Чувствительность радиационного 309 - Уровни

Одним из важнейших критериев пригодности материала для применения его в элементах конструкции является способность сохранять в рабочих условиях необходимый уровень механических свойств. Поэтому явлениям этого класса в табл. 2 уделено первое место. Механические свойства сильно подвержены воздействию облучения, так как механизмы движения дислокаций весьма чувствительны к дефектам кристаллической решетки, В облученном кристалле движущимся дислокациям необходимо преодолевать, кроме обычного рельефа Пайерлса и сил взаимодействия с исходными дислокациями и другими несовершенствами структуры, еще целый спектр барьеров радиационного происхождения изолированные точечные дефекты и их скопления, кластеры и дислокационные петли вакансионного и межузельного типов, пары, выделения, возникающие в результате ядерных превращений. Облучение, как правило, вызывает повышение пределов текучести и прочности, ускоряет ползучесть материалов, снижает ресурс пластичности, повышает критическую температуру перехода хрупко-вязкого разрушения. [c.11]

Упругие и релаксационные свойства. Упругие и релаксационные свойства определяют уровень напряжений в изделиях, жесткость материала, его чувствительность к концентраторам напряжений, а также конструкционную прочность в условиях вибрации. Кроме того, упругие и релаксационные свойства, являясь структурно-чувствительными, в настоящее время широко используются для исследования структурных и фазовых превращений, процессов развития дефектов кристаллической решетки и микропластических деформаций, предшествующих разрушению металлов и сплавов под действием внешних температурно-сило-вых, радиационных и других физико-химических воздействий. [c.460]

Не удивительно, что концентрация кислорода оказывает сильное влияние на радиационную чувствительность приборов, так как известно, что кислород взаимодействует с вакансиями, образуя рекомбинационный уровень (А-центр), расположенный примерно на 0,16 эв ниже дна зоны проводимости [77]. О влиянии А-центров или других примесно-вакансиоп-ных комплексов на радиационную стойкость приборов известно очень мало. Однако поскольку известно, что кремниевые вакансии подвижны при комнатной температуре и склонны к образованию комплексов с кислородом и фосфором [77, 78], то несомненно полезными и интересными были бы исследования влияния различных примесей на радиационную стойкость полупроводниковых приборов. Основные рекомбинационные уровни кремния и их свойства приведены в табл. 6.10. [c.310]

Радиационный ( )отонный) шум определяет минимально достижимый уровень регистрируемого потока излучения. Он возникает из-за флуктуаций числа фотонов, поступающих на чувствительный слой приемника. Шум (см. табл. 2.1) определяется как излучением фона, так и частей самого приемника. [c.36]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...