Физические основы процессов при ионной имплантации

Физические основы процессов при ионной имплантации [c.77]

Таким образом, краткое рассмотрение процессов, происходящих при взаимодействии ускоренных ионов с веществом, показывает, что технологические возможности ионных пучков велики. Разработка технологии ионной имплантации должна базироваться на количественном описании физических процессов взаимодействия ускоренных частиц с твердым телом на основе фундаментальных законов физики, и в первую очередь закона сохранения энергии. Несмотря на совместное действие упругих ядерных и неупругих электронных взаимодействий, можно рассматривать отдельно упругие и неупругие взаимодействия, считая их независимыми. Наиболее важным с практической точки зрения в механизме взаимодействия ускоренных ионов с металлическим твердым телом является глубина их проникновения. [c.169]

В данном курсе мы не будем касаться физических процессов, лежащих в основе ионной имплантации и метода радиационного легирования, и вопросов, связанных с применением этих методов для легирования полупроводников и создания полупроводниковых приборов. Эти вопросы подробно изложены в специальной литературе, например [28,39]. [c.266]

Однако прогресс в двумерном моделировании технологических процессов не бьш таким быстрым. Несмотря на разработку нескольких программ двумерного моделирования основных технологических процессов (например, SUPRA) в Станфорде и других местах, эти программы не содержали строгих двумерных кинетических моделей, которые позволили бы точно предсказьшать профили распределения легирующих примесей и геометрию приборов в широком диапазоне условий. Это обусловлено отсутствием хороших физических моделей окисления, ионной имплантации, диффузии и химического вакуумного осаждения. Совершенно ясно, что эти процессы не одномерны. Недавние эксперименты показали, что окисление и диффузия в локализованной области кремниевой подложки могут существенно повлиять на окисление и диффузию в соседних по вертикали и смежных по горизонтали областях. В настоящее время нет ясного понимания подобных результатов на основе фундаментальных физических механизмов, хотя в последние несколько лет проводились обширные исследования. Очевидно, что для точного моделирования структур субмикронных размеров мы должны иметь количественное описание подобных явлений. [c.45]

Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем (ИС) и электрических характеристик их основных элементов - МОП-транзисторов. Рассмотрены модели диффузии, ионной имплантации, окисления, отжига, литографии, осаждения, травления и модели, описывающие функционирование МОП-транзисторов. Подробно обсуждены области применимости этих моделей для анализа работы приборов в различных режимах. Приведены основные алгоритмы, используемые при моделировании технологических процессов и приборов на основе МОП-структур. Пбказано, как эти алгоритмы реализуются в существующих программах одно- и двумерного математического моделирования, и описаны структуры программ. Продемонстрировано, каким образом происходит стыковка программ моделирования технологических процессов и программ расчета характеристик приборов. Большое внимание уделено обсуждению специфических двумерных эффектов, приобретающих все большее значение в связи с уменьшением характерных размеров элементов ИС. При этом речь идет как об особенностях физических моделей, которые важны для учета двумерных эффектов, так и об особенностях их численного анализа. [c.4]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...