Нитриды структурные модификации

Широкое применение Ш-нитридов в качестве материалов полупроводниковой техники, электронной промышленности, химического приборостроения, для изготовления конструкционной керамики общего и специального назначения, в производстве твердых, износостойких материалов, абразивов, защитных покрытий и т. д. [1—4] обусловило развитие новых методов их получения (обзоры [3—18]), которые позволяют эффективно регулировать функциональные свойства нитридов путем направленной модификации их структурного и химического состояний. Синтезируемые при этом системы (в том числе в неравновесных условиях — например, в виде тонких пленок, покрытий, гетероструктур [12—14, 17,18]), включают большое число разнообразных дефектов, отличающих характеристики получаемого материала от свойств идеального кристалла. Очевидна роль дефектов в формировании эксплуатационных параметров многокомпонентных нитридных систем — керамик, композитов [2, 3, 9,16]. [c.34]

В последние годы интенсивное развитие получили квантовохимические исследования взаимных превращений различных форм нитрида бора. Серия расчетов изотермических зависимостей объема от наружного гидростатического давления для алмазоподобных модификаций ВК обсуждается в [72]. Целью явились неэмпирические оценки равновесных структурных и других свойств (оптических, механических и т. п.) конкретных модификаций нитрида [c.20]

Среди вьшолненных в этом направлении работ отметим исследование [136], где рассмотрен энергетический аспект структурных трансформаций слоистых модификаций нитрида бора в плотноупа-кованные формы (p-BN —> к-ВК (кубический) и г-ВК —> в-ВК (вюртцитоподобный)). Авторам [136] удалось детально проследить за динамикой перестройки отдельных связей и зарядовых плотностей при преобразованиях структуры. Например, установлено, что заметные межслоевые связи обнаруживаются лишь на последних этапах перестройки (р-ВН -> к-ВК), когда система перешла энергетический барьер, слоистая структура фактически разрушена и начинает оформляться стабильная плотноупакованная фаза. [c.21]

Подобно работам по Ш-нитридам, развитие компьютерного материаловедения нитридов р лементов IV группы следует двум направлениям. В рамках первого из них, используя современные первопринципные методы, добиваются наиболее полного описания электронных характеристик и возможно большего числа физико-химических свойств для чистых нитридов (в кристаллическом либо аморфном состояниях). Сюда же можно причислить работы по моделированию иных возможных форм IV-нитридов — нанотубулярных, молекулярных (кластерных), которые рассмотрены нами на примере нитридов углерода, глава 3. Исследования второй группы ориентированы на описание микроскопических механизмов модификации свойств нитридов при создании на их основе разнообразных гетероструктур, композиционных и керамических материалов, связанных с изменением химического и структурного состояний исходного соединения. [c.84]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...