Закономерности роста диффузионных покрытий

Закономерности роста диффузионных покрытий [c.134]

Закономерности диффузионных процессов, при росте покрытий [c.117]

Таким образом, процессы отбора прикроете кристаллов в слое насыщения требуют для своего развития пространственной свободы . Границы зерен ограничивают объем материала, в котором происходит отбор. В мелкозернистом материале рост кристаллов новой фазы (карбида молибдена) происходит практически независимо в каждом зерне. Такая закономерность фазо- и кристаллообразования npfa получении диффузионных слоев показывает, что текстурообразование в них зависит от структурного состояния матрицы, а не только от обычно учитываемых параметров (температуры, состава среды и т.п.). К числу наиболее существенных отличий условий роста диффузионных покрытий следует отнести первое значительно большая плотность среды, в которой растут кристаллы второе — упорядоченное расположение атомов среды (кристаллическая решетка) третье - атомы среды взаимодействуют друг с другом, что ограничивает их подвижность четвертое — рост совокупности кристаллов происходит в результате диффузии атомов через растущую совокупность кристаллов. [c.116]

Зажигание разряда в парогазовой среде при нанесении покрытий оказывает влияние не только на закономерности их роста> но и как следствие на их строение и структуру [14, с. 137]. Основными отличиями. карбидных покрытий, полученных в разряде, являются мелкое зерно и большее совершенство границ между зернами. Эти отличия заметно ска-зьюаются на диффузионной подвижности углерода в покрытии, что в свою очередь оказывает влияние на закономерности роста самого покрытия. [c.141]

В, предыдущих параграфах были проанализированы примеры роста совокупностей кристаллов, в которых влияние подложки сводилось только к эпитаксиальному. Такие условия роста реализуются весьма часто. Однако не менее интересны закономерности роста совокупностей, у которых взаимодействие с подложкой сводится к чисто диффузионному. Не касаясь практической важности и распространенности тгисого рода взаимодействия при получении покрытий, в этой главе обратим внимание лишь на закономерности отбора при таком взаимодействии в процессе роста совокупностей кристаллов. [c.34]

Переходя к анализу линейного роста толщины диффузионного покрытия, следует отметить, что закон движения плоскости скачка кон-иентрации на границе раздела фаз неизвестен. Это не йозволяет перенести на рассматриваемый случай методику расчетов, примененную для параболического закона. Поэтому бьши получены приближенные оценки, которые могут дать лишь грубце представления о закономерностях роста фазовых слоев в покрытиях, растущих по линейному закону [4,5,25,27,28], [c.130]

Рассмотренные закономерности показывают, что при рещешвд задачи, относящейся к диффузионному взаимодействию материала подложки с материалом покрытия, необходимо рассмотреть по крайней мере два случая линейного и параболического законов роста толщйны покрытия. Основным допущением, которое обычно делается при решении этих задач, является предположение, что диффузия односторонняя и испарение вещества с поверхности покрытия отсутствует. Это допущение вполне правомерно, так как оно отражает существо задачи и в какой-то мере упрощает ее решение. [c.134]

Введение водорода в состав среды существенно сказывается на кинетических закономерностях роста покрытия, а следовательно, распределении концентрации углерода в нем. Водород смещаетюС термодинамической неустойчивости свободного металла к более низким температурам. Для ниобия граница этой области расположена ниже 970 К. Интенсивность диффузионных процессов при таких температурах весьма мала, поэтому и скорость образования карбидного покрытия также мала. [c.140]

В заключение необходимо отметить, что изучение диффузионной кинетики элементов матрицы в растущем покрытии представляет интерес с точки зрения кинетики фазообразования в процессе роста толщины покрытия. Получаемые параметры диффузии (коэффициенты диффузии и энергая активации) в большей мере характеризуют процессы роста покрытий, чем закономерности диффузии в системе элемент матрицы - осаждаемое покрытие. [c.145]

Дефектообразование в покрытиях и диффузионных слоях — это неизбежный процесс, сопровождающий их рост. Возникающие микро- и макродефекты, за небольшим исключением, связаны с особенностями роста кристаллов покрытий и диффузионных слоев. Наиболее сильное влияние на дефектоббразование оказывают примесные компоненты среды, контактирующей с покрытием и диффузионным слоем в процессе их роста. Примесные компоненты, входящие в состав кристаллов, влияют на закономерности их роста в результате доминирующим оказывается нор-мальньщ механизм роста кристаллов. [c.146]

При росте температуры эксплуатации фактор диффузионного растворения покрытия в основе становится доминирующим. Так, слой Мо81з на молибдене толщиной 100 мкм полностью переходит в слабозащитный низший силицид молибдена, Мод31з, при 1500° С за 50—60 ч. Увеличение исходной толщины покрытия не решает дела, поскольку параллельно идет рост концентрации трещин. Для торможения этого процесса необходимы барьерные слои, выбор которых может основываться на следующих эмпирических закономерностях. [c.5]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...