GaAs—Al*Gai

Структура ZnS (рис. 1.26, 1.27). По типу структуры ZnS кристаллизуются многие бинарные соединения (GaAs, IzSb, ZnO). Сточки зрения плотнейшей упаковки любую структуру можно представить как состоящую из октаэдров и двойного числа тетраэдров, при этом возможны тетраэдры двух сортов —одна половина тетраэдров вершинами смотрит вдоль тройной оси (ось, перпендикулярная плотноупакованньш слоям) упаковки вверх, а другая половина —вниз. Заселяя одну половину тетраэдров катионами, приходим к структурному типу ZnS. Особенностью структур этого типа является их полярность, вызванная неравноценностью двух концов тройных осей — один конец соответствует основанию тетраэдра, а другой— вершине. [c.31]

Решеточное поглощение наблюдают в ионных кристаллах или в кристаллах, в которых связь между атомами в какой-то степени является ионной (например, в бинарных полупроводниках InSb, GaAs и т. д.). Такие кристаллы можно рассматривать как набор электрических диполей. Эти диполи могут поглощать энергию электромагнитного (светового) излучения. Наиболее сильным поглощение будет тогда, когда частота излучения равна частоте собственных колебаний диполей. Поглощение света, связанное с возбуждением колебаний кристаллической решетки, называют решеточным. Решеточное поглощение наблюдают в далекой инфракрасной области спектра. [c.312]

Среди неэ( ективных фотоэмиттеров мы привели, в частности, арсенид галлия (GaAs). Однако этот фотоэмиттер (сильнолегированный /j-полупроводник) можно сделать эффективным, если нанести на его поверхность тонкую пленку [c.173]

На рис. 7.14 схемати- р чески изображен солнечный п -элемент, включенный в электрическую цепь. Большое практическое примене- ние находят солнечные элементы на основе кремния (точнее говоря, па основе контакта p-Si и w-Si) КПД этих элементов достигает 15 %. Применяются также элементы на основе арсенида галлия (GaAs). Имея несколько более низкий КПД, они в то же время характеризуются большей стойкостью к радиационным повреждениям. [c.181]

Рис. 22.138. Зависимости удельного сопротивления п- и p-GaAs при Г = 300 К от концентрации электронов или дырок [257]

Рис. 22.139. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в GaAs линии — расчет без учета (-) и с учетом (---) рассеянии электронов на ионизированных примесях точки — данные разных работ [258]

Рис. 22.140. Температурная зависимость холловской подвижности дырок в GaAs [259] концентрация акцепторов и доноров и Ы10 см- О ,3 и 1,8 Д — 11 и 3 Л — 7 и 5,5

Рис. 22.141. Зависимость холловской подвижности электронов при 7 = 300 К от концентрации электронов в легированных Sn кристаллах GaAs

Снижение работы выхода полупроводников путем адсорбции на их поверхности электроположительных атомов (цезия, бария и других) приводит к уменьшению X и резкому увеличению квантового выхода. В случае GaAs, GaP, Si и ряда других полупроводников совместная адсорбция цезия и кислорода приводит к столь сильному снижению работы выхода, что реализуется условие отрицательного электронного сродства (ОЭС). Полупроводники с ОЭС обладают наибольшим квантовым выходом в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. [c.576]

Рис. 25.23. Спектральная характеристика квантового выхода ФЭ для полупрозрачного фотокатода из GaAs [18]

Рис. 25.42. Зависимость коэффициента ВЭЭ для GaAs— sO-эмиттеров от энергии первичных электронов на отражение (1) и на прострел> (d=3- 4 мкм) (2) [26]

Специалисты полагают, что удешевление фотоэлементов за счет перехода к аморфному кремнию вместо монокристалличе-ского сделает метод прямого преобразования солнечной энергии в электрическую конкурентноспособным по сравнению с другими методами получения энергии. Подробное описание солнечных батарей на аморфном кремнии дано в i[68]. В настоящее время наиболее перспективным материалом считается определенным образом приготовленный аморфный сплав кремния с водородом, фотогаль-ванический эффект в котором был открыт в 1974 г. К 1978 г. КПД солнечных батарей на этом материале достиг 6%. Эта величина в 3—4 раза меньше достигнутой на кристаллических Si и GaAs, однако в последних максимальные значения КПД были получены через 20 лет после открытия соответствующего эффекта. Это подтверждает несомненную перспективность аморфных материалов для использования в солнечных батареях. Для успешной реализации этих батарей необходимо выполнение ряда условий, таких, как большой коэффициент оптического поглощения (в широкой области спектра), эффективный сбор носителей электричества на обеих сторонах полупроводникового материала (пленки), достаточно большой внутренний потенциал, определяющий ЭДС элемента. Эти условия определяются оптическими и электрическими свойствами аморфных полупроводников и в конечном счете энергетическим спектром электронов. Поэтому далее мы перечислим некоторые характерные свойства этих материалов, достаточно тесно связанные с картиной распределения состояний электронов по энергетическим зонам. [c.284]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...