Сечение возбуждения неона

Для сравнения с результатами рис. 3.22 на рис. 3.23 представлены распределение энергии и сечения поглош,ения, которые соответствуют разряду в гелии при условиях работы Не — Ne-лазера. В этом случае предполагалось наличие максвелловского распределения со средней энергией электронов 10 эВ. Представленные на рисунке сечения соответствуют возбуждению электронным ударом на уровни 2 S и 2 5 гелия (которые действуют как уровни накачки неона, опять-таки путем передачи энергии). Заметим, что эти сечения примерно на два порядка меньше сечений для молекулы N2. Такой результат объясняет, почему максвелловское распределение является весьма хорошим приближением в данном случае. Обратите внимание [c.147]

Перечислим работы по определению сечений возбуждения в вакуумной области спектра атомарного и однократно ионизованного кислорода [63, 86а, 87—90], атомарного азота и однократно ионизованного азота [62, 84, 89, 93, 94а], атомарного гелия [86, 96, 97], атомарного и ионизованного неона [98—100], атомарного и ионизованного аргона [95, 101—103], иона ртути 104, 105], атомарного и однократно ионизованного криптона 106, 107], атома и ионов ксенона [107, 108, 108а], атомарного и однократно ионизованного углерода [91, 92]. [c.341]

Как уже отмечалось выше, возможно и другое применение хЛ1етода относительных. интенсивностей. Независимым путем определяется Те, например, методом исследования контура линии томсоновского рассеяния лазерного излучеиия и, зная Тс, можно найти сечения различных процессов. Для этого следует определить относительные или абсолютные яркости линий, сечения возбуждения которых определяются. Этот метод применялся для определения сечений возбуждения линий ионов неона 62], линий изоэлектронного ряда лития (О VI, N V, Ne VIII) 63, 64, линий О VII [65] н линий N V [66]. Возбуждение линий N V происходит из основного состояния иона электронным ударом. Для плазмы достаточно низкой плотности распад возбужденных состояний ионов происходит только путем излучения и можно не учитывать вторичные процессы. Следовательно, общее число возбуждений равно общему числу испущенных фотонов. Это означает, что для определения сечения надо измерить абсолютную интенсивность спектральной линии, иайти Тс и N . [c.360]

Чтобы убедиться, что именно клин является основным дефектом используемого реального ИФП, проведено измерение рельефа зеркал по методу, предложенному в работе [44]. Исследуемая линия состоит из двух компонентов, принадлежащих изотопам неона (с относительной интенсивностью, соответствующей концентрациям pi = 0,909, р2 = 0,091) и с изотопным сдвигом 6i2 = 0,45. Дисперсионная полуширина этой линии определяется, кроме естественной полуширины, резонансным ушире-нием, обусловленным большим сечением передачи возбуждения для уровня 3sPj. В этом случае имеем L = Leer где [c.114]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...