Эпитаксия твердофазная

При твердофазной эпитаксии происходит перекристаллизация фазы второго слоя, контактирующего с монокристаллической подложкой, и ее Ориентированное нарастание на поверхность подложки в результате диффузионных процессов. Диффузионные процессы в твердой фазе протекают медленно й требуют термообработки структуры. Для сохранения расположенных в подложке приборных структур применяют импульсную термическую обработку. [c.332]

При образований тончайшего слоя расплава, например, в результате контактного плавления (понижение температуры начала плавления (ликвидуса) в результате взаимной диффузии компонентов), в котором немаловажную роль играют имеющиеся на границе раздела примеси, твердофазная эпитаксия может перейти в жидкофазную. В этом случае скорость протекания процесса возрастает. [c.332]

Если система металл-полупроводник эвтектического типа (см. рис. 1.36), то в процессе изотермического отжига при температуре ниже температуры эвтектического равновесия Ге происходит растворение полупроводника и его кристаллизация из пересыщенного твердого раствора на монокристаллической подложке (рис. 5.13). Движущая сила этого процесса - более высокая свободная энергия аморфной фазы по сравнению с кри-Рис. 5.13. Твердофазная эпитаксия для сталлической (см. рис. 1.87). [c.332]

Рис. 5.14. Твердофазная эпитаксия для системы, образующей химические соединения

Какой процесс идет быстрее жидкофазной или твердофазной эпитаксии [c.333]

В основном процесс непрерывного лазерного отжига идентичен уже рассмотренному процессу термического отжига, за исключением того, что температура отжига поддерживается в образце в течение столь короткого времени, что полностью успевают завершиться только самые быстрые тепловые процессы, в том числе и твердофазная эпитаксия. При этом обычно не наблюдается преципитация примесей, формирование дислокационных петель и стержней, поскольку на их образование не хватает времени. [c.167]

Как уже отмечалось, основным механизмом непрерывного пучкового отжига является твердофазная эпитаксия. Наиболее убедительное подтверждение этого вывода, полученное в [5.15], иллюстрируется рис. 5.7. Здесь [c.169]

Методы твердофазной эпитаксии основаны на процессах ориентированного роста в двух- или трехслойных системах при изотермическом отжиге. Основным достоинством метода является низкая температура эпитаксии. Успешное проведение процесса обеспечивается хорошим контактом между слоями. Один из слоев - монокристаллическая подложка другим слоем может быть аморфная, поликристаллическая или частично ориентированная фаза (толщина < 1 мкм). В качестве третьЬго, промежуточного, слоя используются тонкие пленки (толщина около 0,02+0,6 мкм) различных металлов как среды для переноса материала будущего эпитаксиального слоя. [c.332]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...