Гетеролазеры на GaAs Sbi—у—Al Gai—xAs Sbi

Рис. 3. Схема двух полосковых гетеролазеров с распределённым брэгговским отражевием. Локализация протекания тока в узких полосках достигается за счёт высокого электрического сопротивления областей, подвергнутых ионной имплантации световое поле локализовано в составном вс>лноводе, образованном слоями n = Al(i,iGa ,eAs, p GaAs, а неравновесные носители локализованы в слое P GaAs, Л — шаг дифракционной решётки.

В этом параграфе дано краткое описание процессов растворения примесей в соединениях А" В . В GaAs, легируемом, обычно используемыми примесями при концентрациях приме-сей, больших 10 см , происходит большое количество слож- ных взаимодействий, однако такие концентрации в общем выше "требующихся для гетеролазеров. Поэтому здесь только кратко отмечены взаимодействия, возникающие при высоких концентра- циях, такие, как образование комплексов. Для управления ти- -пом проводимости и концентрацией мелких доноров и акцепто- [c.109]

Элементы IVA группы Si, Ge н Sn удобно использовать в качестве примесей в GaAs при изготовлении гетеролазеров. Найдено, что в эпитаксиальных слоях только углерод является остаточной нежелательной примесью [71]. Другие элементы [c.120]

Большая часть вкладываемой мощности рассеивается в активной области в виде тепла, что делает необходимым при конструировании прибора рассмотрение величин, влияющих на тепловые свойства гетеролазеров. В 8 настоящей главы показано, что тепловые свойства гетеролазера могут быть описаны его средним тепловым сопротивлением составляет величину 20—30 К/Вт, что может дать увеличение температуры на —10 К при комнатной температуре. [c.183]

На примере двусторонней гетероструктуры (ДГС) могут быть проиллюстрированы наилучшим образом те свойства гетеропереходов, благодаря которым в гетеролазерах плотности порогового тока при комнатной температуре имеют гораздо более низкие значенйя, чем в гомолазерах. Как М — п — Р-, так и N — р — Р-структуры обладают одинаковыми свойствами. Гетеропереходы служат для ограничения инжектированных носителей в р (или п) активном слое ак это проиллюстрировано на рнс. 1.3.2, S. Толщина активного слоя d может быть значительно уменьшена от неконтролируемых значений в несколько микрометров в гомолазерах до 0,1 мкм и меньше в GaAs—AUGai As ДГС-лазерах. Как следует из выражения (1.3.5), уменьшение d понижает /пор. Для N — р — Р ДГС-лазера, изображенного на рис. 1.4.2, а, явление ограничения для носителей, проиллюстрированное рис.. 1.3.2, S, вновь представлено на рис. 1.4.2, б для случая большого прямого смещения. Более широкозонные N-и Р-области имеют к тому же более низкие значения показателя преломления, как это показано на рис. 1.4.2, в. Таким образом, [c.26]

В этой главе выводятся выражения для распределения оптического поля в направлении, перпендикулярном плоскости р — п-перехода в гетеролазерах, и даны характерные численные примеры для GaAs—Al.,Gai-.tAs-reTepo TpyKTyp. Рассмотрение распределения оптического поля вдоль плоскости перехода проводится после обсуждения в гл. 7 лазеров с полосковой геометрией, Уравнения Максвелла приведены в 2 настоящей главы, где также выводятся соотношения, связывающие проводимость и диэлектрическую проницаемость с коэффициентом поглощения и показателем преломления. Вывод этих соотношений помогает лучше понять процесс распространения волн и позволяет [c.32]

Ю- Сравнение рис. 2.5.6 и 2.5.7 показывает, что поглощение на свободных носителях больше в GaAs р-типа, но даже в этом случае k все же очень мало. Из этих рисунков следует также, что коэффициент поглощения в указанном диапазоне энергий фотонов имеет максимальное значение Ы0 см , что дает максимальное значение й ж 0.072. Таким образом, в гетероструктурах, в которых на границах волновода происходит значительное изменение п, мннмой частью N можно пренебречь, за исключением области, где а 10 см . Однако когда изменение п на границах мало, что имело место в ситуациях, рассмотренных в 3 настоящей главы, важную роль может сыграть учет коэффициента экстинкции k, что обусловлено усилением в активной области. Численные значения п, приведенные на рис. 2.5.2—2.5.5 и в табл. 2.5.1, будут использованы при решении дисперсионных уравнений для типичных гетеролазеров. [c.62]

Если для GaAs указана концентрация примесей или носителей, то легко опреде.лить значение величин, необходимых для построения энергетической зонной диаграммы. Для обычных доноров Ес — Ео составляет только 0,006 эВ при низкой коицентрации доноров и стремится к нулю при /1>2-10 см- (рис. 3.5.[, а). Поэтому доноры полностью ионизованы при концентрациях примесей, встречающихся в гетеролазерах, и о — [c.253]

Полупроводники, из к-рых могут быть изготовлены гетеролазеры, при разл. хим. составе должны обладать одинаковым периодом крист, решётки. Используются многокомпонентные тв. растворы, среди к-рых можно найти непрерывные ряды в-в с постоянным периодом решётки (изопериодические системы). Напр., в гетеролазере на основе твёрдых растворов Al jGai As гетероструктуру составляют слои (рис. 4) p(AljjGai j,As) p(GaAs) (Al Gai- As). [c.571]

Смотреть страницы где упоминается термин Гетеролазеры на GaAs Sbi—у—Al Gai—xAs Sbi : [c.947] [c.47] [c.54] [c.21] [c.30] [c.31] [c.34] [c.34] [c.37] [c.43] [c.50] [c.72] [c.88] [c.135] [c.136] [c.140] [c.156] [c.165] [c.169] [c.174] [c.249] [c.343] [c.362] [c.11] [c.23] [c.57] [c.60] [c.129] [c.219] [c.253] [c.290]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...