Кристаллообразование в диффузионных слоях

Кристаллообразование в диффузионных слоях [c.111]

К числу нацмёнее изученных вопросов относится кристаллообразование в диффузиВнных слоях. Сложность этого вопроса состоит в том, что рост кристаллов в диффузионном слое происходит на базе кристаллической решетки матричной фазы. Преобразование решетки сопровождается возникновением напряженного состояния как в матричном материале, так и в кристаллах растущей фазы. При этом следует иметь в виду, что процессом, контролирующим рост кристаллов новой фазы, является диффузия элемента насыщения. При последовательном образовании в диффузионном слое нескольких фаз интенсивность роста слоя контрожруется фазой с наименьшей подвижностью элемента насыщения. При возникновении напряжений сжатия в образовавшихся фазах, даже обладающих кубической решеткой, может возникнуть анизотропия коэффициента диффузии [55]. Так, в фазах с г,ц.к.-решеткой при следующем соотношении упругих постоянных [c.111]

Существенные результаты, необходимые для понимания закономерностей фазо- и кристаллообразования в слоях диффузионного насыщения, были получены в [78], где изучались карбидные слои в поли-кристаллическом текстурированном молибдене с размером зерна 500 мкм и менее 100 мкм. При одинаковой текстуре [100] можно было выявить роль границ зерен в проЦесЬе отбора кристаллов карбида молибдена при их росте. Было установленоj что при насыщении образцов с размером зерна менее 100 мкм поверхностный слой из карбида молибдена имеет преимущественную ориентировку, в которой плоскости базиса решетки параллельны плоскости 100 насыщаемого молибдена. Для крупнозернистых образцов преимущественная ориентировка карбидного слоя развивается таким же образом, как и при насыщении монокристаллов. [c.116]

Таким образом, процессы отбора прикроете кристаллов в слое насыщения требуют для своего развития пространственной свободы . Границы зерен ограничивают объем материала, в котором происходит отбор. В мелкозернистом материале рост кристаллов новой фазы (карбида молибдена) происходит практически независимо в каждом зерне. Такая закономерность фазо- и кристаллообразования npfa получении диффузионных слоев показывает, что текстурообразование в них зависит от структурного состояния матрицы, а не только от обычно учитываемых параметров (температуры, состава среды и т.п.). К числу наиболее существенных отличий условий роста диффузионных покрытий следует отнести первое значительно большая плотность среды, в которой растут кристаллы второе — упорядоченное расположение атомов среды (кристаллическая решетка) третье - атомы среды взаимодействуют друг с другом, что ограничивает их подвижность четвертое — рост совокупности кристаллов происходит в результате диффузии атомов через растущую совокупность кристаллов. [c.116]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...