Захват безызлучательный

Мюонные атомы имеют конечное время жизни, определяемое временем жизни х -мюона ( 2,2 мкс). Обычно наряду с мюоном в атомной оболочке присутствуют и электроны, но их роль пренебрежимо мала, потому что мюон в среднем находится значительно ближе к ядру, чем электроны. После захвата -мюона на сравнительно дальнюю орбиту (возбужденное состояние) мюонные атомы переходят в основное состояние с испусканием квантов электромагнитного излучения или безызлучательно с выбросом электронов из оболочки атома. [c.197]

М. а. образуются при захвате мюонов кулоновским полем ядра Z.Upn этом из электронной оболочки атома выбивается один или неск. электронов (обычно внешних). М. а. образуются вначале в возбуждённых состояниях и за время порядка —lO i с переходят в осн. состояние, освобождая энергию в виде рентгеновских и у-квантов или передавая её оже-электронам. Измеряя энергии радиац. переходов в тяжёлых М. а., можно получить информацию о распределении зарядов в ядре, а также о его размерах и форме. Иногда возможны безызлучательные переходы с передачей энергии на возбуждение ядра. [c.229]

Безызлучательная Р. через примесные центры описывается статистич. теорией Шокли — Рида. Изменения концентрации электронов и дырок в зонах и на примесях-ловушках определяется системой ур-вий, в к-рые входят концентрации ловушек, свободных (А) и занятых М) электронами А М — полная Концентрация ловушек), коэф. захвата на ловушки электронов (7э) и дырок (уд). Число актов в 1 с в 1 см можно по аналогии с (1), (2) записать в виде [c.324]

БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ И ЗАХВАТ [c.319]

Рис. 8.3.8. Схема, показывающая безызлучательный захват электрона [54]. Равновесные энергии и решеточные координаты до и носле захвата показаны штриховой линией. Затушеванные области в запрещенной зоне поясняют, как изменяется энергия уровня дефекта относительно краев зон прн колебаниях решетки. Стрелки меньшего размера показывают амплитуду тепловых колебаний до и после захвата электрона. Стрелка большего размера показывает амплитуду колебаний решетки около нового положения равновесия сразу

Безызлучательный захват электронов 341 [c.358]

Из (12.26) следует, что для получения максимальной внутренней эффективности светодиода следует по возможности увеличить отношение вероятности излучательной рекомбинации к безызлуча-тельной. Безызлучательная рекомбинация, как правило, определяется в основном глубокими рекомбинационными центрами, излу-чательная же идет обычно в результате межзонных переходов (рис. 12.11, а), переходов из зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни (рис. 12.11, 6) или с мелких донорных уровней в валентную зону (рис. 12.11, б). Вероятность безызлучательной рекомбинации можно уменьшить, очистив полупроводник от глубоких рекомбинационных центров. Сделать это очень трудно, так как сечение захвата носителей некоторыми примесными центрами, например медью, велико и требуется очень высокая степень очистки оттаких примесей. Поэтому качество светодиодов в значительной мере зависит от степени очистки исходных материалов и совершенства технологии изготовления диодов. [c.332]

На основе полученных данных о рекомбинационном свечении щелочно-галоидных кристаллофосфоров казалось вполне естественным предположение о том, что в результате возбуждения происходит ионизация самих центров свечения. При этом мыслилось, что в случае селективного поглощения света самим активатором возбуждающий свет производит фотоионизацию центров свечения непосредственно. В случае же поглощения света основным веществом решетки ионизация центров свечения происходит в результате захвата положительных дырок ионами активатора. Излучение фосфора гриписыва-лось последующему процессу рекомбинации электронов с ионизованными центрами свечения. Для объяснения идентичности спектров флуоресценции и фосфоресценции пришлось ввести дополнительную гипотезу о двухстадийности этого процесса предполагалось, что сначала электрон безызлучательно переходит на уровень возбуждения ионизованного центра, после чего лишь переходит на основной уровень с испусканием света. [c.240]

Обычно в процессе рекомби-национного излучения участвуют примесные (мелкие и глубокие) — уровни. Рекомбинация с участием двух мелких примесных уровней, когда захват электрона и дырки на локальные уровни происхо- > дит безызлучательно (переходы 7 и 2), а рекомбинация (переход 3) излучательпо, иллюстри- [c.89]

В большинстве случаев процессы излучательного захвата ) электронов или дырок на глубокие центры оказываются значительно менее вероятными, чем безызлучательная диссипация избыточной энергии. Передача энергии, освобождаюшейся в акте захвата одного носителя другому свободному носителю ("оже-процесс"), может происходить только при достаточно высоких концентрация.х свободных носителей. При обычных концентрациях (менее 10 -10 см ) основным механизмом диссипации энергии, как правило, является передача сс кристаллической решетке в виде фононоп. [c.90]

В соответствии с описанием Лэнга и Генри [53,54] безыз-лучательный захват неосновных носителей происходит иногда в результате изменения энергии глубокой ловушки при колебаниях кристаллической решетки. Таким образом, как показано на рис. 8.3.8, интервал энергий ловушки Et может простираться до перекрытия с краем зоны проводимости и безызлучательно захватывать инжектируемый электрон. После этого решетка ре-лаксирует так, что энергия уровня понижается. Непосредственно после захвата электрона решетка испытывает сильное иска- [c.338]

Большие значения а означают, что в ПП Э.— макроскопич. образование. Эффективная масса, соответствующая движению его (как целого) М т - --Ьтод. Для щёлочно-галоидных кристаллов и кристаллов благородных газов 1 эВ, а 10 —10- см такие Э. занимают промежуточное положение между Э. Френкеля it Э. Ванье — Мотта. Образование Э. сопровождается деформацией элем, ячейки. Время жизни т Э. невелико эл-н и дырка рекомбинируют с излучением фотона, обычно за время 10- —10 " с. Кроме того, Э. может погибнуть безызлучательно, напр, при захвате дефектами решётки. [c.861]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...