Применения фоторефрактивных кристаллов

В связи с тем что в настоящей книге рассматриваются применения фоторефрактивных кристаллов в качестве реверсивных светочувствительных сред в голографических системах и устройствах оптической обработки информации, представляется целесообразным привести некоторые необходимые сведения об этих системах и устройствах. [c.21]

Другой областью применений фоторефрактивных кристаллов в когерентно-оптических процессорах могло быть их использование в качестве сред для реверсивных голографических фильтров. [c.31]

Проблема динамического диапазона для фоторефрактивных сред исследована недостаточно полно, хотя именно низкие значения динамического диапазона являются в ряде важных случаев причиной, ограничивающей практические применения фоторефрактивных кристаллов. Формально величину динамического диапазона можно характеризовать соотношением [c.42]

ПРИМЕНЕНИЯ ФОТОРЕФРАКТИВНЫХ КРИСТАЛЛОВ [c.208]

В предыдущих параграфах описаны характеристики фоторефрактивных кристаллов, использование которых позволило реализовать большое число различных типов лазеров на динамических решетках. В данном параграфе мы рассмотрим другие нелинейные среды, на которых реализован ряд генераторов. Наибольшее число результатов относится к видимой области спектра, хотя в последнее время большой интерес проявляется к инфракрасной области, в частности 10,6 мкм, где имеются импульсные и непрерывные лазеры на СОг. Описываемые ниже среды находят применение и в этой области спектра, особенно полупроводниковые кристаллы и среды с тепловой нелинейностью. [c.55]

Наконец, самостоятельный интерес представляет вопрос о практических применениях фоторефрактивных сред и конкретных устройств обработки информации и управления лазерным излучением с помощью рассматриваемых кристаллов. В этом аспекте изучаются функциональные свойства фоторефрактивных сред, а также передаточные характеристики, чувствительность, динамический диапазон, быстродействие и др. [c.4]

Лазеры на фоторефрактивных кристаллах, описанные выше, продемонстрировали целый ряд особенностей генераторов с комбинированной активной средой. Однако в силу большой инерционности отклика фоторефрактивных кристаллов их использование для лазерных систем с динамическими неоднородностями не представляется возможным. В этом случае требуются более быстродействующие среды. В 6.2 была описана лазерная система с обращающим зеркалом на парюс Na. Такая система обладает высоким быстродействием (верхняя граничная частота порядка 10 МГц), но ее применение ограничено узким спектральным диапазоном - полосой поглощения Na. С этой точки зрения тепловая нелинейность является универсальной. Использование ее оказывается возможным для широкого спектрального диапазона. Хотя смешение волн на средах с тепловой нелинейностью обеспечивает не очень высокие значения Rf > случае гибридных лазерных систем этот недостаток компенсируется значительным усилением дополнительной активной среды. [c.210]

К настоящему времени голографическая запись на основе эффекта фоторефракции исследовалась также в кубических кристаллах KTN [10.318—10.321] и в изотропной ЦТСЛ-керамике [10.322— 10.329]. Однако голографическая запись в указанных средах оказывается весьма специфической, а возможности их практических применений — проблематичными. Поэтому заинтересованных читателей мы отсылаем к первоисточникам. В последнее время также начаты исследования фоторефрактивного кристалла BSKNN [10.161]. [c.294]

В дальнейшем фоторефрактивная голографическая запись была получена на целом ряде полупроводников [57—63], наиболее популярным из которых остается GaAs. Сообщалось о записи с использованием диффузионного механизма формирования объемного заряда [57] и с применением постоянного [61] и переменного [60,63] электрических полей. Именно в последнем случае был достигн)т рекордно большой коэффициент усиления Г 7 см [63] и впервые получено усиление (с учетом поглощения) сигнального пучка по сравнению с падающим на кристалл. Этот результат позволяет предсказать появление вырожденных по частоте оптических генераторов на полупроводниках в ближайшем будущем ). [c.55]

Именно так были сделаны оценки для Г — 2а в лазерах на кристаллах ниобата бария-натрия [95] и ниобата бария-стронция, легированного церием [96]. В обоих случаях усиление связано с диффузионным процессом и коэффициент усиления легко рассчитывается в приближении малых по сравнению с периодом решетки длин увлечения фотовозбужденных носителей. Поэтому данные эксперименты были призваны подтвердить возможность применения генерационных методик для оценки Г и оценить, если возможно, реальные длины увеличения в этих материалах. Характерный максимум в зависимости Г от пространственной частоты для ниобата бария-натрия (рис. 7.21) позволил дать верхнюю оценку для длины увлечения /д аг 0,7 мкм и НИЖНЮЮ оценку для концентрации активных фоторефрактивных центров 5 10 см" в исследованных образцах [95]. [c.255]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...