Направленность отбора при росте совокупности кристаллов

Итак, при росте совокупности кристаллов из молекулярных пучков в результате естественного отбора образуются столбчатые кристаллы, направление роста которых совпадает с направлением молекулярного пучка. В таких совокупностях возможно развитие текстуры, причем тип текстуры может быть оценен априори. Такой вывод сделали, используя скорость роста кристаллов и стремление системы к наименьшей свободной энергии как факторы отбора. Подложка рассматривалась только как носитель совокупности кристаллов. Ни разу не предполагалось, что она может оказать какое-либо воздействие на закономерность развития совокупности кристаллов естественно, что и свойства подложки никакой роли не играли. В связи с этим установленные закономерности в какой-то мере ограничены, так как хорошо известно, что роль подложки при росте совокупностей кристаллов огромна. Однако полученные на этой стадии анализа результаты имеют принципиальное значение. [c.25]

Направленность отбора при росте совокупности кристаллов [c.28]

Сначала рассмотрим случай, когда направление пучка параллельно нормали к поверхности исходной совокупности. Этим фактически определена среда, в которой происходит рост рассматриваемой совокупности. Теперь необходимо выбрать фактор отбора. Для простоты и наглядности выберем в качестве фактора отбора скорость роста каждого кристалла совокупности. Для возможности проведения анализа необходимо вспомнить некоторые представления, касающиеся взаимодействия атомов с поверхностью кристаллов. [c.20]

Локальные скопления кислорода на подложке способствуют развитию микроскопических дефектов в зародышах кристаллов на этих скоплениях. Развитие зародышей связано с вхождением кислорода в их состав. Уже на этой стадии возникают условия, когда кристаллы на локальных скоплениях приобретают преимущество в скорости роста вследствие их дефектности. В процессе дальнейшего роста дефектность не только не уменьшается, а, напротив, увеличивается в результате повышенной аккомодации не только атомов меди, но и кислорода. Каждый кристалл такой локальной совокупности имеет свою ориентировку, определяемую ориентировкой зародыша. Поэтому отбор по энергетическому фактору практически не происходит. Кристаллы растут независимо друг от друга, текстура роста не возникает, а если возникает, то она, по-видимому, отражает текстуру зарождения. Огрубление поверхности кристаллов выроста, приводит к нормальному закону их роста, что и обеспечивает совпадение направления роста с направлением подачи атомов меди. [c.90]

Поры, возникающие в процессе отбора при росте кристаллов покрытия. Пористость этого вида возникает всегда, если покрытие образуется в результате роста кристаллов в условиях конкурентного отбора. Причина возникновения таких пор заложена в самом принципе отбора и отбора направлений при росте больших совокупностей кристаллов. Схема возможных пор> возникающих в этих условиях, приведена на рис. 23, из которого видно, что возникающие поры могут быть как сквозными, так и закрытыми. Что касается их формы, то она может быть самой разнообразной в значительной степени она завишт от размера и формы кристаллов в покрытии. Пористость, возникшая в процессе отбора, по своим размерам, как правило, существенно превосходит пористость вжансионного и деформационного происхождений. В связи с этим в основном она определяет эксплуатационные свойства покрытий. [c.71]

Использование каплеотбойника может дать информацию о распределении частиц пара по скоростям, а тем самым по энергиям при нанесении покрытий. Получение такой информации открывает новое направление в изучении природы роста покрытий, а именно изучение влияния энергии частиц, из которых формируется покрытие, на процессы зарождения и закономерности отбора при росте больших совокупностей кристаллов. Такие работы практически отсутствуют. [c.87]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...