительно под действием сильного электрического поля на поверхности полупроводника из ионов воздуха наносят положительный заряженный слой. Если такую пластинку подвергнуть действию гамма-излучения, то часть положительных зарядов нейтрализуется рассеянными и вторичными электронами, а также электронами, появившимися в полупроводнике в результате облучения. [c.287]

Важным ограничением возможностей этого модулятора является эффект, называемый выбеливанием и заключающийся в потере модулирующих свойств по мере того, как устройство подвергается воздействию света. Излучение, поглощаемое в ПЗС в процессе электропоглощения, создает электрон-дырочные пары. В свою очередь электроны, удерживаемые в квантовых ямах в ПЗС, уменьшают поля и, следовательно, само поглощение. В качестве грубой численной оценки возьмем типичную ячейку ПЗС, имеющую размеры порядка 30 мкм и зарядовую емкость в 10 электронов. Изначально незаполненная яма после поглощения 10 фотонов имела бы оптическое поглощение, уменьшенное с максимального до минимального значения. На длине волны, представляющей в данном случае интерес, это соответствует энергии кванта света в 0,23 пДж. Поскольку выбеливание является фундаментальным механизмом, ограничивающим возможности данного устройства, то могут быть предложены некоторые рекомендации для сведения к минимуму этой проблемы. Существенный момент состоит в том, чтобы разработать ПЗС с большой емкостью управляющего заряда. Это может быть достигнуто за счет использования ячеек большого размера и увеличения емкости затвор — канал. Последнее требует применения тонких, сильнолегированных каналов, что находится в согласии с требованиями высокого быстродействия, но противоречит требованию большой толщины поглощающей области для эффективного взаимодействия со светом. [c.105]

ДЕЦИБЕЛ (дБ, dB), дольная ед. от бела — ед. логарифмич. относит, величины 1 дБ=0,1 Б. В акустике — ед. уровня звук, давления 1 дБ — уровень звук, давления р, для к-рого выполняется соотношение 201д(р/ро)= = 1, где Ро — пороговое звук, давление, принимаемое равным 2 -10" Па. ДЖОЗЕФСОНА ЭФФЕКТ, протекание сверхпроводящего тока через тонкий слой диэлектрика, разделяющий два сверхпроводника (т. н. контакт Джозефсона) предсказан на основе теории сверхпроводимости англ. физиком Б. Джозефсоном (В. ТозерЬзоп) [1962, Нобелевская премия (1973)], экспериментально обнаружен в 1963. Эл-ны проводимости проходят через диэлектрик (обычно плёнку окиси металла толщиной - ЮА Ю- м) благодаря туннельному эффекту. Если ток через контакт Джозефсона не превышает определ. значения, наз. критич. током контакта, то падение напряжения на контакте отсутствует (т. н. стационарный Д. э.). Если же через контакт пропускать ток, больший критического, то на контакте возникает падение напряжения, и контакт излучает эл.-магн. волны (н е-стационарный Д. э.). Излучать эл.-магн. волны может только перем. ток — именно такой ток течёт сквозь контакт Джозефсона при п о-стоянном падении напряжения V на контакте. Частота излучения V связана с V соотношением —2 еУ1к, где е — заряд эл-на. Излучение обусловлено тем, что объединённые в пары эл-ны, создающие сверхпроводящий ток, при переходе через контакт приобретают избыточную по отношению к осн. состоянию сверхпроводника энергию 2 еУ. Единств, возможность для пары эл-нов вернуться в осн. состояние — это излучить квант эл.-магн. энергии / v=2 еУ. Д. э. указывает на существование в сверхпроводниках электронной упорядоченности — фазовой когерентности в осн. состоянии все электронные пары (куперов- [c.153]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...