Лазер с переворачиванием спина

Существующие возможности нелинейного оптического преобразования частоты первичного лазерного излучения приводят к созданию вторичных источников излучения с перестраиваемой частотой, таких как параметрический генератор, поляритонный лазер, лазер с переворачиванием спина эти источники будут рассмотрены в следующем разделе, посвященном проблеме перестройки источников света, [c.38]

Из всего изложенного можно заключить, что описанные исследования дают важную информацию о свойствах полупроводников, находящихся под воздействием внешних полей. Кроме того, приведенные численные данные свидетельствуют о том, что лазер с переворачиванием спина представляет исключительный интерес для практических применений это было, между прочим, доказано спектральными исследованиями в газах в инфракрасной области при высокой разрешающей способности. [c.401]

Из приборов этого класса наибольший интерес, несомненно, представляют рамановские лазеры с переворачиванием спина, использующие комбинационные резонансы в полупроводниках. Такие генераторы позволяют получить перестраиваемое излучение с длиной волны вблизи 5 и 10 мкм. Надо сказать, что техника их находится на очень высоком уровне стабильность частоты такого перестраиваемого генератора в непрерывном режиме не хуже 1 кГц. Рамановские лазеры с переворачиванием спина уже использовались в ряде экспериментов, в которых определялась концентрация N0 и Н2О в стратосфере. [c.8]

Лазер с переворачиванием спина. В лазерах с переворачиванием спина преобразование частоты лазерной волны первичного излучения //. осуществляется с помощью вынужденного комбинационного рассеяния на магнитно перестраиваемых уровнях полупроводника (см. п. 3.163). При этом в качестве перестраиваемого излучения могут использоваться стоксовы и антистоксо-вы линии различных порядков, частота которых определяется выражением [c.40]

Специально в связи с проблемой создания перестраиваемых лазеров были проведены исследования вынужденного комбинационного рассеяния на свободных носителях заряда в полупроводниках. Энергетические состояния носителей заряда вырождены при воздействии (квази)статического магнитного поля на твердое тело происходят расщепления на уровни Ландау, разность энергий которых соответствует циклотронной частоте, и на подуровни, соответствующие ориентациям спинов электронов. При излучательных процессах могут иметь место переходы между уровнями с различной ориентацией спинов, т. е. явления переворачивания спинов (spin-flip). Исследования этих процессов переворачивания спинов внесли важные вклады как в лучшее понимание свойств полупроводников, так и в их практические применения [3.16-12 — 3.16-14]. [c.396]

Таким образом, становится возможным создание антистоксова лазера с переворачиванием спина, работающего в непрерывном временном режиме. При непрерывном облучении кристалла п-1п5Ь (размеры 4Х2Х Х2 мм , Пе=1-10 см ) светом СО-лазера мощностью 3 Вт достигаются при В = 0,05 В-с-м- (= 500 Гс) следующие мощности излучения 0,2 Вт (первая стоксова линия), 0,015 Вт (вторая стоксова линия, антистоксова линия). [c.401]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...