Дислокации в типичных кристаллических структурах

ДИСЛОКАЦИИ в типичных КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ [c.67]

Таким образом, во всех исследованных металлах, подвергнутых интенсивной деформации, при нагреве наблюдали близкую по характеру эволюцию наноструктур. Типичным является развитие процессов возврата, связанное с перераспределением и аннигиляцией дислокаций на границах и в теле зерен. Имеют место также рекристаллизационные процессы, приводящие к росту зерен, однако последовательность этих процессов определяется химическим составом и природой металла (энергией дефектов упаковки, типом кристаллической решетки), а также условиями интенсивной пластической деформации, которые определяют характер исходных наноструктур. Здесь в каждом случае требуются конкретные исследования. Важным также является установление процесса, контролирующего эволюцию структуры при нагреве. В работах [12, 140] предполагается, что этим процессом могут быть структурные перестройки на неравновесных границах зерен и скорость этого процесса контролирует возврат структуры и начало рекристаллизации. Однако выяснение этого вопроса требует дальнейших исследований. [c.136]

При объемной или смешанной кристаллизации электролитов накипеобразование в значительной мере происходит за счет кристаллов, приносимых к поверхности из объема раствора. Кристаллы электролитов и их конгломераты в растворах можно рассматривать как электронейтральные частицы. Однако ДЭС любой поверхности, когда он имеет те же ионы, что и приблизившийся к нему кристалл, не является для последнего ионным барьером и обеспечивает ему прочную связь с поверхностью нагрева. Паровые пузыри не разрушают эту связь и стимулируют накипеобразование. Если ДЭС поверхности нагрева состоит из других ионов, чем кристаллы электролитов в объеме раствора (многокомпонентная среда), последние отлагаются в накипь так, как это типично для электронейтральных взвесей. ДЭС катодного зерна металлической поверхности во многих случаях может оставаться без изменений. Для приведенного на рис. 1 случая такое может иметь место, если количество КС1 в растворе меньше предела растворимости этой соли. После образования на соседних анодных зернах кристаллической структуры, катодные зерна и их ДЭС оказываются ниже твердой поверхности (рис. 3, а), что в общем плане выглядит как нарушение кристаллической структуры поверхности. Известно, что дислокации, а вернее, сопутствующие им терассы и ступеньки на грани кристаллов, способствуют росту последних при ничтожном пересыщении. [c.59]

Сформировавшиеся полосы имеют вид, показанный на рис. 4.5 в, г. Полосы первого типа обладают резкими границами разориентации они чаще встречаются в ориентированных полимерах. Полосы второ го — более типичны для металлов и других кристаллических тел Детальные исследования дают основания считать, что плавное рас пределение переориентации в полосах, показанных на рис. 4.5, г связано с их мезоскопическим строением. Отдельные мезополосы имеют структуру, приведенную на рис. 4.5, в, и углы разориентации порядка нескольких градусов, поэтому их границы имеют простое дислокационное строение и обычно являются границами наклона. (Иногда границы мезополос могут иметь более сложное строение, кроме тривиальных зарядовых дислокаций в стенках присутствуют дислокационные диполи и сидячие дислокации, закрепляющие границу [33],) [c.113]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...