Спектральная зависимость фотопроводимости

Спектральная зависимость фотопроводимости исследована в [10.280]. В соответствии с [10.218] доминирующий тип фотопроводимости в сине-зеленой области спектра — электронный, цт л 2.4-10 см -В 1 (Z-d 0.25 мкм) при Я, = 633 нм [10.282]. [c.290]

Спектральная зависимость фотопроводимости германия показана на рис. 8-16. Максимум фотопроводимости достигается при 1,3— [c.344]

На рис. 1 (кривая 3) приведена усредненная по данным 5 опытов спектральная зависимость фотопроводимости Ао монокристалла YIG, отнесенной к интенсивности падающего излучения /. Характер зависимости фототока от длины волны хорошо воспроизводился при повторных измерениях. [c.150]

Спектральная зависимость фотопроводимости. В условиях стационарного освещения кристалла с пренебрежимо малым темпом поверхностной рекомбинации его объемная биполярная фотопроводимость равна [c.62]

Спектральная зависимость фотопроводимости, очевидно, должна соответствовать спектру поглощения полупроводника (рис. 12.7). Однако, как видно из рис. 12.7, в области края собственного поглощения наблюдается не только длинноволновый (как у поглощения), но и коротковолновый спгд фотопроводимости. [c.86]

Мы исследовали отражение естественных граней роста монокристаллов иттриевого феррита-граната 10 в интервале длин волн 800—40 нм с последующим расчетом коэффициента поглощения с помощью соотношения Крамерса — Кронига (для проведения расчета также было определено пропускание УЮ в области слабого поглощения). Спектральную зависимость фотопроводимости, исследованную при "к— [c.147]

При исследовании фотопроводимости YIG в интервале длин волн 800—275 нм в качестве источника излучения использовали дуговую ксе оновую лампу сверхвысокого давления ДКсШ-1000. Спектральную зависимость интенсивности лампы измеряли с помощью радиационной термопары. На исследуемый образец фокусировали излучение, прошедшее монохроматор типа ЗМР-3 с шириной входной и выходной щелей 0,15 мм. Спектральные ширины щелей АА, составляли [c.150]

S/D поправочный множитель в (2.18) может быть значительно больше единицы, что соответствует появлению максимума на спектральной зависимости стационарной фотопроводимости. Например, при D = 20 см2/с и 5" = 10 см/с такой максимум будет наблюдаться при а < 50 см". С увеличением скорости рекомбинации максимум фотопроводимости смещается в область больших а. Максимумы стационарной фотопроводимости на краю фундаментальной полосы поглощения регистрировались для ряда полупроводников — германия, кремния, GaAs и др. — см., например, рис.2.9. [c.63]

Примеси в полупроводниках ионизуются в результате теплового возбуждения, освещения или какого-либо другого внещнего воздействия. В отсутствии внещних воздействий при температуре вблизи нуля атомы примесей в полупроводниках не ионизованы.Энергия ионизации примеси зависит от силы связи валентных электронов примесного атома с его ядром и с электронами других атомов в кристалле. Обычно валентные электроны примесного атома, не принимающие участия в образовании химической связи в кристалле, ионизуются в первую очередь при внещних воздействиях. Энергия ионизации примеси экспериментально может быть определена из измерений температурной зависимости постоянной Холла (термическая энергия ионизации), спектральной зависимости коэффициента поглощения света и фотопроводимости (оптическая энергия ионизации). Установлено, что энергия ионизации примеси зависит от концентрации примеси и в общем случае уменьшается с ее ростом. [c.118]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...