ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Термометрия кристаллов по сдвигу края поглощения из "Лазерная термометрия твердых тел " Изменение поглощающих свойств полупроводниковых материалов в области края межзонных оптических переходов при нагревании известно давно. В курсе общей физики [5.1] обсуждается оптическое явление, на основе которого можно разработать метод бесконтактного измерения температуры слой иодида ртути HgI2 на отражающей подложке при нагревании изменяет свой цвет от желтого до красного. Соединение HgI2 является полупроводником с шириной запрещенной зоны g 2,4 эВ (что соответствует длине волны примерно 517 нм, относящейся к зеленому диапазону видимого спектра), которая изменяется с температурой как (1Е /(1в —10 эВ/К [5.2]. [c.109] Метод термометрии по сдвигу края поглощения позволяет измерять как стационарную, так и нестационарную температуру полупроводниковых монокристаллов в диапазоне от криогенных до высоких [в 1500 °С) температур. В настоящее время этот метод является вторым (после лазерной интерференционной термометрии) по температурной чувствительности сигнала. [c.109] Край поглощения при комнатной температуре соответствует для наиболее важных полупроводниковых монокристаллов длинам волн, лежащим в видимом или ближнем инфракрасном диапазонах спектра. Например, для монокристалла германия ( g 0,7 эВ) заметное поглощение при 300 К наблюдается при зондировании излучением с длиной волны Л 1,8 мкм, для кремния ( g 1,1 эВ) при Л 1,1 мкм, для арсенида галлия ( g 1,4 эВ) при Л 0,9 мкм, для фосфида галлия 2,24 эВ) при Л 0,55 мкм и т. д. [c.109] Вернуться к основной статье