Технические кривая намагничивания и петля гистерезиса

Технические кривая намагничивания и петля гистерезиса [c.277]

Важнейшим для практики разделом теории магнетизма является теория технической кривой намагничивания и петли гистерезиса, которая объясняет технические свойства магнитных материалов, указывает пути улучшения этих свойств и позволяет в ряде случаев определить предельные характеристики материалов. [c.277]

Ферро- и ферримагнетики являются кристаллическими веществами. Ход технической кривой намагничивания и петли гистерезиса зависит от различных видов взаимодействий в кристаллах. Исследования показали, что в магнитном отношении кристаллы анизотропны и имеют направления (оси) легкого и трудного намагничивания. Так, Ре, сплавы Ре — 51, Ре — N1 и ряд других кристаллизуются в кубической структуре и осями легкого намагничивания у них являются ребра куба, а самого трудного — пространственные диагонали. Для N1, кристаллизующегося также в кубической структуре, имеет место обратное распределение осей. В размагниченном образце направления магнитных [c.277]

Освоить один из простейших технических методов снятия магнитных характеристик — метод определения начальной кривой намагничивания и петли гистерезиса. [c.183]

Рис. 16.32. Техническая кривая намагничивания (петля гистерезиса). Коэрцитивная сила Не — обратное поле, необходимое для того, чтобы уменьшить до нуля магнитную индукцию В остаточная индукция Вг -значение В при Я = 0 Bs — индукция насыщения, определяемая как предельное значение [В — Н) прн больших Н. Намагниченность насыщения М, равна Вз14л. В системе единиц СИ по вертикальной оси откладывают В = [1о НМ). (.Масштаб по вертикальной оси сильно сжат.)

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...